NCE30H10G N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
发布时间:
2022-06-21
类型:
数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
NCE(新洁能)
型号:
NCE30H10G
本数据手册详细介绍了NCE30H10G型号的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的槽技术设计,具备高密度单元结构,能够提供优异的导通电阻(RDS(ON))和极低的栅极电荷。其关键特性包括极低的导通电阻、良好的稳定性与均匀性以及高雪崩能量(EAS),且工作温度范围宽广,覆盖-55至150°C,并采用无铅镀层以满足环保要求。凭借这些技术优势,该MOSFET被广泛应用于直流/直流转换器、高频开关以及同步整流等场景。NCE在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该器件,用户可通过平台获取原厂授权的正品保障,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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NCE官方授权代理:世强先进(深圳)科技股份有限公司
世强先进(深圳)科技股份有限公司是NCE的官方授权代理,是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业,世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台,平台不仅提供NCE的正品现货、透明报价与稳定交期,还整合原厂技术资源,联合双方FAE团队,为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务,助力研发高效落地,保障供应链安全可靠。
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中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能(NCEPOWER)
新洁能(NCEPOWER)专注于MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售,主营产品包括:车规级功率器件、中低高压MOSFET、IGBT单管、功率模块、驱动IC等,是国内最早在12英寸工艺平台实现沟槽型功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET量产的企业。
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现货平台 / NCE 授权代理店
| 订货型号 | NCE30H10G | 品牌 | NCE |
| 型号系列 | NCE30H10G | 品类 | MOSFET, Power MOSFET |
| 描述/说明 | NCE30H10G,封装:DFN5X6-8L,V(BR)DSS(V):30,ID(A):100,PD(W):65 | 封装/外壳/尺寸 | DFN5X6-8L |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| ESD | NO | V(BR)DSS (V) | 30 |
| ID (A) | 100 | PD (W) | 65 |
| VGS (V) | ±20 | VTH(V)Typ | 1.7 |
| RDS(on) (mΩ)@VGS=10V Typ | 1.9 | RDS(on) (mΩ)@VGS=10V Max | 2.5 |
| RDS(on) (mΩ)@VGS=4.5V Typ | 2.9 | RDS(on) (mΩ)@VGS=4.5V Max | 3.5 |
| Configuration | Single | ||
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
库存:
0
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| 订货型号 | NCE0103M | 品牌 | NCE |
| 型号系列 | NCE0103M | 品类 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| 描述/说明 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET,工业级,BVDSS(V):100,ID(A):3 | 封装/外壳/尺寸 | SOT-89 |
| 最小包装量 | 1,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 车规级/工业级 | 工业级 | Technology | Trench |
| Polarity | N | BVDSS(V) | 100 |
| ID(A) | 3 | VTH(V) | 1.1 |
| RDS(ON)@10V Typ(mΩ) | 137 | RDS(ON)@10V Max(mΩ) | 170 |
| RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) | 140 | RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) | 175 |
| VGS(th)(V) | ±12 | CISS(pF) | 650 |
| QG(nC) | 20 | PD(W) | 1.5 |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥0.5600
库存:
100
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| 订货型号 | NCE0110AS | 品牌 | NCE |
| 型号系列 | NCE0110AS | 品类 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| 描述/说明 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET,工业级,BVDSS(V):100,ID(A):10 | 封装/外壳/尺寸 | SOP-8 |
| 最小包装量 | 4,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 车规级/工业级 | 工业级 | Technology | Trench |
| Polarity | N | BVDSS(V) | 100 |
| ID(A) | 10 | VTH(V) | 1.1 |
| RDS(ON)@10V Typ(mΩ) | 14 | RDS(ON)@10V Max(mΩ) | 17 |
| RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) | 18 | RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) | 26 |
| VGS(th)(V) | ±20 | CISS(pF) | 3835 |
| QG(nC) | 90 | PD(W) | 3.1 |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥1.5470
库存:
100
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| 订货型号 | NCE2060K | 品牌 | NCE |
| 型号系列 | NCE2060K | 品类 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| 描述/说明 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET,工业级,BVDSS(V):20,ID(A):60 | 封装/外壳/尺寸 | TO-252 |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 车规级/工业级 | 工业级 | Technology | Trench |
| Polarity | N | BVDSS(V) | 20 |
| ID(A) | 60 | VTH(V) | 0.8 |
| RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) | 4.8 | RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) | 6 |
| RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) | 6.2 | RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) | 9 |
| VGS(th)(V) | ±12 | CISS(pF) | 2800 |
| QG(nC) | 35 | PD(W) | 60 |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥0.5200
库存:
100
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| 订货型号 | NCE6025Q | 品牌 | NCE |
| 型号系列 | NCE6025Q | 品类 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| 描述/说明 | The NCE6025Q uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. | 封装/外壳/尺寸 | DFN3.3X3.3-8L |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 车规级/工业级 | 工业级 | Technology | Trench |
| Polarity | N | BVDSS(V) | 60 |
| ID(A) | 25 | VTH(V) | 1.6 |
| RDS(ON)@10VTyp(mΩ) | 12 | RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) | 16 |
| QG(nC) | 39 | PD(W) | 35 |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥0.6270
库存:
80
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| 订货型号 | NCE6045G | 品牌 | NCE |
| 型号系列 | NCE6045G | 品类 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| 描述/说明 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET,工业级,BVDSS(V):60,ID(A):45 | 封装/外壳/尺寸 | DFN5*6 |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 车规级/工业级 | 工业级 | Technology | Trench |
| Polarity | N | BVDSS(V) | 60 |
| ID(A) | 45 | VTH(V) | 1.8 |
| RDS(ON)@10V Typ(mΩ) | 10 | RDS(ON)@10V Max(mΩ) | 13 |
| RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) | 13 | RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) | 18 |
| VGS(th)(V) | ±20 | CISS(pF) | 2180 |
| QG(nC) | 58 | PD(W) | 60 |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥0.9870
库存:
60
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| 订货型号 | NCE8295AK | 品牌 | NCE |
| 型号系列 | NCE8295AK | 品类 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| 描述/说明 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET,工业级,BVDSS(V):82,ID(A):67 | 封装/外壳/尺寸 | TO-252-2L |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 车规级/工业级 | 工业级 | Technology | Trench |
| Polarity | N | BVDSS(V) | 82 |
| ID(A) | 67 | VGS(th)(V) | ±20 |
| CISS(pF) | 6800 | QG(nC) | 109.3 |
| PD(W) | 170 | ||
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥1.3870
库存:
20
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| 订货型号 | NCE1540AD | 品牌 | NCE |
| 型号系列 | NCE1540AD | 品类 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| 描述/说明 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET,工业级,BVDSS(V):150,ID(A):40 | 封装/外壳/尺寸 | TO-263 |
| 最小包装量 | 800 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 车规级/工业级 | 工业级 | Technology | Trench |
| Polarity | N | BVDSS(V) | 150 |
| ID(A) | 40 | VTH(V) | 1.05 |
| RDS(ON)@10V Typ(mΩ) | 35 | RDS(ON)@10V Max(mΩ) | 45 |
| RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) | 36 | RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) | 48 |
| VGS(th)(V) | ±12 | CISS(pF) | 4200 |
| QG(nC) | 105 | PD(W) | 140 |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥2.3870
库存:
11
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| 订货型号 | NCE6045XAG | 品牌 | NCE |
| 型号系列 | NCE6045XAG | 品类 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| 描述/说明 | The NCE6045XAG uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. | 封装/外壳/尺寸 | DFN5X6-8L |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 车规级/工业级 | 工业级 | Technology | Trench |
| Polarity | N | BVDSS(V) | 60 |
| ID(A) | 45 | VTH(V) | 3 |
| RDS(ON)@10V Typ(mΩ) | 8 | QG(nC) | 90 |
| PD(W) | 60 | ||
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥0.9870
库存:
10
世强硬创平台提供NCE6045XAG在线购买服务,支持单件起订、小批量试产,库存充足,交期透明。下单后自动进入标准化交付流程,物流全程可追踪,适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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NCE6045XAG 交期查询 >>
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| 订货型号 | NCE6045XG | 品牌 | NCE |
| 型号系列 | NCE6045XG | 品类 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| 描述/说明 | The NCE6045XG uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. | 封装/外壳/尺寸 | DFN5X6-8L |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 车规级/工业级 | 工业级 | Technology | Trench |
| Polarity | N | BVDSS(V) | 60 |
| ID(A) | 45 | VTH(V) | 1.8 |
| RDS(ON)@10V Typ(mΩ) | 7.4 | RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) | 11.4 |
| QG(nC) | 60 | PD(W) | 60 |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥0.9870
库存:
7
世强硬创平台提供NCE6045XG在线购买服务,支持单件起订、小批量试产,库存充足,交期透明。下单后自动进入标准化交付流程,物流全程可追踪,适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
NCE6045XG 在线购买 >>
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技术支持/研发服务
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企业采购服务
世强硬创平台授权代理商提供NCE快速样品申请、批量订购、精准询价及交期确认等一站式采购服务,保障正品供应、响应高效,助力研发与生产无缝衔接。
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加工定制
世强深圳实验室提供Robei EDA软件免费使用服务,与VCS、NC-Verilog、Modelsim等EDA工具无缝衔接,将IC设计高度抽象化,并精简到三个基本元素:模块、引脚、连接线,自动生成代码。点击预约,支持到场/视频直播使用,资深专家全程指导。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
NCE30H10G NCE N沟道增强型功率MOSFET
v1.0
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| 数据手册 - 英文 |
NCE30H10 NCE N沟道增强型功率MOSFET
v1.0
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| 数据手册 - 英文 |
NCE30H10AK N沟道增强型功率MOSFET
V1.0
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| 数据手册 - 英文 |
NCE30H10K NCE N沟道增强型功率MOSFET
v1.1
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| 数据手册 - 英文 |
NCE3406N N沟道增强型功率MOSFET
v2.0
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| 技术文档 - 英文 |
NCE01H13 N沟道增强型功率MOSFET
V2.0
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