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NCE30H10G N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
发布时间: 2022-06-21
类型: 数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
NCE(新洁能)
型号:
NCE30H10G
本数据手册详细介绍了NCE30H10G型号的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的槽技术设计,具备高密度单元结构,能够提供优异的导通电阻(RDS(ON))和极低的栅极电荷。其关键特性包括极低的导通电阻、良好的稳定性与均匀性以及高雪崩能量(EAS),且工作温度范围宽广,覆盖-55至150°C,并采用无铅镀层以满足环保要求。凭借这些技术优势,该MOSFET被广泛应用于直流/直流转换器、高频开关以及同步整流等场景。NCE在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该器件,用户可通过平台获取原厂授权的正品保障,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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NCE官方授权代理:世强先进(深圳)科技股份有限公司
世强先进(深圳)科技股份有限公司是NCE的官方授权代理,是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业,世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台,平台不仅提供NCE的正品现货、透明报价与稳定交期,还整合原厂技术资源,联合双方FAE团队,为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务,助力研发高效落地,保障供应链安全可靠。
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中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能(NCEPOWER)
新洁能(NCEPOWER)专注于MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售,主营产品包括:车规级功率器件、中低高压MOSFET、IGBT单管、功率模块、驱动IC等,是国内最早在12英寸工艺平台实现沟槽型功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET量产的企业。
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现货平台 / NCE 授权代理店
订货型号 NCE30H10G 品牌 NCE
型号系列 NCE30H10G 品类 MOSFET, Power MOSFET
描述/说明 NCE30H10G,封装:DFN5X6-8L,V(BR)DSS(V):30,ID(A):100,PD(W):65 封装/外壳/尺寸 DFN5X6-8L
最小包装量 1 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
ESD NO V(BR)DSS (V) 30
ID (A) 100 PD (W) 65
VGS (V) ±20 VTH(V)Typ 1.7
RDS(on) (mΩ)@VGS=10V Typ 1.9 RDS(on) (mΩ)@VGS=10V Max 2.5
RDS(on) (mΩ)@VGS=4.5V Typ 2.9 RDS(on) (mΩ)@VGS=4.5V Max 3.5
Configuration Single
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
库存:
0
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订货型号 NCE0103M 品牌 NCE
型号系列 NCE0103M 品类 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
描述/说明 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET,工业级,BVDSS(V):100,ID(A):3 封装/外壳/尺寸 SOT-89
最小包装量 1,000 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
车规级/工业级 工业级 Technology Trench
Polarity N BVDSS(V) 100
ID(A) 3 VTH(V) 1.1
RDS(ON)@10V Typ(mΩ) 137 RDS(ON)@10V Max(mΩ) 170
RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 140 RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 175
VGS(th)(V) ±12 CISS(pF) 650
QG(nC) 20 PD(W) 1.5
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥0.5600
库存:
100
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订货型号 NCE0110AS 品牌 NCE
型号系列 NCE0110AS 品类 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
描述/说明 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET,工业级,BVDSS(V):100,ID(A):10 封装/外壳/尺寸 SOP-8
最小包装量 4,000 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
车规级/工业级 工业级 Technology Trench
Polarity N BVDSS(V) 100
ID(A) 10 VTH(V) 1.1
RDS(ON)@10V Typ(mΩ) 14 RDS(ON)@10V Max(mΩ) 17
RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 18 RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 26
VGS(th)(V) ±20 CISS(pF) 3835
QG(nC) 90 PD(W) 3.1
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥1.5470
库存:
100
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订货型号 NCE2060K 品牌 NCE
型号系列 NCE2060K 品类 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
描述/说明 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET,工业级,BVDSS(V):20,ID(A):60 封装/外壳/尺寸 TO-252
最小包装量 2,500 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
车规级/工业级 工业级 Technology Trench
Polarity N BVDSS(V) 20
ID(A) 60 VTH(V) 0.8
RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 4.8 RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 6
RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ) 6.2 RDS(ON)@2.5VMax(mΩ) 9
VGS(th)(V) ±12 CISS(pF) 2800
QG(nC) 35 PD(W) 60
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥0.5200
库存:
100
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订货型号 NCE6025Q 品牌 NCE
型号系列 NCE6025Q 品类 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
描述/说明 The NCE6025Q uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. 封装/外壳/尺寸 DFN3.3X3.3-8L
最小包装量 5,000 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
车规级/工业级 工业级 Technology Trench
Polarity N BVDSS(V) 60
ID(A) 25 VTH(V) 1.6
RDS(ON)@10VTyp(mΩ) 12 RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 16
QG(nC) 39 PD(W) 35
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥0.6270
库存:
80
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订货型号 NCE6045G 品牌 NCE
型号系列 NCE6045G 品类 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
描述/说明 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET,工业级,BVDSS(V):60,ID(A):45 封装/外壳/尺寸 DFN5*6
最小包装量 5,000 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
车规级/工业级 工业级 Technology Trench
Polarity N BVDSS(V) 60
ID(A) 45 VTH(V) 1.8
RDS(ON)@10V Typ(mΩ) 10 RDS(ON)@10V Max(mΩ) 13
RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 13 RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 18
VGS(th)(V) ±20 CISS(pF) 2180
QG(nC) 58 PD(W) 60
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥0.9870
库存:
60
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订货型号 NCE8295AK 品牌 NCE
型号系列 NCE8295AK 品类 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
描述/说明 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET,工业级,BVDSS(V):82,ID(A):67 封装/外壳/尺寸 TO-252-2L
最小包装量 2,500 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
车规级/工业级 工业级 Technology Trench
Polarity N BVDSS(V) 82
ID(A) 67 VGS(th)(V) ±20
CISS(pF) 6800 QG(nC) 109.3
PD(W) 170
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥1.3870
库存:
20
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订货型号 NCE1540AD 品牌 NCE
型号系列 NCE1540AD 品类 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
描述/说明 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET,工业级,BVDSS(V):150,ID(A):40 封装/外壳/尺寸 TO-263
最小包装量 800 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
车规级/工业级 工业级 Technology Trench
Polarity N BVDSS(V) 150
ID(A) 40 VTH(V) 1.05
RDS(ON)@10V Typ(mΩ) 35 RDS(ON)@10V Max(mΩ) 45
RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 36 RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) 48
VGS(th)(V) ±12 CISS(pF) 4200
QG(nC) 105 PD(W) 140
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥2.3870
库存:
11
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订货型号 NCE6045XAG 品牌 NCE
型号系列 NCE6045XAG 品类 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
描述/说明 The NCE6045XAG uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. 封装/外壳/尺寸 DFN5X6-8L
最小包装量 5,000 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
车规级/工业级 工业级 Technology Trench
Polarity N BVDSS(V) 60
ID(A) 45 VTH(V) 3
RDS(ON)@10V Typ(mΩ) 8 QG(nC) 90
PD(W) 60
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥0.9870
库存:
10
世强硬创平台提供NCE6045XAG在线购买服务,支持单件起订、小批量试产,库存充足,交期透明。下单后自动进入标准化交付流程,物流全程可追踪,适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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NCE6045XAG 批量询价 >>
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订货型号 NCE6045XG 品牌 NCE
型号系列 NCE6045XG 品类 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
描述/说明 The NCE6045XG uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. 封装/外壳/尺寸 DFN5X6-8L
最小包装量 5,000 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
车规级/工业级 工业级 Technology Trench
Polarity N BVDSS(V) 60
ID(A) 45 VTH(V) 1.8
RDS(ON)@10V Typ(mΩ) 7.4 RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) 11.4
QG(nC) 60 PD(W) 60
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥0.9870
库存:
7
世强硬创平台提供NCE6045XG在线购买服务,支持单件起订、小批量试产,库存充足,交期透明。下单后自动进入标准化交付流程,物流全程可追踪,适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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企业采购服务
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资料平台
数据手册 - 英文
NCE30H10G NCE N沟道增强型功率MOSFET
v1.0
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数据手册 - 英文
NCE30H10 NCE N沟道增强型功率MOSFET
v1.0
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数据手册 - 英文
NCE30H10AK N沟道增强型功率MOSFET
V1.0
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数据手册 - 英文
NCE30H10K NCE N沟道增强型功率MOSFET
v1.1
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数据手册 - 英文
NCE3406N N沟道增强型功率MOSFET
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技术文档 - 英文
NCE01H13 N沟道增强型功率MOSFET
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数据手册 - 英文
NCE4528K N沟道增强型功率MOSFET
v2.0
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数据手册 - 英文
NCE01H13D N沟道增强型功率MOSFET
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技术文档 - 英文
NCE01H13D N沟道增强型功率MOSFET
V3.0
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数据手册 - 英文
NCE3400 N沟道增强型功率MOSFET
v4.0
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数据手册 - 英文
NCE3400 N沟道增强型功率MOSFET
v4.0
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数据手册 - 英文
NCE2008N N沟道增强型功率MOSFET
v1.0
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数据手册 - 英文
NCE2007N N沟道增强型功率MOSFET
v1.1
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数据手册 - 英文
NCE6045G N沟道增强型功率MOSFET
v2.0
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数据手册 - 英文
NCE2030 N沟道增强型功率MOSFET
v2.0
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数据手册 - 英文
NCE3008N N沟道增强型功率MOSFET
V1.0
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数据手册 - 英文
NCE2006Y N沟道增强型功率MOSFET
V1.0
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数据手册 - 英文
NCE6003x N沟道增强型功率MOSFET
V1.0
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数据手册 - 英文
NCE3050 N沟道增强型功率MOSFET
v2.0
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数据手册 - 英文
NCE1608N N沟道增强型功率MOSFET
V1.0
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数据手册 - 英文
NCE01ND03S N沟道增强型功率MOSFET
v3.0
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数据手册 - 英文
NCE1550 N沟道增强型功率MOSFET
v3.0
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数据手册 - 英文
NCE3400A N沟道增强型功率MOSFET
v3.0
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数据手册 - 英文
NCE0157D N沟道增强型功率MOSFET
v1.0
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数据手册 - 英文
NCE3400E N沟道增强型功率MOSFET
V2.0
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