GaAs SMT pHEMT LOW NOISE AMPLIFIER, 1.2 - 2.2 GHz

知识图谱
2018-04-20 ADI 数据手册 英文


●一般说明
■HMC618ALP3E是一种GaAs pHEMT电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器,非常适合在1.2-2.2 GHz之间工作的蜂窝/3G和LTE/WiMAX/4G基站前端接收器。该放大器经过优化,可以从+5V的单电源提供0.75 dB的噪声系数、19 dB的增益和+36 dBm的输出IP3。输入和输出返回损耗非常好,低噪声放大器需要最小的外部匹配和偏置解耦组件。HMC618ALP3E与HMC617LP3E 0.55-1.2 GHz低噪声放大器共享相同的封装和引脚。HMC618ALP3E可以在+3V到+5V之间偏置,并具有外部可调电源电流,允许设计者为每个应用定制低噪声放大器的线性性能。与之前发布的HMC375LP3(E)和HMC382LP3(E)相比,HMC618ALP3E提供了更好的噪声系数。

●特征
■噪声系数:0.75 dB
■增益:19 dB
■OIP3:36 dBm
■单电源:+3V至+5V
■50欧姆匹配输入/输出
■16芯3x3mm贴片封装:9 mm²

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HMC617LP3/617LP3E GaAs SMT P高电子迁移率晶体管低噪声放大器,0.55-1.2 GHz

0610  - 数据手册 该资料介绍了HMC617LP3 / 617LP3E是一款GaAs SMT PHEMT低噪声放大器,适用于0.55-1.2 GHz频段。该放大器具有0.5 dB的噪声系数、16 dB的增益和+37 dBm的输出IP3,适用于蜂窝/3G和LTE/WiMAX/4G基站、基础设施、中继器和微蜂窝等应用。

ADI  -  砷化镓高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器,GAAS SMT PHEMT LOW NOISE AMPLIFIER,砷化镓表面贴装高电子迁移率晶体管低噪声放大器,GAAS PHEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER,HMC617LP3E,HMC617LP3,BTS,ACCESS POINTS,公共安全电台,WIMAX,PUBLIC SAFETY RADIO,FEMTOCELLS,长期演进技术,移动电话,CELLULAR,4G,3G,访问点,INFRASTRUCTURE,基础设施,4克,威马克斯,REPEATERS,中继器,LTE,第三代,毫微微蜂窝

HMC8412TCPZ-EP微电路,线性,微波单片集成电路,高电子迁移率晶体管0.4 GHz至11 GHz低噪声放大器,砷化镓

20-12-15  - 商品功能框图 本资料详细描述了一种高性能砷化镓(GaAs)单片微波集成电路(MMIC),即0.4 GHz至11 GHz低噪声放大器微电路的技术规格。该电路采用伪突变高电子迁移率晶体管(pHEMT)技术,工作温度范围为-55°C至+125°C。资料中包含了绝对最大额定值、推荐工作条件、电气性能特性、封装尺寸、引脚配置和功能描述等内容。

ADI  -  LOW NOISE AMPLIFIER,低噪音放大器,HMC8412TCPZ-EP-PT,HMC8412TCPZ-EP-R7,HMC8412TCPZ-EP

EVAL-ADL8142评估ADL8142 GaAs,P高电子迁移率晶体管,微波单片集成电路,低噪声放大器,23 GHz至31 GHz

2022/4/29  - 用户指南 本资料为ADL8142 GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器评估板(EVAL-ADL8142)的用户指南。指南详细介绍了评估板的特性、组成、操作方法、电路图和订购信息。评估板采用4层PCB,支持23 GHz至31 GHz频段,配备2.92 mm射频连接器。指南还提供了推荐的偏置序列和性能参数。

ADI  -  CONNECTORS,评估板,EVALUATION BOARD,LOW, EFFECTIVE SERIES RESISTANCE (ESR),GAAS, PHEMT, MMIC, LOW NOISE AMPLIFIER, 23 GHZ TO 31 GHZ,电容器,低有效串联电阻(ESR),连接器,砷化镓,高电子迁移率晶体管,微波单片集成电路,低噪声放大器,23 GHZ至31 GHZ,CAPACITOR,EVAL-ADL8142,ADL8142,ADL8142-EVALZ

HMC564LC4 GaAs SMT p高电子迁移率晶体管低噪声放大器,7-14 GHz

0618  - 数据手册 HMC564LC4是一款7至14GHz频段的GaAs SMT pHEMT MMIC低噪声放大器,具有17dB的典型增益、1.8dB的噪声系数和+25dBm的输出IP3。该放大器适用于点对点、点对多点无线电、VSAT、测试设备和传感器等应用。

ADI  -  GAAS SMT PHEMT LOW NOISE AMPLIFIER,大动态范围砷化镓高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器,砷化镓表面贴装高电子迁移率晶体管低噪声放大器,HIGH DYNAMIC RANGE GAAS PHEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER,HMC564LC4,HMC564LC4TR-R5,HMC564LC4TR,SPACE,POINT-TO-POINT RADIOS,试验设备,军事的,点对点无线电,点对多点无线电,TEST EQUIPMENT,甚小孔径终端,POINT-TO-MULTI-POINT RADIOS,VSAT,SENSORS,太空,传感器,MILITARY

EVAL-ADL8121评估ADL8121 GaAs,P高电子迁移率晶体管,微波单片集成电路,低噪声放大器,0.025 GHz至12 GHz

2022/4/30  - 用户指南 本资料为ADL8121 GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器评估板(EVAL-ADL8121)的用户指南。指南详细介绍了评估板的特性、组件、操作方法以及所需设备。评估板采用4层PCB,支持0.025 GHz至12 GHz频率范围,并提供了通过校准路径进行校准的功能。指南中还包含了推荐的偏置序列、评估板原理图和物料清单等信息。

ADI  -  GAAS, PHEMT, MMIC, LOW NOISE AMPLIFIER, 0.025 GHZ TO 12 GHZ,评估板,电阻器,PCB连接器,电感器,铁氧体磁珠,470Ω,25%,0402,INDUCTOR, FERRITE BEAD, 470 Ω, 25%, 0402,陶瓷电容,INDUCTOR, WIRE WOUND, 77 NH, 5%, 0402,PCB CONNECTORS,EVALUATION BOARD,CERAMIC CAPACITOR,砷化镓,高电子迁移率晶体管,微波单片集成电路,低噪声放大器,0.025 GHZ至12 GHZ,RESISTOR,CONN-PCB,电感器,线绕,77 NH,5%,0402,连接-PCB,ADL8121,EVAL-ADL8121,ADL8121-EVALZ,ADL812ACPZN

长晶科技SIC SBD选型表

选型表  -  长晶科技 工业级晶体管产品规格与供应链参数总表,系统展示了覆盖 650V(13款)及 1200V(9款)两大电压等级的完整产品线。资料以型号为索引,横向关联了从物理封装、制造工艺到电性指标(正向电流 4A-40A、单脉冲浪涌电流最高 350A)的全维度参数。该产品线主要面向 LED 驱动、家电、光伏(PV)及电动车充电(EV Charger)等应用场景,其中高电压大电流型号专为光伏和 EV 充电等高端应用设计。

产品型号
品类
Package
Process
Product Grade
VR
VF
IF
IFSM_Max @ tP = 10ms
QC
Status
Application
L/T Week
SPQ
MOQ
CSDD04H65J1_TO-252
晶体管
TO-252
JBS
industrial
650
1.34
4
32
12
Active
LED Driver
12
2,500
12,500
立即选型
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用于新的空间、低地球轨道、地球同步轨道、深空飞行任务、地球观测和通信的UMS空间解决方案

2023/5/15  - 商品及供应商介绍 UMS Space提供针对新太空、LEO、GEO、深空任务、地球观测和通信的解决方案。公司拥有超过10万枚飞行的MMICs,采用GaAs和GaN先进技术,提供裸片或封装产品、晶圆代工服务和ASIC设计服务。UMS提供完整的太空产品系列,包括标准COTS产品、Hi-Rel产品、GaAs和GaN裸片及MMICs,以及封装产品。此外,UMS还提供MMICs定制设计和太空认证的晶圆代工服务。

UMS  -  GAAS LOW NOISE PHEMT,PHASE SHIFTER,VCO,GAAS MESFET,砷化镓低噪声高电子迁移率晶体管,OSCILLATOR,降频转换器,MULTIPLIER,DOWN CONVERTER,振荡器,GAAS HIGH POWER PHEMT,POWER DETECTOR,中功率放大器,功率检测器,GAN POWER TRANSISTORS,放大器,GAAS POWER PHEMT,PASSIVE GAAS,INGAP VCO HBT,SCHOTTKY DIODE,砷化镓功率高电子迁移率晶体管,GAN HEMT,TRANSISTOR,倍增器,氮化镓功率晶体管,砷化镓金属半导体场效应晶体管,衰减器,砷化镓高功率高电子迁移率晶体管,肖特基二极管,晶体管,无源砷化镓,低噪音放大器,ATTENUATOR,AMPLIFIER,氮化镓高电子迁移率晶体管,移相器,HPA,开关,SWITCH,LNA,MPA,CHA2063A99S,CHT4690-FAB,HB20M,CHA6710-FAB,CHA5350-99F,PPH25,CHA2394-99S,CHA3689-99S,CHA5115-99S,CHA5350-99S,CHA7115-99S,CHA3656-FAB,CHV1206A98S,CHS5100-99S,CHA6652-98S,CHT4016-99S,CHKA012BSYA,GH50,PH25,CHA5266-FAB,CHA2110-QDG,CHP4010-99S,CHS5104-99S,CHA2090-99F,HP07,CHX2193-99S,ULRC,CHA6710-99S,CHA8710-99S,PH10,CHK9014-99F,CHK8201-SYA,CHA6551-99S,PH15,CHA3666-99F,CHP3015-99S,CHE1270-QAG,CHT4660-FAB,CHA3801-99S,GH25,CHA3666-99S,CHA2110-99S,CHT3091A99F,CHA3666-QAG,CHA8054-99S,CHT4690-99S,CHX2089-99S,CHT3091-FAB,CHT4012A98S,CHT3091A99S,CHA2066-99S,CHE1270A99S,CHA4253-FAB,CHA5266-99F,CHA3023-99S,PPH15X,CHX2090-99S,GH15,CHA2098B99S,CHR3693-FAB,CHA6550-98F,CHT4694-99S,CHE1270A99F,CHA3801-FAB,CHA2069-FAB,CHP6013-SRF,BES,CHA8352-99S,CHS5104-FAB,CHA8710A99F,CHA3666-FAB,CHX2193-FAB,CHA3024-FDB,CHV1203A98S

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