CAT24C01YI-G Material Composition Declaration
●制造商项目名称：1KB I2C SER EEPROM
●指令2015/863/EU修订RoHS，指令2011/65/EU
■RoHS定义：镉在均质材料中的质量限值为0.01%（100 PPM），铅（Pb）、汞（Hg）、六价铬（Cr6+）、多溴联苯（PBB）、多溴二苯醚（PBDE）和邻苯二甲酸二乙酯（DEHP）在均质材料中的质量限值为0.1%（1000 PPM），邻苯二甲酸丁酯（BBP）、邻苯二甲酸二丁酯（DBP）、邻苯二甲酸二异丁酯（DIBP）。
●RoHS声明*：5-项目已过时，无可用信息
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SGMICRO SPI Serial EEPROM选型表
选型表 - SGMICRO 圣邦微电子(SGMICRO)提供SPI接口串行EEPROM选型，覆盖128Kbit至2Mbit密度范围。所有型号均支持1.7V-5.5V宽工作电压、20MHz高速时钟、3ms自写时间，具备百万次擦写寿命和100年数据保持能力。ESD防护达6000V，工作温度范围-40℃至+105℃。封装形式包括SOP-8、TSSOP-8、UDFN-8及WLCSP-8，适用于工业控制、通信设备等需要高速非易失性存储的应用场景。
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产品型号
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品类
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产品系列
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封装
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Density
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Supply Voltage Range
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High Speed Clock
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Self-timed Write Cycle
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Endurance
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Data Retention
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ESD Protection (HBM)
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Operating Temperature Range
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TD25C128-SLP1TR
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SPI Serial EEPROM
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TD25C128-R1
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SOP-8
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128-Kbit
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1.7V~5.5V
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20MHz
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3ms MAX
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1,000,000 Write Cycles
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100 Years
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6000V
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-40℃~+105℃
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SGMICRO I²C-Compatible Serial EEPROM选型表
选型表 - SGMICRO 圣邦微电子(SGMICRO)提供I²C兼容串行EEPROM选型，覆盖2Kbit至2Mbit密度范围。产品支持1.7V-5.5V宽电压（部分系列1.1V-2.0V），1MHz高速传输及3ms自写周期，具备百万次擦写与100年数据保持能力。封装包括SOP-8、TSSOP-8、UDFN-8、SOT23-5及WLCSP，ESD达4000V-6000V，待机电流低至1μA，适用于-40℃至+105℃工业与汽车级应用场景。
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产品型号
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品类
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产品系列
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封装
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Density
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Supply Voltage Range
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Transfer Rate Compatibility
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Self-timed Write Cycle
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Endurance
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Data Retention
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ESD Protection (HBM)
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Write Current
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Read Current
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Standby Current
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Operating Temperature Range
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TD24C02-SLP1TR
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I2C-Compatible Serial EEPROM
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TD24C02-R1
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SOP-8
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2-Kbit
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1.7V~5.5V
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400kHz and 1MHz
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3ms MAX
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1,000,000 Write Cycles
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100 Years
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5000V
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0.5mA (MAX)
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0.5mA (MAX)
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1µA (MAX)
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-40℃~+105℃
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