AM09N20 POWER MOSFET 200V 9A N-CHANNEL ENHANCED MOSFET
发布时间：
2023-08-25
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
AIT（创瑞科技）
型号：
AM09N20; AM09N20T3U; AM09N20T3VU; AM09N20T3FU; AM09N20T3FVU; AM09N20TD3U; AM09N20TD3VU; AM09N20DR; AM09N20DVR
本数据手册详细介绍了AiT半导体推出的AM09N20型200V 9A N通道增强型MOSFET。该器件专为高频切换模式电源设计，具备快速开关、低导通电阻（RDSON = 0.26Ω）以及改进的dv/dt能力等关键特性。资料全面涵盖了产品的电气与热特性参数，包括最高耐压200V、最大连续漏极电流9A、栅极阈值电压2.0V至4.0V，以及输入电容550pF、开关延迟时间10ns、上升时间5ns等详细性能指标，并提供了典型性能曲线与封装尺寸信息，为工程师进行精确选型与设计提供了可靠依据。AiT在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该方案，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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AIT官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
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世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供AIT的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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创瑞科技(AiT)，致力于设计和行销高性能的类比与混合信号IC，为全球消费类电子产品市场提供音频放大及电源管理等解决方案，结合控股集团高品质的电感、晶振及保险丝提供技术整合支援，缩短产品设计周期。
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| 订货型号 | AM7407J8VR |
| 品牌 | AIT |
| 型号系列 | AM7407 |
| 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 5,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| type | P |
| V(BR)DSS (V) | -20V |
| VGS (V) | ±12V |
| IDS (A) (25°C) | -14A |
| VGS(TH) (V) Min/Max | 0.4V |
| RDS(ON) Vgs=±10V (mΩ)Typ | 6.5mΩ |
| Vgs=±4.5V (mΩ) Typ | 7.8mΩ |
| Vgs=±2.5V (mΩ) Typ | 10mΩ |
| Vgs=±1.8V (mΩ) Typ | 13mΩ |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥2.4951
库存：
5,000
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| 订货型号 | AM3401E3VR |
| 品牌 | AIT |
| 型号系列 | AM3401 |
| 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| type | P |
| V(BR)DSS (V) | -30V |
| VGS (V) | ±20V |
| IDS (A) (25°C) | -4.2A |
| VGS(TH) (V) Min/Max | 0.538461538461538V |
| RDS(ON) Vgs=±10V (mΩ)Typ | 50mΩ |
| Vgs=±4.5V (mΩ) Typ | 64mΩ |
| Vgs=±2.5V (mΩ) Typ | 95mΩ |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.1644
库存：
3,000
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| 订货型号 | AM3415AE3VR |
| 品牌 | AIT |
| 型号系列 | AM3415A |
| 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| type | P |
| ESD | Yes |
| V(BR)DSS (V) | -20V |
| VGS (V) | ±10V |
| IDS (A) (25°C) | -4A |
| VGS(TH) (V) Min/Max | 0.4V |
| Vgs=±4.5V (mΩ) Typ | 34mΩ |
| Vgs=±2.5V (mΩ) Typ | 44mΩ |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.2476
库存：
3,000
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| 订货型号 | AM8205E6R |
| 品牌 | AIT |
| 型号系列 | AM8205 |
| 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| 封装/外壳/尺寸 | SOT-26 |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Operating Junction Temperature(°C) | -55℃~150℃ |
| Drain-Source Voltage(V) | 20V |
| Pulsed Drain Current(A) | 24A |
| Power Dissipation(W) | 1.4W(25℃),0.9W(70℃) |
| Continuous Drain Current(A) | 6A(25℃),4.7A(70℃) |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.1644
库存：
3,000
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| 订货型号 | AM8205E6VR |
| 品牌 | AIT |
| 型号系列 | AM8205 |
| 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| 封装/外壳/尺寸 | SOT-26 |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Operating Junction Temperature(°C) | -55℃~150℃ |
| Drain-Source Voltage(V) | 20V |
| Pulsed Drain Current(A) | 24A |
| Power Dissipation(W) | 1.4W(25℃),0.9W(70℃) |
| Continuous Drain Current(A) | 6A(25℃),4.7A(70℃) |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.1644
库存：
3,000
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| 订货型号 | AM1013CK3VR |
| 品牌 | AIT |
| 型号系列 | AM1013 |
| 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| type | P |
| ESD | Yes |
| V(BR)DSS (V) | -20V |
| VGS (V) | ±6V |
| IDS (A) (25°C) | -0.35A |
| VGS(TH) (V) Min/Max | -0.45/-V |
| Vgs=±4.5V (mΩ) Typ | 800mΩ |
| Vgs=±2.5V (mΩ) Typ | 1200mΩ |
| Vgs=±1.8V (mΩ) Typ | 1800mΩ |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.9981
库存：
3,000
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| 订货型号 | AM1013CK3R |
| 品牌 | AIT |
| 型号系列 | AM1013 |
| 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| type | P |
| ESD | Yes |
| V(BR)DSS (V) | -20V |
| VGS (V) | ±6V |
| IDS (A) (25°C) | -0.35A |
| VGS(TH) (V) Min/Max | -0.45/-V |
| Vgs=±4.5V (mΩ) Typ | 800mΩ |
| Vgs=±2.5V (mΩ) Typ | 1200mΩ |
| Vgs=±1.8V (mΩ) Typ | 1800mΩ |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.9981
库存：
3,000
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| 订货型号 | AM2302E3SR |
| 品牌 | AIT |
| 型号系列 | AM2302 |
| 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| type | N |
| V(BR)DSS (V) | 20V |
| VGS (V) | ±10V |
| IDS (A) (25°C) | 2.9A |
| VGS(TH) (V) Min/Max | 0.5/1.2V |
| Vgs=±4.5V (mΩ) Typ | 30mΩ |
| Vgs=±2.5V (mΩ) Typ | 37mΩ |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0979
库存：
3,000
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AM2302E3SR 交期查询 >>
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| 订货型号 | AM2306E3SVR |
| 品牌 | AIT |
| 型号系列 | AM2306 |
| 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| type | N |
| V(BR)DSS (V) | 30V |
| VGS (V) | ±20V |
| IDS (A) (25°C) | 5.8A |
| VGS(TH) (V) Min/Max | 1.2/2.4V |
| RDS(ON) Vgs=±10V (mΩ)Typ | 25.5mΩ |
| Vgs=±4.5V (mΩ) Typ | 34mΩ |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0812
库存：
3,000
世强硬创平台提供AM2306E3SVR在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，世强仓现货3,000，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
AM2306E3SVR 在线购买 >>
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AM2306E3SVR 样品申请 >>
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AM2306E3SVR 交期查询 >>
世强硬创平台提供AM2306E3SVR期货订购服务，可提前预定产能；签订期货协议后，平台将按约定时间节点保障交付，降低供应链中断风险。
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| 订货型号 | AM2306E3SR |
| 品牌 | AIT |
| 型号系列 | AM2306 |
| 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| type | N |
| V(BR)DSS (V) | 30V |
| VGS (V) | ±20V |
| IDS (A) (25°C) | 5.8A |
| VGS(TH) (V) Min/Max | 1.2/2.4V |
| RDS(ON) Vgs=±10V (mΩ)Typ | 25.5mΩ |
| Vgs=±4.5V (mΩ) Typ | 34mΩ |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0812
库存：
3,000
世强硬创平台提供AM2306E3SR在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，世强仓现货3,000，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
AM032NS08H 85V 200A N沟道增强型功率MOSFET
REV1.0
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| 技术文档 - 英文 |
AM45P04D www.ait-ic.com MOSFET -40V，-45A P沟道增强型功率MOSFET
2025/04/01
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| 数据手册 - 英文 |
AM023NS10H 100V 180A~326A N沟道增强型功率MOSFET
REV1.0
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| 数据手册 - 英文 |
AM2301E - -20V -2A N沟道增强型功率MOSFET
2025/09/04
|
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| 数据手册 - 英文 |
AM2308 60V 3.8A N沟道增强型MOSFET
REV1.2
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| 数据手册 - 英文 |
AM50N06 MOSFET 60V 50A N沟道增强型功率MOSFET
REV1.0
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| 数据手册 - 英文 |
AM07N65 MOSFET 650V 7A N沟道增强型功率MOSFET
REV1.0
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
AM3400 MOSFET 30V N沟道增强型功率MOSFET
REV2.0
|
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AM80N06PJ N沟道功率MOSFET
2026/01/14
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AM03NS10H MOSFET 100V，180A/216A N沟道增强型SGT MOSFET
REV1.0
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AM03NS10H MOSFET 100V，180A/216A N沟道增强型SGT MOSFET
REV:1.0
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AM20NS10L MOSFET 100V 30A N沟道增强型SGT MOSFET
REV1.0
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AM03NS10H 100V，180A/216A N沟道增强型SGT MOSFET
REV1.0
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AM047NS08T TO-220封装功率MOSFET
2025/06/02
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AM13N50 MOSFET 500V 13A N沟道增强型MOSFET
REV1.0
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AM65R620D TO-252封装功率MOSFET
2025/07/05
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AM022NS20HT TO-220封装功率MOSFET
2025/02/21
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AM3416 MOSFET 20V N沟道增强型MOSFET
REV1.1
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AM4953 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
REV3.0
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AM3415A MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
REV1.0
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AM6594 MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Rev. 1.0
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AM029NS085HPJ - 85V 100A 2.9mΩ N沟道SGT功率MOSFET
REV1.0
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AM3015 MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
REV1.0
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AM8810 MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Rev. 2.0
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AM9926 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
REV1.1
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AM2304A 30V N沟道增强型MOSFET
REV1.0
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AM8208 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
REV1.0
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AM8205 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
REV3.0
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AM8820 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
REV2.0
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AM8204 MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Rev. 1.0
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AM8814 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
REV2.0
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AM8811 MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Rev. 1.0
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AM2302 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
REV1.1
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AM3407 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
REV3.0
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AM4102 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
REV1.0
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AM2306 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
REV3.1
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AM80N06 MOSFET 60V 80A N沟道快速开关MOSFET
REV1.0
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GBJ2501~GBJ2510桥式整流器正向电流25A，反向电压100~1000V
REV1.0
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HER102~HER108整流二极管1A正向电流，100~1000V反向电压
REV1.0
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AM4430 MOSFET 30V，25A N沟道MOSFET
REV1.0
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
【产品】采用SOT-23S封装的N沟道增强型MOSFET，工作结温与存储温度均为-55°C~150°C
AiT推出的AM2308是一款N沟道增强型MOSFET，除非另有说明，否则当环境温度为25℃时，该产品的绝对最大额定参数为：漏源电压60V、栅源电压±20V、连续漏极电流3.3A、脉冲漏极电流13.4A、雪崩电流5A、耗散功率1.6W、工作结温与存储温度均为-55°C~150°C。
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【产品】采用SC89-3封装的N沟道增强型MOSFET AM4452，耗散功率0.3W
AiT推出的AM4452是一款N沟道增强型MOSFET。AM4452在环境温度为25℃时，可以承受的绝对最大额定参数为：漏源电压20V、栅源电压±8V、连续漏极电流0.83A、脉冲漏极电流1.8A、耗散功率0.3W。工作结温与存储温度均为-55°C ~ 150°C。
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【产品】采用封装DFN8的N沟道增强型MOSFET AM7520，最高结温150℃
AiT推出的AM7520是一款N沟道增强型MOSFET。除非另有说明，否则当环境温度为25℃时，AM7520可以承受的绝对最大额定参数为：漏源电压30V、栅源电压±20V、连续漏极电流24A、最大耗散功率1.78W。
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【产品】600V N沟道增强型MOSFET AM60R380F系列，具有快速开关且工作结温150℃
AiT推出的AM60R380F系列为600V，N沟道增强型MOSFET。除非另有说明，否则当芯片封装表面温度为25℃时，AM60R380F的绝对最大额定参数为：漏源电压600V、连续漏极电流11A、脉冲漏极电流33A、栅源电压±30V。
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【产品】漏源电压20V的N沟道增强型MOSFET AM3416，连续漏极电流为6A，最大耗散功率1.4W
AiT推出的AM3416是一款N沟道增强型MOSFET。除非另有说明，否则当环境温度为25℃时，AM3416的绝对最大额定参数为：漏源电压20V、栅源电压±12V、连续漏极电流(VGS=4.5V)为6A、300μs脉冲漏极电流(VGS=4.5V) 为20A。
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【产品】30V N沟道增强型功率MOSFET AM3400，具备高功率与电流处理能力
AiT推出的AM3400是一款30V，N沟道增强型功率MOSFET。该产品的绝对最大额定参数为：漏源电压30V、栅源电压±12V、连续漏极电流5.8A、脉冲漏极电流30A、最大耗散功率1.4W、工作结温与存储温度均为-55°C~150°C。
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【产品】N沟道增强型MOSFET AM2304A，最大额定漏极连续电流5.5A，耗散功率1.3W
AiT推出的AM2304A是N沟道增强型MOSFET，在环境温度为25℃时，AM2304A可以承受的绝对最大额定参数为：漏源电压30V、栅源电压±20V、漏极连续电流5.5A、脉冲漏极电流22A、雪崩电流8A、耗散功率1.3W。工作结温和储存温度均为−55°C∼+150°C。
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【产品】采用SOP8封装的N沟道增强型MOSFET AM4406，最高结温150°C
AiT推出的AM4406是一款N沟道增强型MOSFET。除非另有说明，否则当环境温度为25℃时，AM4406的绝对最大额定参数为：漏源电压30V、栅源电压±20V、当VGS=10V时，连续漏极电流12A、当VGS=10V时， 300μs脉冲漏极电流为40A。
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【产品】N沟道增强型功率MOSFET AM9926，采用SOP8封装，温度范围-55°C~150°C
AiT推出的AM9926是一款N沟道增强型功率MOSFET。除非另有说明，否则当环境温度为25℃时，AM9926可以承受的绝对最大额定参数为：漏源电压20V、栅源电压±12V、连续漏极电流6A、脉冲漏极电流25A、最大耗散功率1.25W，工作结温和存储温度范围均为-55°C~ 150°C。
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【产品】SC70-6封装的双N沟道增强型MOSFET AM6N7002K，温度范围-55°C~150°C
AiT推出的AM6N7002K是一款双N沟道增强型MOSFET。除非另有说明，否则当环境温度为25℃时，AM6N7002K可以承受的绝对最大额定参数为：漏源电压60V、栅源电压±20V、连续漏极电流0.29A、脉冲漏极电流1A、耗散功率0.26W。工作结温与存储温度范围均为-55°C~ 150°C。
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