CMPDM8002A SURFACE MOUNT SILICON P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET
发布时间：
2018-05-10
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
Central Semiconductor（中央半导体）
型号：
CMPDM8002A; SOT-23
本数据手册详细介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司推出的CMPDM8002A型表面贴装硅P沟道增强模式MOSFET。该器件专为满足高速脉冲放大器和驱动器应用需求而设计，具备低导通电阻、低漏源导通电压以及低阈值电压等显著特性。其快速切换能力和逻辑电平兼容性，使其在负载开关、电源转换电路以及电池供电便携式设备等场景中表现出优异的性能，能够有效提升电路效率与响应速度。CENTRAL SEMICONDUCTOR在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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Central Semiconductor官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是Central Semiconductor的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供Central Semiconductor的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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Central Semiconductor（美国中央半导体公司）——世界顶级分立半导体制作商
Central Semiconductor(美国中央半导体公司，简称Central)是世界顶级分立半导体制作商，公司总部位于美国纽约，成立于1974年，迄今已有42年历史。获得ISO9001:2008认证，生产的元器件符合 RoHS2 和 REACH 要求，力求为客户提供高品质高可靠性产品；与顶级OEM 设计师合作，提供创新解决方案。
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现货平台 / Central Semiconductor 授权代理店
| 订货型号 | CMHZ4690 TR PBFREE | 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMHZ4690 | 品类 | 稳压二极管 |
| 描述/说明 | Surface mount Diode-Zener Single: Low Level | 封装/外壳/尺寸 | SOD-123 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Pd-功率耗散 | 275 mW | 电压容差 | 1.05 |
| Ir - 最大反向漏电流 | 10 uA | Zz - 齐纳阻抗 | 45 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 ℃ | 最大工作温度 | + 150 ℃ |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.2009
库存：
16,500
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| 订货型号 | CMR1-10M TR13 PBFREE | 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMR1-10M | 品类 | 整流器 |
| 描述/说明 | Surface mount Rectifier-General Purpose Single | 封装/外壳/尺寸 | SMA |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 电压 DC 反向 (Vr)（最大值） | 1000 V | 电流 平均整流 (Io) | 1A |
| 不同 If 时电压 正向 (Vf) | 1.1 V @ 1 A | 速度 | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 不同 Vr 时电流 反向泄漏 | 5 µA @ 1000 V | 不同 Vr、F 时电容 | 8pF @ 4V，1MHz |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.3305
库存：
11,375
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| 订货型号 | CBRHDSH1-40L TR13 PBFREE | 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CBRHDSH1-40L | 品类 | 桥式整流器 |
| 描述/说明 | Surface mount Rectifier-Bridge Low VF Schottky | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 电压 - 峰值反向（最大值） | 40 V | 电流 - 平均整流 (Io) | 1.2 A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 440 mV @ 1 A | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 50 µA @ 40 V |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥2.7332
库存：
8,810
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| 订货型号 | CTLSH01-30L TR PBFREE | 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CTLSH01-30L | 品类 | 整流器 |
| 描述/说明 | Diode-Schottky (<1A) | 封装/外壳/尺寸 | TLM2D3D6 |
| 最小包装量 | 8,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 电压 DC 反向 (Vr)（最大值） | 30 V | 电流 平均整流 (Io) | 100mA |
| 不同 If 时电压 正向 (Vf) | 370 mV @ 10 mA | 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 不同 Vr 时电流 反向泄漏 | 7 µA @ 10 V | 不同 Vr、F 时电容 | 7pF @ 0V，1MHz |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0170
库存：
8,200
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| 订货型号 | CMNT3904E TR PBFREE | 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMNT3904E | 品类 | Transistors |
| 描述/说明 | Transistors | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 已停产(EOL) | 停产时间 | |
| 电流 集电极 (Ic)（最大值） | 200 mA | 电压 集射极击穿（最大值） | 40 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 200mV @ 5mA，50mA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，1V |
| 功率 最大值 | 250 mW | 频率 跃迁 | 300MHz |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0679
库存：
8,200
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| 订货型号 | CET3904E TR PBFREE | 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CET3904E | 品类 | Transistors |
| 描述/说明 | Transistors | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 电流 集电极 (Ic)（最大值） | 200 mA | 电压 集射极击穿（最大值） | 40 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 200mV @ 5mA，50mA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，1V |
| 功率 最大值 | 250 mW | 频率 跃迁 | 300MHz |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0424
库存：
8,200
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| 订货型号 | CMPT3820 TR PBFREE | 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMPT3820 | 品类 | Transistor |
| 描述/说明 | Transistor-Small Signal (<=1A) | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 电流 集电极 (Ic)（最大值） | 0.041666666666666664 | 电压 集射极击穿（最大值） | 60 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 280mV @ 100mA，1A | 电流 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 200 @ 500mA，5V | 功率 最大值 | 350 mW |
| 频率 跃迁 | 150MHz | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
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原厂认证
价格：
￥0.4513
库存：
6,415
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| 订货型号 | CMDFSHC3-100 TR13 PBFREE | 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMDFSHC3-100 | 品类 | 整流器 |
| 描述/说明 | Rectifier-Schottky (>=1A) | 封装/外壳/尺寸 | SMC |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 电压 DC 反向 (Vr)（最大值） | 100 V | 电流 平均整流 (Io) | 3A |
| 不同 If 时电压 正向 (Vf) | 850 mV @ 3 A | 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） |
| 不同 Vr 时电流 反向泄漏 | 500 µA @ 100 V | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0628
库存：
6,000
世强硬创平台提供CMDFSHC3-100 TR13 PBFREE在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，库存充足，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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CMDFSHC3-100 TR13 PBFREE 交期查询 >>
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| 订货型号 | CMDFSHC5-100 TR13 PBFREE | 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMDFSHC5-100 | 品类 | 整流器 |
| 描述/说明 | Rectifier-Schottky (>=1A) | 封装/外壳/尺寸 | SMC |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 电压 DC 反向 (Vr)（最大值） | 100 V | 电流 平均整流 (Io) | 5A |
| 不同 If 时电压 正向 (Vf) | 850 mV @ 5 A | 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） |
| 不同 Vr 时电流 反向泄漏 | 500 µA @ 100 V | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.2217
库存：
6,000
世强硬创平台提供CMDFSHC5-100 TR13 PBFREE在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，库存充足，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
CMDFSHC5-100 TR13 PBFREE 在线购买 >>
世强硬创平台提供CMDFSHC5-100 TR13 PBFREE样品申请服务，支持工程师在研发初期快速获取器件用于功能验证与兼容性测试；样品将由原厂审核，世强协助申请，物流全程可追踪，助力加速原型开发与方案选型。
CMDFSHC5-100 TR13 PBFREE 样品申请 >>
世强硬创平台提供CMDFSHC5-100 TR13 PBFREE批量询价服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优批量价格。
CMDFSHC5-100 TR13 PBFREE 批量询价 >>
世强硬创平台提供CMDFSHC5-100 TR13 PBFREE交期查询服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优交期。
CMDFSHC5-100 TR13 PBFREE 交期查询 >>
世强硬创平台提供CMDFSHC5-100 TR13 PBFREE期货订购服务，可提前预定产能；签订期货协议后，平台将按约定时间节点保障交付，降低供应链中断风险。
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| 订货型号 | CMPT491E TR PBFREE | 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMPT491E | 品类 | Surface mount Transistor |
| 描述/说明 | Surface mount Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Current | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 电流 集电极 (Ic)（最大值） | 0.041666666666666664 | 电压 集射极击穿（最大值） | 60 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 400mV @ 100mA，1A | 电流 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 200 @ 500mA，5V | 功率 最大值 | 350 mW |
| 频率 跃迁 | 150MHz | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.5403
库存：
6,000
世强硬创平台提供CMPT491E TR PBFREE在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，库存充足，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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技术支持/研发服务
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企业采购服务
世强硬创平台授权代理商提供Central Semiconductor快速样品申请、批量订购、精准询价及交期确认等一站式采购服务，保障正品供应、响应高效，助力研发与生产无缝衔接。
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加工定制
拥有中等规模的SMT、DIP以及成品组装产线；支持PCBA及成品OEM/ODM代工组装制造；在嵌入式系统、物联网系统等具备专业性量产制造的项目组织和服务能力。
立即提交 电子产品OEM制造/ODM研发服务 >>
可定制连接器的间距范围1.25mm~4.5mm、单列/双列列数、焊尾/表面贴装/浮动式等安装方式、镀层、针数等参数，插拔寿命达100万次以上。
立即提交 弹簧针（pogo pin）连接器定制 >>
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
SOT-23 CASE CMPDM8002A SURFACE MOUNT SILICON P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET
R2
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| 数据手册 - 英文 |
SOT-23 CASE CMPDM8002A SURFACE MOUNT SILICON P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET
R2
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| 测试报告 - 英文 |
工艺CP764X小信号MOSFET晶体管P沟道增强型晶体管芯片
R1
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| 数据手册 - 英文 |
CMPDM203NH表面贴装N沟道增强型硅MOSFET
R0
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
CMPDM203NH表面贴装N沟道增强型硅MOSFET
REV 002
|
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| 数据手册 - 英文 |
CMPDM203NH表面贴装N沟道增强型硅MOSFET
Rev:001
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
加工CPD83V开关二极管高速开关二极管芯片
R5
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Central Semiconductor（中央半导体） CMPDM8002A数据手册
2016年06月29日
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
CMPDM302PH表面贴装硅增强型P沟道MOSFET
REV 002
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CMPDM8002A SURFACE MOUNT SILICON P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET
6-February 2015
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CMPDM8002A SURFACE MOUNT SILICON P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET
6-February 2015
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CMPDM8002A SURFACE MOUNT SILICON P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET
6-February 2015
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CMPDM8002A SURFACE MOUNT SILICON P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET
6-February 2015
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Central Semiconductor（中央半导体） CMPD914晶圆厂变化通知（PCN #159）
2017年08月15日
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| 技术文档 - 英文 |
分立半导体样品盒
2018/07/30
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| 技术文档 - 英文 |
分立半导体样品盒
2018/07/23
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| 数据手册 - 英文 |
CMPDM8002A表面贴装硅P沟道增强型MOSFET
R2
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CMPDM8002A表面贴装硅P沟道增强型MOSFET
R2
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| 技术文档 - 英文 |
分立半导体样品盒低功耗贴片
2019/05/27
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| 技术文档 - 英文 |
分立半导体样品盒低功耗贴片
2018/07/14
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| 数据手册 - 英文 |
分立半导体样品盒低功耗贴片
2017/10/05
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| 数据手册 - 英文 |
CMPD914表面贴装硅高速开关二极管
R7
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| 数据手册 - 英文 |
CMPDM7120G表面贴装N沟道增强型硅MOSFET
R2
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| 数据手册 - 英文 |
CMPD2836 CMPD2838表面贴装双硅开关二极管
R6
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| 数据手册 - 英文 |
CMPD2836 CMPD2838表面贴装双硅开关二极管
REV:R3
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| 数据手册 - 英文 |
CMPD2836 CMPD2838表面贴装双硅开关二极管
R6
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CMPD2836 CMPD2838表面贴装双硅开关二极管
R6
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CMPDM7003表面贴装硅N沟道增强型MOSFET
R2
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| 数据手册 - 英文 |
CMPD7000表面贴装双串联硅开关二极管
R7
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| 数据手册 - 英文 |
CMPD7000E增强规格表面贴装双串联硅开关二极管
R4
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技术论坛
请帮忙推荐ON SEMI ONUNTR4101PT1G.CA的替代品
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请帮忙推荐一下能替代NTR4101PT1G的管，谢谢！
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有没有可以和 TI CSD23285 P沟道FET引脚兼容的芯片？如果没有，是否有推荐的替代型号？要求3.3V导通电压下电阻足够小。谢谢！
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求推荐4A以上SOT23的MOS管N沟道。
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作为5V电源的开关，使用什么型号的mos管好一些，电流大概500mA
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求推荐MOS管：有PMOS管 1-3安培的吗？
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场效应管IRLML5203 是否有替代品？
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有没有替代fdn304的，求推荐世强代理的mosfet
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求10w左右的n沟道moss管，Ciss100p以下，求推荐，用于100M以下放大
查看官方回答 >>
世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
【应用】低导通内阻MOS管 CMPDM203NH和CMPDM202PH在定位产品电池电压采集控制电路中的应用
笔者有参与一款定位产品的开发，产品采用3.6V的锂亞电池ER18505加超级电容SPC电池组进行供电，产品设计中为了让用户实时了解产品电池电量剩余情况，采用Central Semiconductor（中央半导体）的NMOS管CMPDM203NH和PMOS管CMPDM202PH设计电池电压采集控制电路。CMPDM203NH和CMPDM202PH具有非常低的导通电阻，是能量敏感型应用的理想选择。
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分立半导体样品盒低功耗贴片
该资料介绍了Central Semiconductor提供的低功耗SMD分立半导体样品套件，包含多种二极管和MOSFET，适用于通用整流、信号阻断、负载切换和小电流应用。套件包括不同电压、电流和封装类型的器件，适用于多种设计挑战。资料还提供了产品数据表下载链接、产品支持服务、设计支持服务以及如何请求产品镀层的信息。
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【产品】用于高速开关的100V/250mA硅开关二极管CMPD914，反向恢复时间仅为4.0ns
Central公司推出的硅开关二极管 CMPD914，采用外延平面工艺制造，采用SOT-23封装，采用环氧树脂模塑，表面贴装封装，功率损耗为350mW，反向恢复时间较短，时间trr最大值为4.0ns。专为高速响应开关应用而设计。
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【产品】浪涌电流6.0A的硅开关肖特基二极管裸片，专为需要高电流能力的应用而设计
Central Semiconductor(美国中央半导体公司，简称Central)公司是世界顶级分立半导体制造商，Central推出的CPD89V-CMPD1001和CPD89V-CMPD5001是硅开关二极管，专为需要高电流能力的应用而设计。它们的实物如图1所示，具有高耐压、大电流以及低正向压降等优点。
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