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HM6N80K silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs
发布时间: 2021-08-06
类型: 数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
华之美半导体(H&M SEMI)
型号:
HM6N80K
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应用/方案
200V/18A的硅N沟道增强型VDMOSFET SL18N20,高效功率开关解决方案
萨科微半导体的SL18N20是一款硅N沟道增强型VDMOSFET,采用自对准平面技术获得,旨在降低导通损耗,提高开关性能并增强雪崩能量。这一优秀的晶体管产品在各种功率开关电路中具有广泛的应用,为系统的小型化和更高效率提供了重要支持。
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【应用】国产硅N沟道增强型VDMOSFET HM1N60PR助力充电器解决方案,进一步减轻体积和重量
针对充电器应用方案中硅N沟道增强型VDMOSFET选择,笔者推荐虹美功率半导体HM1N60PR。在日常使用中输出电压过高或者电流短路会导致充电器故障,因此选用合适的器件尤为重要。而HM1N60PR通过自对准平面技术降低了传导损耗,可以提高充电器的效率,减少能源浪费;另外改善了开关性能,这种改善可以使充电器的输出电压更加稳定,减少电压波动和噪音,提高充电器的性能和稳定性。
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【产品】导通电阻1.5Ω的硅N沟道增强型VDMOSFETs HM2N20E,通过100%单脉冲雪崩能量测试
HM2N20E是硅N沟道增强型VDMOSFETs,器件通过自对准平面技术降低了传导损耗,改善了开关性能,并提高了雪崩能量。该晶体管可用于各种电源开关电路,以实现系统的小型化和更高的效率。该产品的封装形式为TO-92,器件符合RoHS标准。
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【应用】硅N沟道增强型VDMOSFET HM1N60R适用于节能灯照明方案,导通电阻≤10.5Ω
针对节能灯照明应用方案中硅N沟道增强型VDMOSFET选择,笔者推荐虹美功率半导体HM1N60R。它通过自对准平面技术降低了传导损耗,改善了开关性能,并提高了雪崩能量,从而提高了节能灯的使用寿命和稳定性。
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HM2806A LED驱动调光方案
本文介绍了HM2806A LED驱动调光方案,包括三种调光方式:通过FB端增加电阻和电压进行调光,通过PWM模式调光,以及通过EN Pin加入PWM信号进行调光。文中详细说明了每种调光方式的工作原理、计算公式和注意事项,并提供了相应的示例和图表。
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HM1480 2A车载充电器应用指南
本指南介绍了HM1480 2A车载充电器的应用。该充电器电路简单,成本低,可靠性高,具备输出短路保护、过温保护、输入过压保护和可调过流保护等功能。输出电流与电阻成正比,并具有线缆补偿功能。输入电压范围为8-30V DC,采用SOP-8封装。指南还提供了PCB布局建议、测试方法和EMC改善措施。
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