AM09N20 POWER MOSFET 200V 9A N-CHANNEL ENHANCED MOSFET

知识图谱
2023-08-25 AIT 数据手册 英文


●描述
■AM09N20采用TO-220、TO-220F、TO-251和TO-252封装
●特性
■快速切换
■低CRSS
■改进的DV/DT能力

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产品型号
品类
Type
ID(A)(25°C)
RDS(ON) Vgs=±10V (mΩ)Typ
VDSS(V)
VGS(TH) (V) Min/Max
VGS (V)
Package,Type
AM09N20
HV MOS
N
9A
260
200V
2.0/4.0
±30
TO-220,TO-220F,TO-251,TO-252
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AIT LV MOSFET选型表

选型表  -  AIT AiT Semi Launch TO-252 package in LV MOSFET.Voltage coverage to 12 to 100V; support SOT23 DFN8 SOT26 and SOP8 packages.

产品型号
品类
Type
V(BR)DSS(V)
ID(A)
VGS(V)
RDS(ON) (mΩ) typ. at VGS@10V
Vth Max.(V)
Package Type
AM5P06
LV MOSFET
P
-60V
50A
±20V
30mΩ
-2.5V
TO-252
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【产品】采用SOT-23S封装的N沟道增强型MOSFET,工作结温与存储温度均为-55°C~150°C

2021-12-29 -  产品 AiT推出的AM2308是一款N沟道增强型MOSFET,除非另有说明,否则当环境温度为25℃时,该产品的绝对最大额定参数为:漏源电压60V、栅源电压±20V、连续漏极电流3.3A、脉冲漏极电流13.4A、雪崩电流5A、耗散功率1.6W、工作结温与存储温度均为-55°C~150°C。

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