NVMFS6D1N08H Power M_代理商_研发采购服务

NVMFS6D1N08H Power MOSFET

发布时间： 2022-01-29

类型：数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载

品牌：

ONSEMI（ON Semiconductor）

型号：

NVMFS6D1N08H; NVMFS6D1N08HT1G; NVMFSW6D1N08HT1G

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可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。

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扫地机项目，有安森美的一颗N沟道MOS替换需求，型号为NVMFS5C604NLWFAFT1G，60 V, 1.2 mΩ, 287A，DFN5 5x6封装，有合适的替换吗，最好PTP。

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直放站项目，使用ONSEMI的N沟道MOSFET NVMFS6H858NLT1G，有没有可推荐的国产物料

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应用/方案

产品概述NVMFS5C410NL：功率MOSFET 40V，330A，0.82 mOhm，单N沟道，SO8-FL，逻辑电平。

NVMFS5C410NL是一款40V、330A、0.82mΩ的单通道功率MOSFET，采用SO8-FL封装，适用于逻辑电平。该产品专为紧凑高效设计而设计，具有高热性能。它具有可湿边选项，适用于汽车应用，并通过AEC-Q101认证。产品特点包括小尺寸（5x6mm）、低RDS(on)、低QG和电容、可湿边选项、AEC-Q101认证和无铅。适用于汽车电池保护、开关、电源转换器、电磁阀驱动、电机控制等应用。

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产品概述NVMFS6B14N：功率MOSFET 100V，55A，15mohm，单N沟道，SO8-FL。

NVMFS6B14N是一款100V、55A、15mΩ的单通道MOSFET，采用SO8-FL封装，适用于紧凑高效的设计。该产品具有低导通电阻、低QG和电容、可湿边选项等特点，符合AEC-Q101标准，适用于汽车应用。主要应用领域包括高-低侧驱动器、H桥、开关电源、继电器驱动器、电机控制等。

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产品概述NVMFS6B03N：功率MOSFET 100V，145A，4.8 mOhm，单N沟道，SO8-FL。

NVMFS6B03N是一款100V、145A、4.8mΩ的单通道功率MOSFET，采用5x6mm扁平引脚封装，适用于紧凑高效的设计。该产品具有低导通电阻、低QG和电容、湿边选项等特点，符合AEC-Q101标准，适用于汽车应用。主要应用于高-低侧驱动器、功率开关、开关电源、电磁阀驱动器、电机控制等领域。

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产品概述NVMFS4C03N：功率MOSFET 30V 143A 2.1 mOhm单N沟道SO8-FL逻辑电平

NVMFS4C03N是一款30V、143A、2.1mΩ的单通道SO8-FL逻辑级功率MOSFET。该产品适用于紧凑高效的设计，具有高热性能。产品特点包括小尺寸（5x6mm）、低导通电阻以减少导通损耗、低QG和电容以减少驱动损耗。该产品符合AEC-Q101标准，并具备PPAP能力，适用于汽车应用。主要应用包括反向电池保护、HID和LED照明、DC-DC转换器输出驱动和信息系统电源。

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产品概述NVMFS6B14NL：功率MOSFET 100 V，55 A，13 mΩ，单N沟道

NVMFS6B14NL是一款100V、55A、13mΩ的单通道MOSFET，适用于紧凑高效的设计，具有高热性能。该产品具有小尺寸（5x6mm）和低导通电阻，适用于汽车应用，符合AEC-Q101标准，并具备PPAP能力。主要特点包括低导通电阻、低QG和电容，以及可选的湿边选项以增强光学检查。该产品适用于高/低侧驱动器、H桥、开关电源、功率开关、电磁阀驱动器、电机控制以及负载开关等应用。

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产品概述NVMFS5885NL：功率MOSFET 60V，39A，15 mOhm，单N沟道，SO8-FL，逻辑电平。

NVMFS5885NL是一款60V、39A、15mΩ的单通道功率MOSFET，封装为SO8-FL，适用于逻辑电平。该产品适用于汽车应用，具有AEC-Q101认证，适用于紧凑高效的设计，具有高热性能。产品特点包括小封装尺寸、低导通电阻，适用于电机控制等应用。

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