CAT24C01YI-G Material Composition Declaration
发布时间：
2021-08-02
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
CAT24C01YI-G
本资料详细介绍了Onsemi公司CAT24C01YI-G器件的材料成分声明，重点阐述了该产品在RoHS合规性方面的具体指标。声明中明确列出了器件内部所使用的金、银、镍、铜等关键材料的含量数据，并确认其完全符合欧盟RoHS指令的相关要求。此外，该文件还涵盖了产品的制造信息、物理重量、工作温度参数以及供应商的认证资质，为用户评估产品的环境合规性与可靠性提供了详实的数据支撑。基于该方案，Onsemi在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。针对文中所述器件，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价及库存充足，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
产品概述CAT24C01：串行EEPROM存储器，1-Kb I2C
12/29/2017
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| 测试报告 - 英文 |
CAT24C01YI-G材料成分声明
2019-07-15
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| 测试报告 - 英文 |
CAT24C01YI-G材料成分声明
2019-03-30
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| 数据手册 - 英文 |
CAT24C01：串行EEPROM存储器，1-Kb I2C产品概述
3/29/2019
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明CAT24C01YI-G
2018-01-26
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明CAT24C01YI-G
2018-01-17
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| 数据手册 - 英文 |
CAT24C01、CAT24C02、CAT24C04、CAT24C08、CAT24C16 1-Kb、2-Kb、4-Kb、8-Kb和16-Kb I2C CMOS串行EEPROM
Rev. 31
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| 数据手册 - 英文 |
CAT24AA01 EEPROM串行1/2-Kb i2C
Rev. 6
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明CAT24C01YI-GT3
2018-01-26
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明CAT24C01YI-GT3
2018-01-17
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| 测试报告 - 英文 |
CAT24C01YI-GT3材料成分声明
2020-4-12
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| 测试报告 - 英文 |
CAT24C01YI-GT3材料成分声明
2019-07-15
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| 测试报告 - 英文 |
CAT24C01YI-GT3材料成分声明
2019-03-30
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明CAT24C01WI-G
2018-01-26
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明CAT24C01WI-G
2018-01-17
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| 测试报告 - 英文 |
CAT24C01ZI-G材料成分声明
2020-4-12
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| 测试报告 - 英文 |
CAT24C01ZI-G材料成分声明
2019-07-15
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| 测试报告 - 英文 |
CAT24C01ZI-G材料成分声明
2019-03-30
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| 测试报告 - 英文 |
CAT24C01LI-G材料成分声明
2020-4-12
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| 测试报告 - 英文 |
CAT24C01LI-G材料成分声明
2019-07-15
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| 测试报告 - 英文 |
CAT24C01LI-G材料成分声明
2019-03-30
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| 测试报告 - 英文 |
CAT24C01WI-G材料成分声明
2020-4-12
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| 测试报告 - 英文 |
CAT24C01WI-G材料成分声明
2019-07-15
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| 测试报告 - 英文 |
CAT24C01WI-G材料成分声明
2019-03-30
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明CAT24C01ZI-G
2018-01-26
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明CAT24C01ZI-G
2018-01-17
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明CAT24C01WE-GT3
2018-01-26
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明CAT24C01WE-GT3
2018-01-17
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| 测试报告 - 英文 |
CAT24C01YE-GT3材料成分声明
2020-4-12
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| 测试报告 - 英文 |
CAT24C01YE-GT3材料成分声明
2019-07-15
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CAT24C01YE-GT3材料成分声明
2019-03-30
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CAT24C01TDI-GT3材料成分声明
2020-4-12
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| 测试报告 - 英文 |
CAT24C01TDI-GT3材料成分声明
2019-07-15
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| 测试报告 - 英文 |
CAT24C01TDI-GT3材料成分声明
2019-03-30
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| 测试报告 - 英文 |
CAT24C01VP2I-GT3材料成分声明
2020-4-12
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| 测试报告 - 英文 |
CAT24C01VP2I-GT3材料成分声明
2020-01-26
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| 测试报告 - 英文 |
CAT24C01VP2I-GT3材料成分声明
2019-07-15
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CAT24C01VP2I-GT3材料成分声明
2019-03-30
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明CAT24C01YE-GT3
2018-01-26
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明CAT24C01YE-GT3
2018-01-17
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明CAT24C01LI-G
2018-01-26
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材料成分声明CAT24C01LI-G
2018-01-17
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CAT24C01WE-GT3材料成分声明
2020-4-12
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CAT24C01WE-GT3材料成分声明
2019-07-15
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| 测试报告 - 英文 |
CAT24C01WE-GT3材料成分声明
2019-03-30
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明CAT24C01TDI-GT3
2018-01-26
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材料成分声明CAT24C01TDI-GT3
2018-01-17
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材料成分声明CAT24C01ZI-GT3
2018-01-26
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材料成分声明CAT24C01ZI-GT3
2018-01-17
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世强AI
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应用/方案
产品概述CAT24C01:1-kb I2C串行EEPROM存储器
CAT24C01是一款1Kb的CMOS串行EEPROM存储器，内部组织为8页，每页16字节。支持标准（100 kHz）和快速（400 kHz）I2C协议。数据写入时，通过提供起始地址，将1至16个连续字节加载到页写缓冲区，然后在一个内部写入周期内将所有数据写入非易失性存储器。数据读取时，提供起始地址，然后串行移出数据，同时自动增加内部地址计数。外部地址引脚使得在同一总线上可以寻址多达八个CAT24C01设备。特点包括支持标准和快速I2C协议、1.7 V至5.5 V的供电电压范围、16字节页写缓冲区、整个存储器的硬件写保护、I2C总线输入（SCL和SDA）上的施密特触发器和噪声抑制滤波器、低功耗CMOS技术、超过100万次编程/擦除周期、工业和扩展温度范围、100年数据保留。这些设备无铅、无卤素/BFR无卤素，符合RoHS标准。应用领域包括汽车系统、报警系统、工业控制、音频播放器、内存模块、电缆调制解调器、电信、移动电话、无线局域网、电视等。
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