Product Overview NVMFS5C460N: Power MOSFET 40V, 68A, 5.3 mOhm, Single N-Channel
发布时间：
2018-06-19
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
NVMFS5C460N; NVMFS5C460NT1G; NVMFS5C460NWFT1G
资料平台
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NVMFS5C460N MOSFET–功率，单N沟道
Rev. 1
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NVMFS5C460N MOSFET–功率，单N沟道
Rev. 1
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NVMFS5C460NWFT1G材料成分声明
2019-09-04
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NVMFS5C460N MOSFET-功率，单N沟道\n
Rev. 1
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材料成分声明NVMFS5C460NWFT1G
2018-01-21
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NVMFS5C460N MOSFET–功率、单通道N沟道40 V、5.3 MΩ、71 a
Rev.1
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NVMFS5C460N MOSFET–功率、单通道N沟道40 V、5.3 MΩ、71 a
Rev. 1
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材料成分声明40V 5.3 mohm T6 S08FL单
2018-01-20
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材料成分声明40V 5.3 mohm T6 S08FL单
2018-01-20
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NVMFS5C460N产品预览功率MOSFET 40 V，5.3 mΩ，68 A，单N-沟道
Rev. P0
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NVMFS5C460NT1G材料成分声明
2019-09-04
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材料成分声明NVMFS5C460NT1G
2018-01-21
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产品概述NVMFS5C460N：功率MOSFET 40V，68A，5.3 mOhm，单N沟道
1/16/2018
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材料成分声明T6-40V N 4.5 mOhms LL
2018-01-20
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材料成分声明T6-40V N 4.5 mOhms LL
2018-01-20
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材料成分声明T6-40V N 4.5 mOhms LL
2018-01-20
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材料成分声明T6-40V N 4.5 mOhms LL
2018-01-20
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NVMFS5C460NL MOSFET-功率，单N沟道\n
Rev. 7
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NVMFS5C460NL MOSFET-功率，单N沟道\n
Rev. 6
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材料成分声明NVMFS5C460NLT3G
2018-01-21
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NVMFS5C460NL MOSFET–功率，单N沟道
Rev. 6
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NVMFS5C460NL MOSFET–功率，单N沟道
Rev. 6
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NVMFS5C460NL MOSFET–功率，单N沟道
Rev. 6
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NVMFS5C460NL MOSFET–功率、单通道N沟道40 V、4.5 MΩ、78 a
Rev. 6
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NVMFS5C460NLT3G材料成分声明
2019-10-28
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NVMFS5C460NLT3G材料成分声明
2019-08-31
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NVMFS5C460NLT1G材料成分声明
2019-08-31
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NVMFS5C460NL功率MOSFET 40 V，4.5 mW，78 A，单N-沟道
Rev. 5
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NVMFS5C460NL 40 V、4.5 mΩ、78 A MOSFET–功率、单通道N沟道\n
Rev. 6
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材料成分声明NVMFS5C460NLT1G
2018-01-21
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NVMFS5C460NLWFT1G材料成分声明
2019-08-31
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材料成分声明NVMFS5C460NLWFAFT3G
2018-01-21
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材料成分声明NVMFS5C460NLWFAFT3G
2018-01-20
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NVMFS5C460NL：单通道N沟道功率MOSFET 40V、78a、4.5MΩ
5/21/2021
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NVMFS5C460NL：单通道N沟道功率MOSFET 40V、78a、4.5MΩ
5/20/2021
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NVMFS5C460NL：单通道N沟道功率MOSFET 40V、78a、4.5MΩ
2/27/2020
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NVMFS5C460NLWFAFT3G材料成分声明
2019-08-31
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材料成分声明NVMFS5C460NLAFT1G
2018-01-21
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NVMFS5C460NL：功率MOSFET 40V，78A，4.5欧姆，单N沟道，SO8-FL，逻辑电平。
1/24/2018
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技术论坛
扫地机项目，有安森美的一颗N沟道MOS替换需求，型号为NVMFS5C604NLWFAFT1G，60 V, 1.2 mΩ, 287A，DFN5 5x6封装，有合适的替换吗，最好PTP。
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直放站项目，使用ONSEMI的N沟道MOSFET NVMFS6H858NLT1G，有没有可推荐的国产物料
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应用/方案
NCV881930/NCV891930-混合电容技术滤波应用说明
本文介绍了混合技术陶瓷和铝聚合物（或固态铝电解质）电容器在输出滤波中的应用。针对高输出电流应用，文中提出了一种混合技术解决方案，以降低成本并减少PCB面积。文章详细讨论了NCV881930和NCV891930汽车同步降压控制器，并提供了推荐的电感值、电流检测电阻和输出滤波组件。此外，还提供了混合电容器技术的推荐值，并分析了不同电容器ESR值对输出电压瞬态响应的影响。
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NCV881930 100 W汽车预调节器，非隔离，同步降压，基于参考设计
本资料介绍了基于NCV881930同步降压控制器和NVMFS5C460NL 40V N通道MOSFET的100W非隔离式同步降压汽车预调节器。该参考设计适用于多种应用，突出了NCV881930控制器的功能，包括集成补偿、低静态电流、连续同步模式、宽输入范围、过流保护、外部同步、自适应非重叠驱动、集成频谱展宽和欠压锁定。设计为完整解决方案，并提供关键特性细节。
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产品概述NVMFS5C410NL：功率MOSFET 40V，330A，0.82 mOhm，单N沟道，SO8-FL，逻辑电平。
NVMFS5C410NL是一款40V、330A、0.82mΩ的单通道功率MOSFET，采用SO8-FL封装，适用于逻辑电平。该产品专为紧凑高效设计而设计，具有高热性能。它具有可湿边选项，适用于汽车应用，并通过AEC-Q101认证。产品特点包括小尺寸（5x6mm）、低RDS(on)、低QG和电容、可湿边选项、AEC-Q101认证和无铅。适用于汽车电池保护、开关、电源转换器、电磁阀驱动、电机控制等应用。
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产品概述NVMFS6B14N：功率MOSFET 100V，55A，15mohm，单N沟道，SO8-FL。
NVMFS6B14N是一款100V、55A、15mΩ的单通道MOSFET，采用SO8-FL封装，适用于紧凑高效的设计。该产品具有低导通电阻、低QG和电容、可湿边选项等特点，符合AEC-Q101标准，适用于汽车应用。主要应用领域包括高-低侧驱动器、H桥、开关电源、继电器驱动器、电机控制等。
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产品概述NVMFS6B03N：功率MOSFET 100V，145A，4.8 mOhm，单N沟道，SO8-FL。
NVMFS6B03N是一款100V、145A、4.8mΩ的单通道功率MOSFET，采用5x6mm扁平引脚封装，适用于紧凑高效的设计。该产品具有低导通电阻、低QG和电容、湿边选项等特点，符合AEC-Q101标准，适用于汽车应用。主要应用于高-低侧驱动器、功率开关、开关电源、电磁阀驱动器、电机控制等领域。
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100W汽车预调节器，非隔离，同步降压，基于NCV881930的参考设计
本资料介绍了基于NCV881930同步降压控制器和四通道NVMFS5C460NL 40V N沟道MOSFET的100W非隔离式同步降压汽车预调节器的设计。该设计适用于多种汽车应用，并突出了NCV881930控制器的功能，包括集成补偿、低静态电流、连续同步模式、宽输入范围、过流保护、外部同步、自适应非重叠驱动、集成频谱展宽和欠压锁定。设计为完整的解决方案，但同时也提供了访问NCV881930的关键功能。
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产品概述NVMFS4C03N：功率MOSFET 30V 143A 2.1 mOhm单N沟道SO8-FL逻辑电平
NVMFS4C03N是一款30V、143A、2.1mΩ的单通道SO8-FL逻辑级功率MOSFET。该产品适用于紧凑高效的设计，具有高热性能。产品特点包括小尺寸（5x6mm）、低导通电阻以减少导通损耗、低QG和电容以减少驱动损耗。该产品符合AEC-Q101标准，并具备PPAP能力，适用于汽车应用。主要应用包括反向电池保护、HID和LED照明、DC-DC转换器输出驱动和信息系统电源。
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产品概述NVMFS5885NL：功率MOSFET 60V，39A，15 mOhm，单N沟道，SO8-FL，逻辑电平。
NVMFS5885NL是一款60V、39A、15mΩ的单通道功率MOSFET，封装为SO8-FL，适用于逻辑电平。该产品适用于汽车应用，具有AEC-Q101认证，适用于紧凑高效的设计，具有高热性能。产品特点包括小封装尺寸、低导通电阻，适用于电机控制等应用。
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产品概述NVMFS5C645NL：功率MOSFET 60V，100A，4 mOhm，单N沟道，SO8-FL，逻辑电平。
NVMFS5C645NL是一款60V、100A、4 mOhm的单通道功率MOSFET，采用SO8-FL封装，适用于逻辑电平。该产品专为紧凑高效设计而设计，具有高热性能，并提供湿边选项以增强光学检查。该MOSFET符合AEC-Q101标准，并具备PPAP能力，适用于汽车应用。其主要特点包括低RDS(on)、低QG和栅极电容，以及紧凑的设计和标准尺寸，适用于直接替换。该产品适用于多种应用，如反向电池保护、开关电源、电机控制等。
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