HM6N80K silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs
■一般说明：
●HM6N80K是一种硅N沟道增强型VDMOSFET，采用自对准平面工艺，降低了导通损耗，改善了开关性能，提高了雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路中，以实现系统小型化和高效率。封装形式为TO-252，符合RoHS标准。
■特征：
●快速切换
●低导通电阻（Rdson≤2.2Ω)
●低栅极电荷（典型数据：28.4nC）
●低反向传输电容（典型值：4.7pF）
●100%单脉冲雪崩能量测试
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产品型号
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品类
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PD (mW)
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VZ(V)@IZT nom.
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IZT (mA)
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ZZT @ IZT(Ω)
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ZZK @ IZK(Ω)
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IZK(mA)
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IR@VR(µA)
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IR@VR(V)
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IZM(mA)
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package
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1N4954
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SILICON ZENER DIODES
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