MASW-003100 HMIC™ SP3T Silicon PIN Diode Switch Die
发布时间：
2022-05-12
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
MACOM
型号：
MASW-003100; MASW-003100-11920G; MASW-003100-11920W; MASW-003100-1192
本数据手册详细介绍了MACOM公司推出的MASW-003100 HMIC™ SP3T硅PIN二极管开关芯片。该器件采用专有的HMIC™工艺制造，具备宽频带、低插入损耗及高隔离度等优异特性。其工作频率范围覆盖50 MHz至26.5 GHz，能够处理最高33 dBm的连续波功率，并提供最高42 dB的隔离度。产品采用玻璃封装的单片全封装形式，符合RoHS环保标准，并支持Gel Pack或Waffle Pack等多种封装配置。凭借其卓越的射频性能，该芯片广泛应用于航空航天、国防以及ISM（工业、科学和医疗）等领域的调制解调器、滤波器及开关设备中。MACOM在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该器件，用户可通过平台获取原厂授权的正品保障，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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加工定制
可定制连接器的间距范围1.25mm~4.5mm、单列/双列列数、焊尾/表面贴装/浮动式等安装方式、镀层、针数等参数，插拔寿命达100万次以上。
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可定制连接器单PIN电流最大不超过10A；环境温度：-45度~+125度；寿命/拔插次数：不超过5000次。
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资料平台
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MASW-003100 HMIC™SP3T硅PIN二极管开关芯片
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MASW-003100 HMIC™SP3T硅PIN二极管开关芯片
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MASW-000834-000SMB样本板应用MASW-000834-13560T T/R开关样本板操作说明
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无阻塞电容器的MASWSS0167（观察低频性能）
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MASWCC0009 GaAs SP4T开关，吸收式DC-3.0 GHz
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MACOM的AlGaAs引脚开关产品
2017/11/16
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MASW-000932 HMIC™PIN二极管单刀双掷80 W开关，适用于0.01-6.0 GHz高功率应用
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MASW-007587高功率GaAs DPDT分集开关DC-4.0 GHz
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MASW-009588 GaAs SP2T开关DC-4.0 GHz
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MASWSS0202 GaAs宽带单刀双掷开关DC-6.0 GHz
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MASW-000822 HMIC™PIN二极管SP2T 10 W开关，适用于0.05-6.0 GHz高功率应用
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MASWSS0161高功率GaAs单刀双掷开关DC-2.0 GHz
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MASWSS0178单刀双掷高隔离端接开关0.01-3.0 GHz
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MASW-000822-1277OT HMICTMPIN二极管SP2T 10瓦开关，适用于0.05-6.0 GHz更高功率应用
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MASW-009444 GaAs SP2T 1.8 V开关DC-6.0 GHz
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MASW-000932 HMICTMPIN 80瓦单刀双掷二极管开关，适用于0.01-6.0 GHz更高功率应用
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MASW-000825 HMIC™PIN二极管SP2T 20 W开关，适用于0.05-6.0 GHz高功率应用
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MASW-007221 GaAs单刀双掷开关DC-3.0 GHz
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MASWSS0192 GaAs单刀双掷开关DC-3.0 GHz
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MASWSS0157 GaAs单刀双掷开关DC-2.5 GHz
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应用/方案
应用说明S2079砷化镓场效应晶体管开关和数字衰减器驱动器
本应用笔记介绍了如何使用驱动器控制M/A-COM Technology Solutions的GaAs FET开关和数字衰减器。内容涵盖GaAs FET开关和数字衰减器的工作原理、电路拓扑、驱动方式以及相关驱动器IC的应用。此外，还讨论了不同驱动器IC的性能特点、设计注意事项以及与开关和衰减器的配合使用。
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MASW-000834-000SMB样本板应用MASW-000834-13560T T/R开关样本板操作说明
本资料为M/A-COM公司关于MASW-000834-13560T T/R开关的样本板操作指南。指南详细介绍了如何使用MASW-000834-13560T与M/A-COM提供的样本板结合使用，包括单正电源和可选的双极性电源的操作。资料中涵盖了开关的电气/热图、样本板的构造、偏置网络、组件选择以及不同偏置方案下的性能参数。
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GaAs场效应管开关驱动器和数字衰减器应用说明
本应用笔记介绍了如何使用驱动器控制M/A-COM Technology Solutions的GaAs FET开关和数字衰减器。内容涵盖GaAs FET开关和数字衰减器的工作原理、电路拓扑、驱动方式以及相关驱动器的选择和应用。此外，还讨论了不同驱动器的性能参数和设计注意事项，以实现最佳RF线性、快速切换速度、低功耗和小型板尺寸。
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本文介绍了使用GaAs MMIC开关芯片实现高隔离的技术。主要内容包括：1. 芯片安装技术，如直接将芯片底部安装在接地平面上，使用短连接线连接接地焊盘和接地平面；2. 通过降低接地焊盘与接地平面之间的电感来提高隔离度；3. 减少寄生效应，如接地路径电感和射频路径间的串扰。文章还提到了M/A-COM公司采用的技术和产品信息。
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本资料为M/A-COM公司关于MASW-000834-13560T T/R开关的样品板操作指南。指南详细介绍了如何使用单正电源和其他可选的双极性电源来操作T/R开关。资料中包含了MASW-000834-13560T开关的详细技术参数、样品板的组装图、电路图以及不同偏置方案下的性能分析。
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GaAs微波单片集成电路开关an3007esd/EOS保护应用说明
本应用笔记（AN3007）探讨了如何通过简单的两元件电路为GaAs MMIC开关提供8KV接触放电和15KV空气放电的ESD/EOS保护。文中介绍了电路组件，包括一个电感和一个Inpaq ESD保护器件，并展示了电路在不同位置和方向的实施情况。通过实验验证了该电路的有效性，并推荐了在传输线上并接电感和Inpaq EGA1器件以实现ESD/EOS保护。
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