GaAs SMT pHEMT LOW NOISE
AMPLIFIER, 1.2 - 2.2 GHz
发布时间：
2018-04-20
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ADI（亚德诺半导体）
型号：
HMC618ALP3E
加工定制
捷配提供PCBA一站式服务，涵盖SMT/DIP/组装，ISO9001与UL认证保障质量。
立即提交 PCBA（SMT/DIP）一站式服务 >>
拥有中等规模的SMT、DIP以及成品组装产线；支持PCBA及成品OEM/ODM代工组装制造；在嵌入式系统、物联网系统等具备专业性量产制造的项目组织和服务能力。
立即提交 电子产品OEM制造/ODM研发服务 >>
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
HMC618ALP3E GaAs SMT P高电子迁移率晶体管低噪声放大器，1.2-2.2 GHz
v00
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
鉴定试验报告（2013-00254）
Rev:04
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC6187LP4E可变增益放大器27-31.5 GHz
v00
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC6187LP4E可变增益放大器27-31.5 GHz
02/23/2017
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
合格鉴定试验报告
Rev:06
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
合格鉴定试验报告
Rev: 05
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
模拟器件欢迎Hittite微波公司资格测试报告
Rev: 02
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
模拟器件欢迎Hittite微波公司资格测试报告
2017/11/26
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
包装鉴定报告
Rev: 05
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC617LP3/617LP3E GaAs SMT P高电子迁移率晶体管低噪声放大器，0.55-1.2 GHz
v02
|
下载 |
| 商品功能框图 - 英文 |
HMC8412TCPZ-EP微电路，线性，微波单片集成电路，高电子迁移率晶体管0.4 GHz至11 GHz低噪声放大器，砷化镓
20-12-15
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC564LC4 GaAs SMT p高电子迁移率晶体管低噪声放大器，7-14 GHz
v08
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
砷化镓贴片辉光电子迁移率晶体管低噪声放大器，6-20千兆赫
2018/05/26
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
GaAs贴片PHigh电子迁移率晶体管低噪声放大器，0.55-1.2ghz
v02.0610
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
GaAs贴片pHEMT电子迁移率晶体管低噪声放大器，7-14ghz
v06.1017
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
GaAs贴片PHigh电子迁移率晶体管低噪声放大器，6-20ghz
v03.0514
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
表面贴装pHEMT电子迁移率晶体管低噪声放大器，17-27千兆赫
v01.0514
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
表面贴装PHigh电子迁移率晶体管低噪声放大器，17-26千兆赫
v04.1017
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
4.8-6.0ghz砷化镓pHEMT电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器
v09.0816
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
4.8-6.0ghz砷化镓pHEMT电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器
v06.1113
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC373LP3/373LP3E GaAs P高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，带旁路模式，700-1000 MHz
v03
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC962LC4 GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，7.5-26.5 GHz
v02
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC963LC4 GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，6-26.5 GHz
v02
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
5ghz～11ghz砷化镓，pHEMT电子迁移率晶体管，微波单片集成电路，低噪声放大器
Rev.D
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
5ghz～11ghz砷化镓，pHEMT电子迁移率晶体管，微波单片集成电路，低噪声放大器
Rev.C
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC667LP2/667LP2E GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，2.3-2.7 GHz
v02
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC715LP3/715LP3E GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，2.1-2.9 GHz
v01
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC717ALP3E GAAS高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，4.8-6.0 GHz
v09
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC460 GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，DC-20 GHz
2020/9/23
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC460 GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，DC-20 GHz
v10
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC565 GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，6-20 GHz
v03
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC460LC5 GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，DC-20 GHz
v08
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC375LP3/375LP3E GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，1.7-2.2 GHz
v03
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC376LP3/376LP3E GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，700-1000 MHz
v01
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC716LP3E GAAS高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，3.1-3.9GHz
v03
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，1.7-2.2千兆赫
v01.0610
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，1.7-2.2千兆赫
v03.0610
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC716ALP3E GASS P高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，3.1-3.9GHz
v04.0316
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMC7950 2 GHz至28 GHz，GaAs高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器
Rev. B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，2-4千兆赫
v03.0514
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
砷化镓斐电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器，2-4千兆赫
v03.0210
|
下载 |
技术论坛
在做项目FPV无人机的无线传输模块，在射频部分需求ADI的HMC618ALP3ETR，有没有国产替换推荐？
查看官方回答 >>
世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
去使用世强AI >>
应用/方案
EVAL-ADL8142评估ADL8142 GaAs，P高电子迁移率晶体管，微波单片集成电路，低噪声放大器，23 GHz至31 GHz
本资料为ADL8142 GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器评估板（EVAL-ADL8142）的用户指南。指南详细介绍了评估板的特性、组成、操作方法、电路图和订购信息。评估板采用4层PCB，支持23 GHz至31 GHz频段，配备2.92 mm射频连接器。指南还提供了推荐的偏置序列和性能参数。
阅读原文 >>
EVAL-ADL8121评估ADL8121 GaAs，P高电子迁移率晶体管，微波单片集成电路，低噪声放大器，0.025 GHz至12 GHz
本资料为ADL8121 GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器评估板（EVAL-ADL8121）的用户指南。指南详细介绍了评估板的特性、组件、操作方法以及所需设备。评估板采用4层PCB，支持0.025 GHz至12 GHz频率范围，并提供了通过校准路径进行校准的功能。指南中还包含了推荐的偏置序列、评估板原理图和物料清单等信息。
阅读原文 >>
用于新的空间、低地球轨道、地球同步轨道、深空飞行任务、地球观测和通信的UMS空间解决方案
UMS Space提供针对新太空、LEO、GEO、深空任务、地球观测和通信的解决方案。公司拥有超过10万枚飞行的MMICs，采用GaAs和GaN先进技术，提供裸片或封装产品、晶圆代工服务和ASIC设计服务。UMS提供完整的太空产品系列，包括标准COTS产品、Hi-Rel产品、GaAs和GaN裸片及MMICs，以及封装产品。此外，UMS还提供MMICs定制设计和太空认证的晶圆代工服务。
阅读原文 >>
评估ADL8107 GaAs，高电子迁移率晶体管，微波单片集成电路，低噪声放大器，6 GHz至18 GHz
本资料为ADL8107 GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器评估板（EVAL-ADL8107）的用户指南。指南详细介绍了评估板的特性、组成、操作方法、推荐偏置序列、原理图和订购信息。评估板采用4层PCB，支持6 GHz至18 GHz频段，配备2.92 mm射频连接器，适用于-40°C至+85°C工作温度范围。指南还提供了通过校准路径的性能数据、原理图和物料清单。
阅读原文 >>
CN-0534 USB供电5.8 GHz RF LNA接收器，具有输出功率保护电路笔记
本文档介绍了基于Analog Devices元器件的5.8 GHz射频接收器系统设计，包括低噪声放大器、带通滤波器、过功率保护和USB供电等关键组件。系统采用HMC717A低噪声放大器，ADL5904真功率检测器和HMC802A数字衰减器，实现高增益、过功率保护和低噪声性能。设计支持文件包括原理图、布局文件和物料清单，适用于ISM频段的应用。
阅读原文 >>
CHA2368-98F: New 50-71GHz wideband Low Noise Amplifier/Variable Gain Amplifier MMIC for multiple demanding applications
The CHA2368-98F is a wideband LNA/VGA covering 50-71GHz with attractive Noise and Power performance. The CHA2368-98F is designed on UMS proprietary 0.1µm pHEMT GaAs technology and provided in bare die.
阅读原文 >>
ADI病人监护仪中的典型模块脉搏血氧仪解决方案
脉搏血氧仪通过测量血液中血红蛋白的光吸收特性来非介入式地测量血氧饱和度（SpO2）。该技术利用红光和红外光LED发射光线，通过光电二极管接收并计算血液中的氧气百分比。文章详细介绍了脉搏血氧仪的系统原理、典型架构以及设计时面临的挑战，如低血流灌注、运动和皮肤湿度、杂散光干扰等。ADI公司提供了多种高性能元器件和解决方案，包括数据转换器、放大器、微控制器等，以支持脉搏血氧仪的设计和开发。
阅读原文 >>
ADI的自动体外除颤器（AED）解决方案
本文介绍了自动体外除颤器（AED）的工作原理、典型架构、设计考虑因素和主要挑战。文章详细阐述了AED的安全、快速响应、可靠性和交互性设计要点，并介绍了ADI公司提供的针对AED应用的全面解决方案，包括放大器、数据转换、信号处理、音频处理、隔离和电源管理等方面的产品。
阅读原文 >>
