STB22N60DM6 N-channel 600 V, 200 mΩ typ., 15 A, MDmesh DM6 Power MOSFET in a D²PAK package
发布时间：
2021-11-16
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ST（意法半导体）
型号：
STB22N60DM6
加工定制
可定制UV胶的粘度范围：150~25000cps，粘接材料：金属，塑料PCB，玻璃，陶瓷等；固化方式：UV固化；双固化，产品通过ISO9001:2008及ISO14000等认证。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
STB22N60DM6 N沟道600 V、200 MΩ（典型值）、15 a、MDMesh™DM6功率MOSFET，采用D²PaK封装
Rev 1
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STB22N60DM6物料申报表
Version A
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| 技术文档 - 英文 |
STP200NF04 STB200NF04-STB200NF04-1 N沟道40V-120 A-3.3 mΩTO-220/D²PAK/I²PAK STripFET™II MOSFET
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
STB25NF06LAG汽车级N沟道60 V，53 mΩ典型值，20 ASTripFET™ D²PAK封装中的II功率MOSFET数据表
Rev 1
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| 测试报告 - 英文 |
材料申报表R1D2*VJLLB32
Version A
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STB25NF06AG汽车级N沟道60 V，0.056Ω典型值，19 A带状场效应晶体管™ D²PAK封装中的II功率MOSFET
Rev 1
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材料申报表R1D2*VJLLB62
Version A
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| 数据手册 - 英文 |
STB20NM60-1-STP20NM60FP STB20NM60-STP20NM60-STW20NM60 N沟道600V-0.25Ω-20a-TO-247-TO-220/FP-D2/I2PaK MDmesh™功率MOSFET
Rev 12
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| 测试报告 - 英文 |
材料申报表T2D2*MQ66B62
Version A
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| 数据手册 - 英文 |
STB20N90K5 N沟道900 V、0.21Ω（典型值）、20 a MDmesh™K5功率MOSFET，采用D²PaK封装
Rev 4
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| 数据手册 - 英文 |
STB20N90K5 N沟道900 V、0.21Ω（典型值）、20 a MDmesh™K5功率MOSFET，采用D²PaK封装
Rev 3
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明X4D2*4D4CA52
Version A
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材料申报表T2D2*MD67B62
Version A
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STB26N60M2 N通道600 V，0.14Ω典型值，20 A MDmesh™ D²PAK封装中的M2功率MOSFET
Rev 1
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STB28N65M2材料申报表
Version A
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| 数据手册 - 英文 |
STB270N4F3汽车级N沟道40 V，1.6 mΩ典型值，160 A带状场效应晶体管™ D2PAK封装中的F3功率MOSFET
Rev 5
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材料申报表TLD2*VK86B52
Version A
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| 数据手册 - 英文 |
STB21NK50Z汽车级N通道500 V，0.23Ω，17 A，齐纳保护超级网™ D2PAK封装中的功率MOSFET
Rev 2
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材料申报表STB23NM50N TLD2*M255B62
Version A
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STP200NF03 STB200NF03-STB200NF03-1 N通道30V-0.0032Ω-120A-D2PAK/I2PAK/TO-220带状场效应晶体管™ 三功率MOSFET
Rev 4
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STB26NM60N物料申报表
Version A
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| 数据手册 - 英文 |
STB22N60M6 N沟道600 V、196 MΩ（典型值）、15 a、MDMesh™M6功率MOSFET，采用D2PaK封装
Rev 1
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STB28NM50N物料申报表
Version A
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| 数据手册 - 英文 |
STB23N80K5-N沟道800 V、0.23Ω（典型值）、16 A MDMesh K5功率MOSFET，采用D²PAK封装
Rev 2
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STB23N80K5 N沟道800 V、0.23Ω（典型值）、16 a MDmesh™K5功率MOSFET，采用D²PaK封装
Rev 1
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材料申报表TLD2*MQ6HB62
Version A
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STB20N60M2-EP N沟道600 V、0.230Ω（典型值）、13 A MDMESH™M2 EP功率MOSFET，采用D²PAK封装\n
Rev 3
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STB20N65M5材料申报表
Version 2
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| 数据手册 - 英文 |
STB24N60M6 N沟道600 V、162 MΩ（典型值）、17 a、MDMesh™M6功率MOSFET，采用D²PaK封装
Rev 1
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材料成分声明T2D2*2MFKB32
Version A
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| 数据手册 - 英文 |
STB24NM60N N通道600 V，0.168Ω典型值，17 A MDmesh™ D²PAK封装中的II功率MOSFET
Rev 2
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| 测试报告 - 英文 |
材料申报表T2D2*M266B62
Version A
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| 数据手册 - 英文 |
STB20NM60D N通道600V-0.26Ω-20A-D20™ 功率MOSFET
Rev 1
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明R1D2*2F67B32
Version A
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材料申报表T2D2*2F6KB32
Version A
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STB20NM50-STB20NM50-1 STP20NM50-STP20NM50FP N沟道500V-0.20Ω-20a-TO220/FP-D2PaK-I2PaK MDmesh™功率MOSFET
Rev 13
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材料申报表STB28N60DM2
Version 2
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| 数据手册 - 英文 |
采用D²PaK、DPaK、TO-220FP、TO-220和IPaK封装的620 V、3Ω、2.2 a N沟道STB2N62K3、STD2N62K3、STU2N62 K3和STU2N62 K3 SuperMESH3™功率MOSFET
Rev 2
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材料申报表STB24N60DM2
Version 2
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| 数据手册 - 英文 |
STB24NF10 STP24NF10 N沟道100V-0.0055Ω-26A-TO-220-D²PAK低栅电荷剥离场效应晶体管™ II功率MOSFET
09-Aug-2006
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| 数据手册 - 英文 |
STB27NM60ND，STW27NM60ND汽车级N通道600 V，0.13Ω，21 A™ D2PAK和TO-247封装中的II功率MOSFET（带快速二极管）
Rev 4
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STB20NF06L-STF20NF06L STP20NF06L N-通道60V-0.06Ω-20A-D2PAK/TO-220/TO-220FP带状场效应晶体管™ 二、电源
Rev 2
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世强AI
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应用/方案
MDMESH™DM6快速恢复体二极管SJ MOSFET
MDmesh™ DM6系列600V-650V快速恢复体二极管超结MOSFET，适用于全桥和半桥拓扑结构。该系列具有极低的RDS(on)和优化的电容特性，适用于轻载条件，提供高效率性能和增加功率密度。主要应用包括电动汽车充电站、LED照明、电信、服务器和太阳能逆变器等。
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600 V MDmesh™ DM6 fast-recovery SJ MOSFETs boost ef ciency and robustness 产品介绍
STMicroelectronics推出的600 V MDmesh™ DM6fast-recovery SJ MOSFETs，采用新型寿命终结工艺，优化电容特性和低栅极电荷（Qg）、极低恢复电荷（Qrr）、低恢复时间（trr）以及每单位面积RDS(on)的显著提升，适用于全桥和半桥拓扑结构，提高效率与系统可靠性。该系列MOSFETs具有极低RDS(on)、高dv/dt、优化体二极管恢复阶段和软度，适用于电动汽车充电站、LED照明、电信、服务器和太阳能逆变器等领域。
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高压、高频、高温？鲁光LGE3M30065Q创新TO-247-4封装N沟道MOSFET针对性设计
在追求高效率、高功率密度的现代电力电子系统中，以碳化硅为代表的第三代半导体正成为技术革新的核心引擎。鲁光电子推出的LGE3M30065Q，正是一款基于先进碳化硅技术，并采用创新TO-247-4封装的高性能N沟道MOSFET，专为应对高压、高频、高温的严苛应用挑战而设计，其已逐渐成为太阳能逆变、高端电源及配套设备等领域升级换代的理想选择。
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高效能量控制核心器件：时科SK05N50C 500V耐压、5A电流等级高压N沟道功率MOSFET
无论是适配器、电源模块，还是高效开关电源与照明驱动，功率MOSFET都扮演着能量控制“核心开关”的角色。時科推出了SK05N50C。这是一款500V耐压、5A电流等级的高压N沟道功率MOSFET，采用低RDS(on)、快速开关设计，并具备优异的雪崩耐量与dv/dt能力，能够广泛应用于高压、高频的电源系统，为客户提供高效、稳定的解决方案。
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德欧泰克的N沟道功率MOSFET DI110N15PQ高压电动自行车电机驱动的理想选择
德欧泰克的DI110N15PQ是一款为性能而生的N沟道功率MOSFET。它采用紧凑的5mm×6mm QFN封装，可提供150V电压下的50A电流，具备低导通电阻和快速开关时间，使其成为高压电动自行车电机驱动的理想选择。
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【产品】1200V/55A的高压N沟道增强型单SiC功率MOSFET S2M0040120K，具有正温度特性
S2M0040120K是SMC推出的一款采用TO-247-4封装的高压N沟道增强型单SiC功率MOSFET。该器件在极端温度下具有非常低的总导通损耗和非常稳定的开关特性，在具有挑战性的环境下，对于能源敏感型应用和高频应用来讲是理想之选。
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【产品】福斯特半导体推出的N沟道增强型高压功率MOSFET FIR12N60FG，漏源电压最大额定值600V
FIR12N60FG是福斯特半导体推出的一款采用F-CellTM结构VDMOS专利技术研发的N沟道增强型功率MOSFET。改进过的平面条形单元和保护环端子可以最小化通态电阻，提供卓越的开关特性，并能在雪崩和换向模式中承受高能脉冲。
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