N-channel TrenchMOS standard level FET
发布时间:
2018-04-23
类型:
数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
Nexperia(安世半导体)
型号:
BUK7219-55A
本数据手册详细介绍了Nexperia公司生产的BUK7219-55A N沟道TrenchMOS标准级FET。该器件采用先进的TrenchMOS技术,专为汽车关键应用及通用电源开关设计,具备低导通损耗、低导通电阻和高击穿电压等优异静态特性。在动态性能方面,产品支持快速开关速度,并集成了雪崩 ruggedness 安全特性,能够适应最高175°C的高温工作环境。其标准级栅极驱动源兼容性使其易于集成,DPAK封装形式则便于PCB布局。该产品主要应用于12V和24V负载控制,涵盖电机驱动、灯具照明及电磁阀等场景。Nexperia在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该器件,用户可通过平台获取原厂授权的正品保障,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS BUK7219-55A
2019/01/10
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中国RoHS BUK7219-55A
2018/09/05
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中国RoHS BUK7219-55A
2018/04/24
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中国RoHS BUK7219-55A
2018/03/06
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化学成分BUK7219-55A
2019/01/10
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化学成分BUK7219-55A
2018/09/05
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化学成分BUK7219-55A
2018/04/24
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化学成分BUK7219-55A
2018/03/06
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
Rev. 3
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
Rev. 04
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
1 March 2013
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
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11 September 2012
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
11 September 2012
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
11 September 2012
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
11 September 2012
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
11 September 2012
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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管
11 September 2012
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11 September 2012
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19 May 2016
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11 September 2012
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19 June 2015
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13 July 2012
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28 July 2016
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25 August 2014
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28 July 2016
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28 July 2016
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