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P3M12080K4 SiC MOS N沟道增强模式
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2023-05-16 - 技术问答 你好，可以评估一下派恩杰的P3M12080K4，此方案过AECQ101认证，导通内阻80mΩ，漏源电压1200V，封装为漏源与栅源分离的TO-247-4封装，详细评估资料如下：https://www.sekorm.com/doc/3289840.html。
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激光电源项目需要1200V/20A的SIC mos，有没有合适的推荐？
2022-01-25 - 技术问答 您好，推荐派恩杰：P3M12080K4，ID (100℃) = 27 A，RDS(on) = 80 mΩ，通过AEC-Q101认证，规格书链接：https://www.sekorm.com/doc/2868015.html
新能源车上的逆变器需要一款国产的SiC MOS，TO247-4，1200V 80mΩ，汽车级/Automotive（E级），AEC-Q101，有推荐吗？
2021-07-31 - 技术问答 您好，可以考虑派恩杰（PN Junction）TO247-4封装的P3M12080K4，应用等级汽车级/Automotive（E级），1200V 80mΩ，安规/环境规范ROHS；HALOGEN FREE。通过等级认证标准AEC-Q101，参数上附合贵司要求，如有需要可以提供免费样品给您测试。附上规格书链接：https://www.sekorm.com/product/390382.html
SiC MOSFET P3M12080K4
Feb. 2025 - 数据手册 该资料详细介绍了PNJ公司生产的SiC MOSFET P3M12080K4产品。该产品是一款N-Channel增强型SiC MOSFET，具有高阻断电压、低导通电阻、高频操作等特点，适用于太阳能逆变器、电动汽车充电器、高压DC/DC转换器和开关电源等应用。
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P3M12080K4 N沟道增强型SiC MOS
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派恩杰携自研功率器件产品出席CPEEC＆CPSSC 2023，分享800V电压平台车规级器件技术与发展趋势
2023-11-15 - 原厂动态 2023中国电力电子与能量转换大会暨中国电源学会第二十六届学术年会及展览会（CPEEC ＆ CPSSC 2023）于2023年11月10-13日在广州召开。派恩杰应邀出席，半导体应用主任工程师雷洋博士在大会做专题工业报告——《面向800V电压平台的车规级碳化硅功率器件技术现状与发展趋势》。此外，派恩杰半导体也在现场展示最新技术及应用成果，展位号：三楼 3-015。
派恩杰碳化硅场效应管(SiC MOSFET)选型表
选型表 - 派恩杰 派恩杰推出碳化硅场效应管(SiC MOSFET)，覆盖常规封装TO247-3,TO247-4,TOLL,TO263-7等，RDS：13-3000毫欧，温度高达175℃
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产品型号
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品类
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Output Capacitance(pF)
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Blocking Voltage(V)
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Current Rating(A)
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Qgd(nC)
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Package
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Max Junction Temperature(℃)
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RDS(ON) @25℃(mΩ)
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P3M12080K4
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碳化硅场效应管
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73.6pF
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1200V
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38A
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12.3nC
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TO247-4
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175℃
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80mΩ
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【应用】派恩杰N沟道碳化硅MOSFET用于车载充电机，具有高阻断电压、低导通电阻、高频操作的特点
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P3M06035G7 N沟道增强型SiC MOS
Jan. 2024 - 数据手册 该资料详细介绍了PNJ公司生产的P3M06035G7型号SiC MOSFET的特性、参数和应用。该产品适用于高电压直流/直流转换器和开关模式电源等应用，具有高阻断电压、低导通电阻、高频操作等特点。
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