GaAs HEMT MMIC MEDIUM POWER
AMPLIFIER, 81 - 86 GHz
发布时间：
2018-04-20
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ADI（亚德诺半导体）
型号：
HMC-AUH317
资料平台
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ANALOG DEVICES HMC920LP5E有源偏置控制器
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HMC920LP5E有源偏置控制器
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ANALOG DEVICES HMC981有源偏置控制器
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ANALOG DEVICES HMC981LP3E有源偏置控制器
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HMC-APH510砷化镓高电子迁移率晶体管微波单片集成电路中等功率放大器，37-40 GHz
v03.0709
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HMC-AUH318砷化镓高电子迁移率晶体管微波单片集成电路中等功率放大器，71-76 GHz
v07.0713
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HMC-APH596砷化镓高电子迁移率晶体管微波单片集成电路中等功率放大器，16-33 GHz
v02.0208
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HMC-APH196砷化镓高电子迁移率晶体管微波单片集成电路中等功率放大器，17-30 GHz
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砷化镓高电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，81-86千兆赫
v01.0713
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砷化镓高电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，37-45千兆赫
v03.0209
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砷化镓高电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，71-86千兆赫
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砷化镓高电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，55-65千兆赫
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GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，71-76ghz
v03.0209
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Gaas高电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，50-66ghz
v03.0412
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砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，17.5-24.0千兆赫
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砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，17.5-25.5千兆赫
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砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，21-32千兆赫
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砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，34-42千兆赫
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砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，12-30千兆赫
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砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，12-30千兆赫
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砷化镓，菲氏电子迁移率晶体管，微波单片集成电路，中功率放大器，24千兆赫至35千兆赫
Rev.B
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GaAs-pHEMT电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，6-18ghz
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GaAs-pHEMT电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，6-18ghz
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HMC451LC3砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，5-20千兆赫
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HMC451 GAAS高电子迁移率晶体管微波单片集成电路中等功率放大器，5-20 GHz
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GaAs-pHEMT电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，6.5-13.5ghz
v07.1017
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HMC451LP3/451LP3E GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路中等功率放大器，5-18 GHz
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HMC451LP3/451LP3E GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路中等功率放大器，5-18 GHz
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HMC442LM1 GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路中等功率放大器，17.5-24.0 GHz
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GaAs-PHigh电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，5-20ghz
v06.0514
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GaAs-PHigh电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，5-20ghz
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GaAs-PHigh电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，5-18ghz
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HMC442LC3B GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路中等功率放大器，17.5-25.5 GHz
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GaAs-PHigh电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，34-46.5ghz
v00.1111
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HMC1082LP4E砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，5.5-18千兆赫
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HMC1082LP4E砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路中功率放大器，5.5-18千兆赫
v05.1018
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HMC441LC3B GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路中等功率放大器，6-18 GHz
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HMC952ALP5GE GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路带功率检波器的2瓦功率放大器8-14 GHz
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砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路2瓦功率放大器，5.5-8.5千兆赫
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砷化镓PHigh电子迁移率晶体管中功率放大器，17-24千兆赫
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HMC498LC4砷化镓辉光电子迁移率晶体管中功率放大器，17-24千兆赫
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GaAs pHEMT电子迁移率晶体管中功率放大器，9.5-11.5ghz
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HMC608LC4砷化镓辉光电子迁移率晶体管中功率放大器，9.5-11.5千兆赫
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HMC499LC4 SMT高电子迁移率晶体管中等功率放大器21-32 GHz
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HMC7357LP5GE GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路2 w功率放大器，5.5-8.5 GHz
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电子迁移率晶体管SMT介质功率放大器21-32千兆赫
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35ghz～70ghz，GaAs，pHEMT电子迁移率晶体管，微波单片集成电路，中功率放大器
Rev.C
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