N-channel TrenchMOS standard level FET

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发布时间： 2018-04-23 品牌： Nexperia 资料类型：数据手册语言：英文

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●采用TrenchMOS技术的塑料封装中的标准级N沟道增强型场效应晶体管（FET）。本产品的设计和鉴定符合适用于汽车关键应用的AEC标准。

●特点和优点：

■低导通电阻导致的低传导损耗
■符合Q101
■适用于标准级栅极驱动源
■由于175°C的额定温度，适合热要求较高的环境

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中国RoHS BUK7219-55A

2019/01/10 - 测试报告本资料为Nexperia公司生产的BUK7219-55A元器件的环保合规性说明。内容涵盖该元器件的各个组成部分，如晶粒、引线框、注塑胶料、后电镀、锡线、线等，详细列出了各部分中铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯和多溴二苯醚等有害物质的含量是否符合SJ/T11363-2006标准。同时，资料还说明了Nexperia产品具有50年的环保友好使用期限，并对信息准确性、修改权等进行了免责声明。

NEXPERIA - BUK7219-55A

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中国RoHS BUK7219-55A

2018/09/05 - 测试报告本资料为Nexperia公司生产的BUK7219-55A元器件的环保信息报告。报告详细列出了该元器件中各部件的有毒有害物质含量，包括铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯和多溴二苯醚等，并标注了是否符合SJ/T11363-2006标准。同时，报告还提及了Nexperia产品的环保使用期限为50年，并对信息准确性、责任和产品偏差等进行了声明。

NEXPERIA - BUK7219-55A

中国RoHS BUK7219-55A

2018/04/24 - 测试报告该资料为Nexperia公司生产的BUK7219-55A元器件的环保合规性声明，详细列出了该元器件中铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯和多溴二苯醚等有害物质的含量，并说明所有这些物质均符合SJ/T11363-2006标准规定的限量要求。同时，资料还提到Nexperia产品具有50年的环保友好使用期限，并包含免责声明，说明资料中提供的信息仅供参考，不构成任何保证或承诺。

NEXPERIA - BUK7219-55A

中国RoHS BUK7219-55A

2018/03/06 - 测试报告该资料为Nexperia公司生产的BUK7219-55A元器件的RoHS合规性声明。资料详细列出了该元器件中各部件的铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯和多溴二苯醚等有毒有害物质含量，均符合SJ/T11363-2006标准规定的限量要求。同时，Nexperia声明其产品具有50年的环保使用期限，并对资料中的信息准确性负责。

NEXPERIA - BUK7219-55A

化学成分BUK7219-55A

2019/01/10 - 测试报告该资料详细描述了元器件BUK7219-55A的化学成分、封装类型、重量、焊接工艺、处理版本、材料组成、质量百分比等信息。资料中包含了不同材料组分的CAS编号、质量、占比，以及注意事项和免责声明。

NEXPERIA - 9340 562 42118,BUK7219-55A

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化学成分BUK7219-55A

2018/09/05 - 测试报告该资料详细描述了元器件BUK7219-55A的化学成分、封装类型、重量、焊接工艺、处理周期、材料组成及百分比等信息。资料中列出了各组成部分的化学物质、CAS编号、质量（mg）和质量百分比，并说明了这些信息可能涉及商业机密或无官方CAS编号。资料还包含免责声明，指出所有信息仅供参考，Nexperia不对信息的准确性或完整性做出任何保证，并保留随时更改信息的权利。

NEXPERIA - 9340 562 42118,BUK7219-55A

化学成分BUK7219-55A

2018/04/24 - 测试报告该资料详细描述了元器件BUK7219-55A的化学成分、封装类型、重量、焊接工艺、材料组成及百分比、CAS编号等信息。资料中包含了元器件的详细化学成分分析，包括掺杂硅、铜合金、模具化合物、阻燃剂、聚合物、纯金属等，并提供了每种成分的质量百分比。此外，资料还包含了制造地点、材料处理版本、MSL等级等关键信息。

NEXPERIA - 9340 562 42118,BUK7219-55A

化学成分BUK7219-55A

2018/03/06 - 测试报告该资料详细描述了元器件BUK7219-55A的化学成分、封装类型、重量、无铅焊接工艺、MPPT版本、处理周期、材料组成、CAS编号、质量百分比等信息。资料还包含了免责声明，指出所有信息仅供参考，并可能因不同制造地点的产品而存在轻微差异。

NEXPERIA - 9340 562 42118,BUK7219-55A

N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

13 October 2010 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK7Y53-100B N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品采用Nexperia高性能汽车（HPA）TrenchMOS技术，适用于汽车关键应用。资料详细介绍了产品的特性、参数、应用领域、封装信息等。

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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

7 April 2010 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK7Y28-75B N沟道 trenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品采用Nexperia高性能汽车（HPA）TrenchMOS技术，适用于汽车关键应用。产品特点包括符合Q101标准、适用于标准级栅极驱动源、适用于高温环境等。应用领域涵盖12V、24V和42V负载、通用电源开关、汽车系统、电磁阀驱动器、DC-DC转换器、传动控制、发动机管理等。

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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

7 April 2010 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK7Y25-40B N沟道 trenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品采用Nexperia高性能汽车（HPA）TrenchMOS技术，适用于汽车关键应用，符合AEC标准。主要特点包括：175°C工作温度、适用于标准级栅极驱动源、适用于热需求较高的环境。应用领域包括12V负载、通用电源开关、汽车系统、电机、灯具和电磁阀等。

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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

7 April 2010 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK7Y20-30B N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品采用Nexperia高性能汽车（HPA）TrenchMOS技术，适用于汽车关键应用，具有175°C的耐温特性，适用于标准级栅极驱动源，适用于热需求较高的环境。

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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

1 March 2013 - 数据手册 BUK7Y18-75B是一款采用Nexperia高性能汽车（HPA）TrenchMOS技术的标准级N沟道增强型场效应晶体管（FET），封装于塑料包装中。该产品符合AEC标准，适用于汽车关键应用，具有175°C的耐热等级，适用于标准级栅极驱动源和热要求高的环境。

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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

7 April 2010 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK7Y18-55B N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品采用Nexperia高性能汽车（HPA）TrenchMOS技术，适用于汽车关键应用，具有175°C的温度等级，适用于热需求较高的环境。产品适用于12V和24V负载、发动机管理、高级制动系统（ABS）、通用电源开关、汽车系统、电机、灯具和电磁阀等应用。

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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

26 May 2008 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK7Y13-40B N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品采用Nexperia高性能汽车（HPA）TrenchMOS技术，适用于汽车关键应用，具有175°C的额定温度，适用于标准级栅极驱动源和热需求环境。

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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

7 April 2010 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK7Y12-55B型号N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品采用Nexperia高性能汽车（HPA）TrenchMOS技术，适用于汽车关键应用。主要特点包括符合Q101标准、适用于标准级栅极驱动源、适用于高温环境等。

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7 April 2010 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK7Y102-100B N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品采用Nexperia高性能汽车（HPA）TrenchMOS技术，适用于汽车关键应用，具有175°C的耐温等级，适用于标准级栅极驱动源，适用于热需求较高的环境。

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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

9 April 2010 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK7Y10-30B N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品采用Nexperia高性能汽车（HPA）TrenchMOS技术，适用于汽车关键应用。资料详细介绍了产品的特性、参数、应用领域和封装信息。

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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

7 April 2010 - 数据手册

NEXPERIA - 标准电平N沟道增强型场效应晶体管,N沟道TRENCHMOS标准电平场效应晶体管,N-CHANNEL TRENCHMOS STANDARD LEVEL FET,STANDARD LEVEL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD-EFFECT TRANSISTOR,BUK7Y08-40B,马达,螺线管,LAMPS,汽车系统,通用电源开关,GENERAL PURPOSE POWER SWITCHING,MOTORS,12 V负载,AUTOMOTIVE SYSTEMS,12 V LOADS,SOLENOIDS,灯

N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

7 April 2010 - 数据手册该资料为Nexperia公司生产的BUK7Y07-30B N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。资料详细介绍了该产品的特性、参数、应用领域等，适用于汽车等高可靠性应用。

NEXPERIA - 标准电平N沟道增强型场效应晶体管,N沟道TRENCHMOS标准电平场效应晶体管,N-CHANNEL TRENCHMOS STANDARD LEVEL FET,STANDARD LEVEL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD-EFFECT TRANSISTOR,BUK7Y07-30B,马达,螺线管,12 V LOADS,LAMPS,GENERAL PURPOSE POWER SWITCH,汽车系统,通用电源开关,MOTORS,12 V负载,AUTOMOTIVE SYSTEMS,SOLENOIDS,灯

N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

11 September 2012 - 数据手册该资料为Nexperia公司生产的BUK7E8R3-40E型号N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。产品采用SOT226封装，适用于高性能汽车应用，符合AEC Q101标准。主要特点包括AEC Q101合规、重复雪崩额定、适用于高温环境、标准级栅极、175°C时的VGS(th)大于1V等。应用领域包括12V汽车系统、电机、灯具和电磁阀控制、Start-Stop微混合应用、传动控制、超高性能功率开关等。

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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

11 September 2012 - 数据手册

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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

11 September 2012 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK7E4R6-60E型号N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品采用TrenchMOS技术，封装于SOT226包装中，适用于高性能汽车应用，符合AEC Q101标准。

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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

11 September 2012 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK7E3R5-60E型号N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品采用TrenchMOS技术，封装于SOT226包装中，适用于高性能汽车应用，符合AEC Q101标准。

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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

11 September 2012 - 数据手册该资料为Nexperia公司生产的BUK7E3R1-40E型号N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。产品采用SOT226封装，适用于高性能汽车应用，符合AEC Q101标准。资料详细介绍了产品的特性、应用、电气参数、热特性、封装信息以及法律信息。

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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

11 September 2012 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK7E2R6-60E N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品采用TrenchMOS技术，封装于SOT226封装中，适用于高性能汽车应用，符合AEC Q101标准。

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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

11 September 2012 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK7E2R3-40E型号N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品采用TrenchMOS技术，封装于SOT226包装中，适用于高性能汽车应用，符合AEC Q101标准。

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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

19 May 2016 - 数据手册该资料为Nexperia公司生产的BUK7E1R9-40E型号N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。资料详细介绍了该产品的特性、应用、电气参数、封装信息以及法律信息等。

NEXPERIA - N沟道TRENCHMOS标准电平场效应晶体管,N-CHANNEL TRENCHMOS STANDARD LEVEL FET,BUK7E1R9-40E,马达,电动和电动液压动力转向,LAMPS,ULTRA HIGH PERFORMANCE POWER SWITCHING,12 V汽车系统,12 V AUTOMOTIVE SYSTEMS,MOTORS,SOLENOID CONTROL,START-STOP MICRO-HYBRID APPLICATIONS,启停式微混合动力应用,灯,电磁阀控制,ELECTRIC AND ELECTRO-HYDRAULIC POWER STEERING,超高性能功率开关,TRANSMISSION CONTROL,变速箱控制

N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

11 September 2012 - 数据手册该资料为Nexperia公司生产的BUK7E1R8-40E型号N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。产品采用SOT226封装，采用TrenchMOS技术，适用于高性能汽车应用，符合AEC Q101标准。

NEXPERIA - STANDARD LEVEL N-CHANNEL MOSFET,N沟道TRENCHMOS标准电平场效应晶体管,N-CHANNEL TRENCHMOS STANDARD LEVEL FET,标准电平N沟道MOSFET,BUK7E1R8-40E,马达,电动和电动液压动力转向,LAMPS,ULTRA HIGH PERFORMANCE POWER SWITCHING,12 V汽车系统,12 V AUTOMOTIVE SYSTEMS,MOTORS,SOLENOID CONTROL,START-STOP MICRO-HYBRID APPLICATIONS,启停式微混合动力应用,灯,电磁阀控制,ELECTRIC AND ELECTRO-HYDRAULIC POWER STEERING,超高性能功率开关,TRANSMISSION CONTROL,变速箱控制

N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

11 September 2012 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK7E13-60E N通道沟槽MOSFET的产品数据手册。该产品采用TrenchMOS技术，封装为SOT226，适用于高性能汽车应用，符合AEC Q101标准。产品特点包括AEC Q101合规、重复雪崩额定、适用于高温环境、标准级栅极、175°C时的VGS(th)大于1V等。应用领域包括12V汽车系统、电机、灯具和电磁阀控制、启动-停止微混合应用、传动控制、超高性能功率开关等。

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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

19 June 2015 - 数据手册 BUK7880-55A是一款采用Nexperia通用汽车（GPA）TrenchMOS技术的标准级N沟道增强型场效应晶体管（FET），适用于汽车关键应用。该产品符合AEC Q101标准，具有低导通损耗、适用于标准级栅极驱动源等特点。

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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

16 June 2010 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK78150-55A N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品是一款采用TrenchMOS技术的塑料封装标准级增强型场效应晶体管，适用于汽车关键应用。资料详细介绍了产品的特性、参数、应用领域和封装信息。

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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

5 October 2012 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK769R6-80E N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品采用TrenchMOS技术，封装于SOT404封装中，适用于高性能汽车应用，符合AEC Q101标准。

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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

13 July 2012 - 数据手册该资料为Nexperia公司生产的BUK768R3-60E N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品采用TrenchMOS技术，适用于高温环境，符合AEC Q101标准，适用于高性能汽车应用。

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28 July 2016 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK768R1-40E N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品采用TrenchMOS技术，封装于SOT404封装中，适用于高性能汽车应用，符合AEC Q101标准。

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5 October 2012 - 数据手册该资料为Nexperia公司生产的BUK768R1-100E N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。产品采用TrenchMOS技术，封装为SOT404，适用于高性能汽车应用，符合AEC Q101标准。

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25 August 2014 - 数据手册该资料为Nexperia公司生产的BUK7675-55A型号N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品采用TrenchMOS技术，适用于汽车关键应用，具有低导通损耗、适用于标准级栅极驱动源和高温环境等特点。

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31 July 2009 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK7675-100A N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品采用TrenchMOS技术，适用于汽车关键应用，具有低导通损耗、高可靠性等特点。

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28 July 2016 - 数据手册该资料为Nexperia公司生产的BUK766R0-60E型号N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品采用TrenchMOS技术，封装于SOT404封装中，适用于高性能汽车应用，符合AEC Q101标准。

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7 February 2011 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK7660-100A N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品采用TrenchMOS技术，适用于汽车关键应用，具有低导通损耗、适用于标准级栅极驱动源和高温环境等特点。

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28 July 2016 - 数据手册该资料为Nexperia公司生产的BUK765R3-40E N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品采用TrenchMOS技术，封装为SOT404，适用于高性能汽车应用，符合AEC Q101标准。

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22 November 2011 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK765R2-40B N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品是一款适用于汽车关键应用的增强型场效应晶体管，具有标准级栅极驱动源，适用于热需求较高的环境，可在175°C的温度下工作。

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28 July 2016 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK765R0-100E N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品采用TrenchMOS技术，封装于SOT404包装中，适用于高性能汽车应用，符合AEC Q101标准。

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28 July 2016 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK764R4-60E N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品采用TrenchMOS技术，封装于SOT404封装中，适用于高性能汽车应用，符合AEC Q101标准。

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5 October 2012 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK764R2-80E N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品采用TrenchMOS技术，封装为SOT404，适用于高性能汽车应用，符合AEC Q101标准。主要特点包括AEC Q101合规、重复雪崩额定、适用于高温环境、标准级栅极、高导通电阻等。

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26 April 2011 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK764R0-75C N沟道 trenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品采用先进的trenchMOS技术，适用于高性能汽车应用，符合AEC-Q101标准。主要特点包括：符合AEC-Q101标准、雪崩鲁棒性强、适用于标准级栅极驱动、适用于高温环境。

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22 April 2011 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK764R0-55B N沟道 trenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品采用Nexperia高性能汽车（HPA）trenchMOS技术，适用于汽车关键应用，符合AEC Q101标准。主要特点包括低导通电阻、适用于标准级栅极驱动源和高温环境。

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28 July 2016 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK764R0-40E N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品采用TrenchMOS技术，封装于SOT404封装中，适用于高性能汽车应用，符合AEC Q101标准。

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20 April 2011 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK7640-100A N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品是一款适用于汽车关键应用的塑料封装增强型场效应晶体管，采用TrenchMOS技术，具有低导通损耗和符合AEC Q101标准的特点。

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28 July 2016 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK763R9-60E N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品采用TrenchMOS技术，封装于SOT404封装中，适用于高性能汽车应用，符合AEC Q101标准。

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28 July 2016 - 数据手册该资料为Nexperia公司生产的BUK763R8-80E N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品采用TrenchMOS技术，封装为SOT404，适用于高性能汽车应用，符合AEC Q101标准。

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16 June 2010 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK763R6-40C N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品采用先进的TrenchMOS技术，适用于高性能汽车应用，符合AEC Q101标准。资料详细介绍了产品的特性、参数、应用领域和封装信息。

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21 April 2011 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK763R4-30B N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品是一款适用于汽车关键应用的增强型场效应晶体管，具有175°C的耐温特性，适用于12V负载、通用电源开关、汽车系统和电机、灯具及电磁阀等应用。

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28 July 2016 - 数据手册该资料为Nexperia公司生产的BUK763R1-60E N沟道沟槽MOSFET的产品数据手册。该产品采用TrenchMOS技术，封装为SOT404，适用于高性能汽车应用，符合AEC Q101标准。

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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

8 February 2011 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK763R1-40B N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品是一款适用于汽车关键应用的塑料封装增强型场效应晶体管，具有低导通损耗、适用于标准级栅极驱动源和高温环境等特点。

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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

27 January 2011 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK7635-55A N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品是一款适用于汽车关键应用的塑料封装增强型场效应晶体管，采用TrenchMOS技术。资料中详细介绍了产品的特性、应用、电气参数、热特性、封装信息等。

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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

18 February 2011 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK7635-100A N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品是一款适用于汽车关键应用的塑料封装增强型场效应晶体管，具有低导通损耗、适用于标准级栅极驱动源和高温环境等特点。

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5 October 2012 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK7631-100E N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据表。该产品采用TrenchMOS技术，封装于SOT404封装中，适用于高性能汽车应用，符合AEC Q101标准。

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28 July 2016 - 数据手册该资料为Nexperia公司生产的BUK762R9-40E N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品采用TrenchMOS技术，封装于SOT404封装中，适用于高性能汽车应用，符合AEC Q101标准。

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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

8 June 2010 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK762R7-30B N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品是一款适用于汽车关键应用的塑料封装增强型场效应晶体管，具有低导通损耗、175°C工作温度等特点，适用于12V负载、通用电源开关、汽车系统、电机、灯具和电磁阀等应用。

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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

28 July 2016 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK762R6-60E N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品采用TrenchMOS技术，封装于SOT404包装中，符合AEC Q101标准，适用于高性能汽车应用。

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28 July 2016 - 数据手册该资料为Nexperia公司生产的BUK762R6-40E N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。资料详细介绍了该产品的特性、应用、电气参数、封装信息以及法律信息。

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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

28 July 2016 - 数据手册该资料为Nexperia公司生产的BUK762R4-60E N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品采用TrenchMOS技术，封装于SOT404封装中，适用于高性能汽车应用，符合AEC Q101标准。

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28 July 2016 - 数据手册该资料为Nexperia公司生产的BUK762R0-40E N沟道沟槽MOSFET的产品数据表。该产品采用TrenchMOS技术，封装为SOT404，适用于高性能汽车应用，符合AEC Q101标准。

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20 August 2007 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK762R0-40C N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品采用Nexperia Ultra High-Performance Automotive (UHP) TrenchMOS技术，适用于汽车关键应用。产品特点包括低导通电阻、175°C工作温度、符合AEC标准等。应用领域包括12V负载、汽车系统、通用电源开关、电机、灯具、电磁阀等。

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26 April 2011 - 数据手册该资料为Nexperia公司生产的BUK7628-100A N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。手册详细介绍了该产品的特性、应用、电气参数、热特性、封装信息等，适用于汽车和通用电源开关应用。

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2 February 2011 - 数据手册 BUK7626-100B是一款采用TrenchMOS技术的标准级N沟道增强型场效应晶体管（FET），封装于塑料外壳中。该产品适用于汽车关键应用，符合AEC标准，具有低导通损耗、适用于高温环境等特点，适用于12V、24V和42V负载、通用电源开关、汽车系统、电机、灯具和电磁阀等应用。

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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

2 February 2011 - 数据手册该资料为Nexperia公司生产的BUK7623-75A N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。资料详细介绍了该产品的特性、应用领域、电气参数、热特性、封装信息等，适用于汽车和其他通用电源开关应用。

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16 June 2010 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK7620-55A N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品是一款适用于汽车关键应用的塑料封装增强型场效应晶体管，具有低导通损耗、175°C工作温度等特点，适用于12V和24V负载、电机、灯具和电磁阀等应用。

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2 February 2011 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK7620-100A N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品是一款适用于汽车关键应用的塑料封装增强型场效应晶体管，采用TrenchMOS技术。资料详细介绍了产品的特性、应用、电气参数、热特性、封装信息等。

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19 May 2016 - 数据手册该资料为Nexperia公司生产的BUK761R7-40E N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。主要介绍了该产品的技术规格、特性、应用领域、封装信息等，适用于高可靠性汽车应用。

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5 September 2013 - 数据手册该资料为Nexperia公司生产的BUK761R6-40E N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。产品采用SOT404A封装，适用于高性能汽车应用，符合AEC Q101标准。

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26 April 2011 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK7614-55A N沟道 trenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品是一款适用于汽车关键应用的增强型场效应晶体管，具有低导通损耗、AEC Q101合规等特点。

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27 December 2011 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK7613-75B N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品是一款适用于汽车关键应用的塑料封装增强型场效应晶体管，具有低导通损耗、175°C工作温度等特点，适用于12V、24V和42V负载、通用电源开关、汽车系统、电机、灯具和电磁阀等应用。

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28 July 2016 - 数据手册该资料为Nexperia公司生产的BUK7613-60E N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。产品采用TrenchMOS技术，封装为SOT404，适用于高性能汽车应用，符合AEC Q101标准。

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5 October 2012 - 数据手册该资料为Nexperia公司生产的BUK7613-100E N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品采用TrenchMOS技术，适用于高性能汽车应用，符合AEC Q101标准。资料详细介绍了产品的特性、应用、电气参数、热特性、封装信息以及法律信息。

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31 January 2011 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK7611-55B N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品是一款适用于汽车关键应用的塑料封装增强型场效应晶体管，具有低导通损耗、适用于标准级栅极驱动源和高温环境等特点。

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16 June 2010 - 数据手册该资料为Nexperia公司生产的BUK7611-55A N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。手册详细介绍了该产品的特性、参数、应用领域、封装信息等，适用于汽车和其他通用电源开关应用。

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9 January 2008 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK7610-55AL N通道沟槽MOS标准级FET的产品数据手册。该产品采用Nexperia通用汽车（GPA）沟槽MOS技术，专为线性操作优化，适用于汽车关键应用。产品符合AEC标准，具有175°C的额定温度，适用于12V和24V负载，适用于汽车系统、直流线性电机控制和重复钳位感应开关等应用。

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6 July 2012 - 数据手册该资料为Nexperia公司生产的BUK7610-100B N沟道 trenchMOS标准级FET的产品数据手册。产品采用TrenchMOS技术，适用于汽车关键应用，具有低导通损耗、175°C工作温度等特点，适用于12V、24V和42V负载、汽车系统、通用电源开关、电机、灯具和电磁阀等应用。

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18 February 2011 - 数据手册 BUK7609-75A是一款采用TrenchMOS技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），适用于汽车关键应用。该产品符合AEC Q101标准，具有低导通损耗、适用于标准级栅极驱动源和高温环境等特点。

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14 June 2010 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK7608-55A N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品是一款适用于汽车关键应用的塑料封装增强型场效应晶体管，具有低导通损耗、适用于标准级栅极驱动源和高温环境等特点。

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24 September 2008 - 数据手册 BUK7608-40B是一款采用TrenchMOS技术的N沟道增强型场效应晶体管，适用于汽车关键应用。该产品具有低导通损耗、适用于标准级栅极驱动源和高温环境等优点，适用于12V负载、通用电源开关、汽车系统和电机、灯具和电磁阀等应用。

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26 July 2011 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK7607-55B N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品是一款适用于汽车关键应用的塑料封装增强型场效应晶体管，具有低导通损耗、适用于标准级栅极驱动源和高温环境等特点。

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3 February 2011 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK7606-75B N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品是一款适用于汽车关键应用的塑料封装增强型场效应晶体管，具有低导通损耗、适用于标准级栅极驱动源和高温环境等优点。

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21 June 2010 - 数据手册该资料为Nexperia公司生产的BUK7606-55B型号N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。资料详细介绍了该产品的特性、参数、应用领域和封装信息，适用于汽车等关键应用。

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1 February 2011 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK7606-55A N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品是一款适用于汽车关键应用的增强型场效应晶体管，具有低导通电阻、低传导损耗等特点，适用于12V和24V负载、电机、灯具和电磁阀等应用。

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11 September 2012 - 数据手册该资料为Nexperia公司生产的BUK758R3-40E N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品采用TrenchMOS技术，封装于SOT78封装中，适用于高性能汽车应用，符合AEC Q101标准。

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11 September 2012 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK755R4-100E N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品采用TrenchMOS技术，封装为SOT78，适用于高性能汽车应用，符合AEC Q101标准。

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11 September 2012 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK753R8-80E N沟道 trenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品采用TrenchMOS技术，封装于SOT78封装中，适用于高性能汽车应用，符合AEC Q101标准。

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11 September 2012 - 数据手册该资料为Nexperia公司生产的BUK753R1-40E N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。产品采用TrenchMOS技术，封装为SOT78，适用于高性能汽车应用，符合AEC Q101标准。

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11 September 2012 - 数据手册该资料为Nexperia公司生产的BUK752R3-40E N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。产品采用TrenchMOS技术，封装于SOT78封装中，适用于高性能汽车应用，符合AEC Q101标准。

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11 September 2012 - 数据手册该资料为Nexperia公司生产的BUK751R8-40E N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。产品采用TrenchMOS技术，封装为SOT78，适用于高性能汽车应用，符合AEC Q101标准。

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2 February 2011 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK7509-55A N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品采用TrenchMOS技术，适用于汽车关键应用，具有低导通损耗、适用于标准级栅极驱动源和高温环境等特点。

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2 February 2011 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK7506-55A N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品采用TrenchMOS技术，适用于汽车关键应用，具有低导通损耗、适用于标准级栅极驱动源和高温环境等特点。

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12 June 2014 - 数据手册 BUK7277-55A是一款采用TrenchMOS技术的标准级N沟道增强型场效应晶体管（FET），封装于塑料封装中。该产品符合AEC标准，适用于汽车关键应用，具有低导通损耗、适用于标准级栅极驱动源和耐高温等特点。

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17 June 2010 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK7275-100A N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品采用TrenchMOS技术，适用于汽车关键应用，具有低导通损耗、175°C工作温度等特点，适用于12V、24V和42V负载、电机、灯具和电磁阀等应用场景。

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23 February 2011 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK7240-100A N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品采用TrenchMOS技术，适用于汽车关键应用，符合AEC Q101标准。主要特点包括低导通损耗、适用于标准级栅极驱动源和高温环境。

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9 July 2010 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK7237-55A N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品是一款适用于汽车关键应用的塑料封装标准级增强型场效应晶体管，采用TrenchMOS技术。资料详细介绍了产品的特性、参数、应用领域和封装信息。

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16 March 2010 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK7230-55A N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品是一款适用于汽车关键应用的塑料封装增强型场效应晶体管，具有低导通损耗、适用于标准级栅极驱动源和高温环境等特点。

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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

17 February 2011 - 数据手册该资料为Nexperia公司生产的BUK7227-100B N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。产品采用塑料封装，适用于汽车关键应用，具有低导通损耗、低导通电阻、耐高温等特点，适用于12V、24V和42V负载、通用电源开关、汽车系统、电机、灯具和电磁阀等应用领域。

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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

22 February 2008 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK7226-75A N沟道 trenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品采用Nexperia通用汽车（GPA）trenchMOS技术，适用于汽车关键应用，具有低导通电阻、175°C额定温度等特点，适用于12V、24V和42V负载、汽车系统、通用电源开关、电机、灯具和电磁阀等应用。

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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

23 February 2011 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK7225-55A N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品采用TrenchMOS技术，适用于汽车关键应用，符合AEC Q101标准。主要特点包括低导通损耗、适用于标准级栅极驱动源和高温环境。

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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

23 February 2011 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK7222-55A N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品是一款适用于汽车关键应用的塑料封装增强型场效应晶体管，具有低导通损耗、适用于标准级栅极驱动源和高温环境等特点。

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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

26 January 2011 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK72150-55A N通道沟槽MOS标准级FET的产品数据手册。该产品是一款适用于汽车关键应用的塑料封装增强型场效应晶体管，具有低导通电阻和175°C的耐温特性，适用于12V和24V负载、通用电源开关、汽车系统和电机、灯具和电磁阀等应用。

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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

27 January 2011 - 数据手册该资料为Nexperia公司生产的BUK7215-55A N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。资料详细介绍了该产品的特性、参数、应用领域、封装信息等，适用于汽车等关键应用。

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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

18 July 2013 - 数据手册该资料为Nexperia公司生产的BUK7214-75B N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。资料详细介绍了该产品的特性、应用、电气参数、封装信息以及法律信息等。

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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

23 February 2011 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK7212-55B N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品采用TrenchMOS技术，适用于汽车关键应用，符合AEC Q101标准。主要特点包括低导通损耗、适用于标准级栅极驱动源和高温环境。

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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

11 December 2008 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK7210-55B N沟道 trenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品采用Nexperia高性能汽车（HPA）trenchMOS技术，适用于汽车关键应用，具有标准级兼容性、低导通电阻、耐高温等特点。

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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

7 June 2010 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK7208-40B N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品是一款采用TrenchMOS技术的塑料封装增强型场效应晶体管，适用于汽车关键应用。主要特点包括低导通损耗、适用于标准级栅极驱动源和高温环境。

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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

8 July 2010 - 数据手册

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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

3 February 2009 - 数据手册

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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

12 March 2009 - 数据手册

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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

22 March 2010 - 数据手册

NEXPERIA - 标准电平N沟道增强型场效应晶体管,N沟道TRENCHMOS标准电平场效应晶体管,N-CHANNEL TRENCHMOS STANDARD LEVEL FET,STANDARD LEVEL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD-EFFECT TRANSISTOR,PHP28NQ15T,开关模式电源,CLASS-D AUDIO AMPLIFIERS,计算,DC-TO-DC CONVERTORS,直流-交流逆变器,COMPUTING,COMMUNICATIONS,INDUSTRIAL,DC-TO-AC INVERTERS,通信,消费,D类音频放大器,CONSUMER,SWITCHED-MODE POWER SUPPLIES,工业,直流-直流转换器

N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

4 March 2010 - 数据手册

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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

25 February 2010 - 数据手册

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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

16 December 2010 - 数据手册

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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

10 March 2010 - 数据手册

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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

16 December 2010 - 数据手册

NEXPERIA - 标准电平N沟道增强型场效应晶体管,N沟道TRENCHMOS标准电平场效应晶体管,N-CHANNEL TRENCHMOS STANDARD LEVEL FET,STANDARD LEVEL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD-EFFECT TRANSISTOR,PHP18NQ10T,DC-TO-DC CONVERTERS,COMPUTING,COMMUNICATIONS,INDUSTRIAL,开关模式电源,通信,计算,DC-DC转换器,消费,CONSUMER,SWITCHED-MODE POWER SUPPLIES,工业

N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

16 December 2010 - 数据手册

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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

25 February 2010 - 数据手册

NEXPERIA - 标准电平N沟道增强型场效应晶体管,N沟道TRENCHMOS标准电平场效应晶体管,N-CHANNEL TRENCHMOS STANDARD LEVEL FET,STANDARD LEVEL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD-EFFECT TRANSISTOR,PHB47NQ10T,COMPUTING,COMMUNICATIONS,INDUSTRIAL,开关模式电源,通信,计算,DC-TO-DC CONVERTORS,消费,CONSUMER,SWITCHED-MODE POWER SUPPLIES,工业,直流-直流转换器

N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

2 February 2009 - 数据手册

NEXPERIA - 标准电平N沟道增强型场效应晶体管,N沟道TRENCHMOS标准电平场效应晶体管,N-CHANNEL TRENCHMOS STANDARD LEVEL FET,STANDARD LEVEL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD-EFFECT TRANSISTOR,PHB45NQ15T,DC-TO-DC CONVERTERS,COMPUTING,COMMUNICATIONS,INDUSTRIAL,AC-DC副边整流,AC-TO-DC SECONDARY SIDE RECTIFICATION,通信,计算,DC-DC转换器,消费,CONSUMER,工业

N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

8 July 2010 - 数据手册

NEXPERIA - 标准电平N沟道增强型场效应晶体管,N沟道TRENCHMOS标准电平场效应晶体管,N-CHANNEL TRENCHMOS STANDARD LEVEL FET,STANDARD LEVEL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD-EFFECT TRANSISTOR,PHB45NQ10T,COMPUTING,COMMUNICATIONS,INDUSTRIAL,开关模式电源,通信,计算,DC-TO-DC CONVERTORS,消费,CONSUMER,SWITCHED-MODE POWER SUPPLIES,工业,直流-直流转换器

N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

3 February 2009 - 数据手册

NEXPERIA - 标准电平N沟道增强型场效应晶体管,N沟道TRENCHMOS标准电平场效应晶体管,N-CHANNEL TRENCHMOS STANDARD LEVEL FET,STANDARD LEVEL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD-EFFECT TRANSISTOR,PHB33NQ20T,COMPUTING,COMMUNICATIONS,INDUSTRIAL,DC-DC原边开关,DC-TO-DC PRIMARY SIDE SWITCHING,通信,计算,消费,CONSUMER,工业

N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

13 October 2009 - 数据手册

NEXPERIA - 标准电平N沟道增强型场效应晶体管,N沟道TRENCHMOS标准电平场效应晶体管,N-CHANNEL TRENCHMOS STANDARD LEVEL FET,STANDARD LEVEL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD-EFFECT TRANSISTOR,PHB29N08T,COMPUTING,COMMUNICATIONS,INDUSTRIAL,工业电动机控制,通信,计算,INDUSTRIAL MOTOR CONTROL,消费,CONSUMER,工业

N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

17 December 2010 - 数据手册

NEXPERIA - 标准电平N沟道增强型场效应晶体管,N沟道TRENCHMOS标准电平场效应晶体管,N-CHANNEL TRENCHMOS STANDARD LEVEL FET,STANDARD LEVEL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD-EFFECT TRANSISTOR,PHB27NQ10T,DC-TO-DC CONVERTERS,COMPUTING,COMMUNICATIONS,INDUSTRIAL,开关模式电源,通信,计算,DC-DC转换器,消费,CONSUMER,SWITCHED-MODE POWER SUPPLIES,工业

N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

17 December 2010 - 数据手册

NEXPERIA - 标准电平N沟道增强型场效应晶体管,N沟道TRENCHMOS标准电平场效应晶体管,N-CHANNEL TRENCHMOS STANDARD LEVEL FET,STANDARD LEVEL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD-EFFECT TRANSISTOR,PHB18NQ10T,DC-TO-DC CONVERTERS,COMPUTING,COMMUNICATIONS,INDUSTRIAL,开关模式电源,通信,计算,DC-DC转换器,消费,CONSUMER,SWITCHED-MODE POWER SUPPLIES,工业

N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

12 October 2009 - 数据手册 PHB110NQ08T是一款采用TrenchMOS技术的标准级N沟道增强型场效应晶体管（FET），封装于塑料封装中。该产品适用于计算、通信、消费和工业应用，具有低导通损耗、适用于标准级栅极驱动源等特点。

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N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

2 February 2009 - 数据手册

NEXPERIA - 标准电平N沟道增强型场效应晶体管,N沟道TRENCHMOS标准电平场效应晶体管,N-CHANNEL TRENCHMOS STANDARD LEVEL FET,STANDARD LEVEL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD-EFFECT TRANSISTOR,PH20100S,COMPUTING,COMMUNICATIONS,INDUSTRIAL,开关模式电源,通信,计算,DC-TO-DC CONVERTORS,消费,CONSUMER,SWITCHED-MODE POWER SUPPLIES,工业,直流-直流转换器

N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

27 November 2009 - 数据手册

NEXPERIA - 标准电平N沟道增强型场效应晶体管,N沟道TRENCHMOS标准电平场效应晶体管,N-CHANNEL TRENCHMOS STANDARD LEVEL FET,STANDARD LEVEL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD-EFFECT TRANSISTOR,PHP20N06T,COMPUTING,COMMUNICATIONS,INDUSTRIAL,开关模式电源,通信,计算,DC-TO-DC CONVERTORS,消费,CONSUMER,SWITCHED-MODE POWER SUPPLIES,工业,直流-直流转换器

N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

1 December 2009 - 数据手册

NEXPERIA - 标准电平N沟道增强型场效应晶体管,N沟道TRENCHMOS标准电平场效应晶体管,N-CHANNEL TRENCHMOS STANDARD LEVEL FET,STANDARD LEVEL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD-EFFECT TRANSISTOR,PHD20N06T,通用开关,开关模式电源,计算,DC-TO-DC CONVERTORS,COMPUTING,COMMUNICATIONS,INDUSTRIAL,通信,GENERAL PURPOSE SWITCHING,消费,CONSUMER,SWITCHED-MODE POWER SUPPLIES,工业,直流-直流转换器

N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

25 November 2009 - 数据手册

NEXPERIA - 标准电平N沟道增强型场效应晶体管,N沟道TRENCHMOS标准电平场效应晶体管,N-CHANNEL TRENCHMOS STANDARD LEVEL FET,STANDARD LEVEL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD-EFFECT TRANSISTOR,PHB20N06T,COMPUTING,COMMUNICATIONS,INDUSTRIAL,开关模式电源,通信,计算,DC-TO-DC CONVERTORS,消费,CONSUMER,SWITCHED-MODE POWER SUPPLIES,工业,直流-直流转换器

PMZ1000UN N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

17 September 2010 - 数据手册本资料为Nexperia公司（前身为NXP Standard Product）的产品数据表，介绍了N-channel TrenchMOS标准级FET（PMZ1000UN）的特性和应用。该产品是一款采用TrenchMOS技术的N沟道增强型场效应晶体管，适用于计算、通信、消费和工业应用。

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国产替代

BUK7540-100A N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

20 April 2011 - 数据手册本资料为Nexperia公司（原NXP Standard Product业务）生产的BUK7540-100A N-通道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品是一款适用于汽车和通用电源开关的增强型场效应晶体管，采用TrenchMOS技术，符合AEC标准，适用于汽车关键应用。

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国产替代

BUK7E2R7-30B N沟道TrenchMOS标准电平FET

7 June 2010 - 数据手册本资料为NXP Semiconductors公司生产的BUK7E2R7-30B型号N通道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品是一款采用TrenchMOS技术的塑料封装增强型场效应晶体管，适用于汽车关键应用。资料详细介绍了产品的特性、应用、电气参数、热特性、封装信息等。

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BUK7E4R3-75C N沟道TrenchMOS标准电平FET

19 April 2011 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK7E4R3-75C型号N通道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品是一款适用于汽车、工业、计算、消费和可穿戴应用市场的标准级增强型场效应晶体管，具有175°C的工作温度范围，适用于热负荷环境。

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BUK7E07-55B N沟道TrenchMOS标准电平FET

29 January 2008 - 数据手册本资料为NXP Semiconductors公司生产的BUK7E07-55B N-channel TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。资料详细介绍了该产品的特性、引脚信息、订购信息、极限值、热特性、特性参数、封装信息和修订历史等。

NEXPERIA - N沟道TRENCHMOS标准电平场效应晶体管,N-CHANNEL TRENCHMOS STANDARD LEVEL FET,BUK7E07-55B,汽车关键应用

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国产替代

BUK7513-75B N沟道TrenchMOS标准电平FET

25 November 2010 - 数据手册本资料为NXP Semiconductors公司生产的BUK7513-75B型号N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品是一款适用于汽车关键应用的塑料封装增强型场效应晶体管，具有低导通损耗、符合Q101标准、适用于标准级栅极驱动源和高温环境等特点。资料详细介绍了产品的特性、应用领域、引脚信息、订购信息、极限值、热特性、特性参数、封装信息和修订历史等内容。

NEXPERIA - N沟道TRENCHMOS标准级FET,BUK7513-75B,电磁阀,12V,灯具,汽车系统,通用电源开关,电机,24V和42V负载,12伏

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BUK7618-55 N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

26 April 2011 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK7618-55型号N沟道TrenchMOS标准级FET的产品数据手册。该产品采用TrenchMOS技术，适用于汽车关键应用，符合AEC Q101标准。主要特点包括低导通损耗、集成保护二极管、静电抗扰性等。

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PML260SN N沟道TrenchMOS标准电平场效应晶体管

29 May 2006 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的PML260SN型号N通道沟槽MOS标准级FET的产品数据手册。资料详细介绍了该产品的特性、应用、电气参数、热特性、封装信息以及修订历史等。

NEXPERIA - 标准电平N沟道增强型场效应晶体管,N沟道TRENCHMOS标准电平场效应晶体管,N-CHANNEL TRENCHMOS STANDARD LEVEL FET,STANDARD LEVEL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD-EFFECT TRANSISTOR,PML260SN,PORTABLE APPLIANCES,DC-TO-DC CONVERTERS,一次侧切换,便携式电器,PRIMARY SIDE SWITCHING,DC-DC转换器

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BUK754R3-40B N沟道TrenchMOS标准电平FET

21 February 2011 - 数据手册本资料为Nexperia公司（原NXP Standard Product业务）的产品数据手册，介绍了Nexperia的N-通道TrenchMOS标准级FET产品BUK754R3-40B。该产品适用于汽车、工业、计算、消费和可穿戴应用市场，具有低导通损耗、适用于标准级栅极驱动源和高温环境等特点。

NEXPERIA - 标准电平N沟道增强型场效应晶体管,N沟道TRENCHMOS标准电平场效应晶体管,N-CHANNEL TRENCHMOS STANDARD LEVEL FET,STANDARD LEVEL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD-EFFECT TRANSISTOR,BUK754R3-40B,螺线管,马达,LAMPS,汽车系统,通用电源开关,GENERAL PURPOSE POWER SWITCHING,MOTORS,12 V负载,AUTOMOTIVE SYSTEMS,12 V LOADS,SOLENOIDS,灯

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华润微电子N+P MOS选型表

选型表 - 华润微电子华润微电子提供N+P沟道MOSFET选型表。涵盖CRM及CRMD系列器件，耐压±30V至±100V，电流±4A至±28A。提供VGS=10V及5V条件下的导通电阻、阈值电压、栅极电荷与输入电容等核心参数。适用于需精确控制导通损耗与开关速度的电路设计场景。

Typ RDS(ON)@VGS=10V(mΩ)

Max RDS(ON)@VGS=10V(mΩ)

Typ RDS(ON)@VGS=4.5V(mΩ)

Max RDS(ON)@VGS=4.5V(mΩ)

立即选型

代理服务

技术支持采购服务

华润微电子N+N MOS选型表

选型表 - 华润微电子华润微电子提供N+N沟道MOSFET器件选型，涵盖CRMM9926、CRMV0318D、CRME0402D、CRMD0041S等型号。核心参数：VDS 20V–100V，ID 4A–48A，RDS(ON)@VGS=10V典型值7.2mΩ–86.4mΩ，VGS(TH)最小0.4V–1.5V、最大1V–3V，Qg 7.2nC–62.5nC，Ciss 318pF–2350pF。产品覆盖低压小功率至高压大电流场景，高耐压型号RDS(ON)和Qg偏高，大电流型号如CRMD0041S（48A）RDS(ON)仅12mΩ typ但Ciss达1726pF。适用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换等，用户可按耐压、电流、效率、开关速度筛选最优型号。

产品型号	品类	Polarity	VDS(V)	ID(A)	Typ RDS(ON)@VGS=4.5V(mΩ)	Max RDS(ON)@VGS=4.5V(mΩ)	Min VGS(TH) (V)	Max VGS(TH) (V)	Qg(nC)	Ciss(pF)
CRMM9926	N+N沟道MOSFET	N+N	20	7	25	30	0.4	1	7.2	361

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中微爱芯点阵型LCD显示驱动芯片选型表

选型表 - 中微爱芯中微爱芯提供全系列点阵型LCD显示驱动芯片选型。‌核心可选参数‌：Segment数覆盖40~96，Common数最高达64，供电电压VDD覆盖2.4V~7.0V，VDD-VEE可调区间达3.0V~28.0V，接口包含串行、并行、SPI、I²C等多规格，内置字库覆盖简/繁体中文、日韩、欧俄多语种，Duty和Bias支持多档位自定义配置，全系工作温度覆盖-20℃~+85℃。‌可选封装‌：包含DIE、QFP64/80/100、LQFP80/100等多类，适配各类点阵LCD显示终端的选型需求。

产品型号	品类	Segment	Supply Voltage	Matching model	Bias	Operating Temperature Range	Package
AiP31021	LCD显示驱动	96	2.7V~5.5V	AiP31020	1/5	-40℃~+85℃	DIE