NVMFS6D1N08H Power MOSFET
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■特征
●占地面积小（5x6毫米），设计紧凑
●低R-DS（on）以最小化传导损耗
●低Q-G和电容，将驱动器损耗降至最低
●NVMFS5C645NLWF− 可湿侧翼选项，用于增强光学检测
●AEC−Q101合格且具备PPAP能力
●这些设备是Pb−无卤、无卤素/BFR、无铍且符合RoHS标准
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