Product Overview NVMFS5C460N: Power MOSFET 40V, 68A, 5.3 mOhm, Single N-Channel

知识图谱

发布时间： 2018-06-19 品牌： ONSEMI 资料类型：数据手册语言：英文

●采用5 x 6 mm扁平引线封装的汽车功率MOSFET，设计紧凑、高效，并具有较高的热性能。可湿侧翼选项可用于增强光学检查。AEC-Q101合格的MOSFET和PPAP，适用于汽车应用。

●特征：

■占地面积小（5 x 6 mm）
■低R-DS（开）
■低Q-g和电容
■可湿侧翼选项
■AEC-Q101合格
■无铅
●优点：

■紧凑型设计
■最小化传导损耗
■尽量减少驾驶员损失
■增强的光学检查
■汽车合格
■符合RoHS

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NVMFS5C460N MOSFET–功率、单通道N沟道40 V、5.3 MΩ、71 a

July, 2019 - 数据手册

ONSEMI - POWER, SINGLE N-CHANNEL MOSFET,功率，单通道N沟道MOSFET,NVMFS5C460N,NVMFS5C460NT1G,NVMFS5C460NWFT1G

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国产替代

NVMFS5C460NWFT1G材料成分声明

2019-09-04 - 测试报告本资料为Onsemi公司关于其产品中物质声明的文件，包括产品编号、材料成分、RoHS合规性声明、供应商认证等信息。文件详细列出了产品中使用的各种材料及其含量，并确认产品符合RoHS指令的要求。

ONSEMI - NVMFS5C460NWFT1G

国产替代

扫地机项目，有安森美的一颗N沟道MOS替换需求，型号为NVMFS5C604NLWFAFT1G，60 V, 1.2 mΩ, 287A，DFN5 5x6封装，有合适的替换吗，最好PTP。

2023-06-14 - 技术问答您好，推荐捷捷微的JMSL0601AG，60V，0.9mΩ，275A，PDFN5x6-8L封装，数据手册：https://www.sekorm.com/doc/3757199.html

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技术支持采购服务

国产替代

NVMFS5C460N产品预览功率MOSFET 40 V，5.3 mΩ，68 A，单N-沟道

April, 2017 - 数据手册该资料介绍了ON Semiconductor公司的一款40V、5.3mΩ、68A的单通道功率MOSFET产品NVMFS5C460N。该产品具有小尺寸（5x6mm）、低导通电阻、低QG和电容等特点，适用于紧凑型设计。产品符合AEC-Q101标准，并通过PPAP认证，符合无铅和RoHS合规要求。

ONSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,NVMFS5C460N,NVMFS5C460NT1G,NVMFS5C460NWFT1G,NVMFS5C460NWF

国产替代

材料成分声明NVMFS5C460NWFT1G

2018-01-21 - 测试报告本资料为元器件制造商对产品中物质声明的文件，包括产品名称、型号、材料成分、RoHS合规性声明等。文件详细列出了产品中各种材料的成分和含量，并声明产品符合RoHS指令要求。此外，还提供了供应商的联系方式和认证信息。

ONSEMI - NVMFS5C460NWFT1G

国产替代

直放站项目，使用ONSEMI的N沟道MOSFET NVMFS6H858NLT1G，有没有可推荐的国产物料

2023-06-05 - 技术问答推荐扬杰科技的YJG100G08E，N沟道增强型场效应晶体管，VDS 80V，ID 100A，PDFN5060-8L封装。规格书链接：https://www.sekorm.com/doc/3166756.html

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技术支持采购服务

国产替代

NVMFS5C460N MOSFET–功率，单N沟道

July, 2019 - 数据手册

ONSEMI - N−CHANNEL MOSFET,N−沟道MOSFET,POWER MOSFET,功率 MOSFET,NVMFS5C460N,NVMFS5C460NT1G,NVMFS5C460NWFT1G,NVMFS5C460NWF

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材料成分声明40V 5.3 mohm T6 S08FL单

2018-01-20 - 测试报告本资料为元器件制造商对产品中物质声明的文件，包括产品名称、型号、材料成分、RoHS合规性声明、物质含量等详细信息。文件详细列出了产品中使用的各种材料及其含量，并声明产品符合RoHS指令要求。

ONSEMI - NVMFS5C460NWFT1G

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国产替代

NCV881930/NCV891930-混合电容技术滤波应用说明

March, 2019 - 应用笔记或设计指南本文介绍了混合技术陶瓷和铝聚合物（或固态铝电解质）电容器在输出滤波中的应用。针对高输出电流应用，文中提出了一种混合技术解决方案，以降低成本并减少PCB面积。文章详细讨论了NCV881930和NCV891930汽车同步降压控制器，并提供了推荐的电感值、电流检测电阻和输出滤波组件。此外，还提供了混合电容器技术的推荐值，并分析了不同电容器ESR值对输出电压瞬态响应的影响。

ONSEMI - LOW QUIESCENT CURRENT AUTOMOTIVE SYNCHRONOUS BUCK CONTROLLERS,低静态电流汽车同步降压控制器,NCV881930MW00,NVMFS5C460NL,NCV891930MW00R2G,NCV881930MW00R2G,NVTFS5C478NL,NCV891930MW00,NCV881930,NVMFS5C468NL,NCV891930,NVMFD5C470NL,汽车,AUTOMOTIVE

国产替代

NVMFS5C460N MOSFET-功率，单N沟道\n

July, 2019 - 数据手册

ONSEMI - SINGLE N-CHANNEL MOSFET,N−CHANNEL MOSFET,N−沟道MOSFET,POWER MOSFET,单N沟道MOSFET,功率 MOSFET,NVMFS5C460N,NVMFS5C460NT1G,NVMFS5C460NWFT1G,NVMFS5C460NWF

国产替代

NVMFS5C460NT1G材料成分声明

2019-09-04 - 测试报告本资料为某制造商对其产品中含有的物质进行的声明，包括产品编号、材料成分、环保合规性等信息。声明中详细列出了产品中使用的各种材料及其含量，并说明了是否符合欧盟RoHS指令的要求。此外，还提供了产品的制造信息、温度参数和焊接工艺等细节。

ONSEMI - NVMFS5C460NT1G

国产替代

NCV881930 100 W汽车预调节器，非隔离，同步降压，基于参考设计

2021/8/6 - 应用笔记或设计指南本资料介绍了基于NCV881930同步降压控制器和NVMFS5C460NL 40V N通道MOSFET的100W非隔离式同步降压汽车预调节器。该参考设计适用于多种应用，突出了NCV881930控制器的功能，包括集成补偿、低静态电流、连续同步模式、宽输入范围、过流保护、外部同步、自适应非重叠驱动、集成频谱展宽和欠压锁定。设计为完整解决方案，并提供关键特性细节。

ONSEMI - AUTOMOTIVE PRE-REGULATOR,汽车预调节器,GRM1885C1H101JA01D,N/A,ED120/2DS,5000,5001,5002,CRCW06030000Z0EA,CRCW06031R00FKEA,NVMFS5C460NL,GCJ32ER71H475KA12,PCJ0J221MCL1GS,NCV881930,GCM32ER71C226KE19L,GYA1V271MCQ1GS,CRCW0603332RFKEA,NCV881930MW00R2G,CRCW25120000Z0EG,ERJ-M1WTF3M0U,XAL1580-132MEB,NRVBAF440T3G,CRCW060310K0FKEA,GCJ188R71H104KA12,GCJ188R71E105KA01D,61300311121,XAL7030-102MEB,NVMFS5C460NLAFT1G,汽车,AUTOMOTIVE

国产替代

产品概述NVMFS5C410NL：功率MOSFET 40V，330A，0.82 mOhm，单N沟道，SO8-FL，逻辑电平。

11/19/2017 - 商品及供应商介绍 NVMFS5C410NL是一款40V、330A、0.82mΩ的单通道功率MOSFET，采用SO8-FL封装，适用于逻辑电平。该产品专为紧凑高效设计而设计，具有高热性能。它具有可湿边选项，适用于汽车应用，并通过AEC-Q101认证。产品特点包括小尺寸（5x6mm）、低RDS(on)、低QG和电容、可湿边选项、AEC-Q101认证和无铅。适用于汽车电池保护、开关、电源转换器、电磁阀驱动、电机控制等应用。

ONSEMI - 单N沟道功率MOSFET,SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET,AUTOMOTIVE POWER MOSFET,汽车级功率MOSFET,NVMFS,NVMFS5C410NL,NVMFS5C410NLAFT1G,SOLENOID DRIVER,SWITCHING POWER SUPPLIES,开关电源,HIGH SIDE DRIVER,电机控制,MOTOR CONTROL,LOAD SWITCH,H-BRIDGES,低端驱动器,LOW SIDE DRIVER,电磁阀驱动器,高压侧驱动器,负载开关,H桥

国产替代

产品概述NVMFS6B14N：功率MOSFET 100V，55A，15mohm，单N沟道，SO8-FL。

11/19/2017 - 商品及供应商介绍 NVMFS6B14N是一款100V、55A、15mΩ的单通道MOSFET，采用SO8-FL封装，适用于紧凑高效的设计。该产品具有低导通电阻、低QG和电容、可湿边选项等特点，符合AEC-Q101标准，适用于汽车应用。主要应用领域包括高-低侧驱动器、H桥、开关电源、继电器驱动器、电机控制等。

ONSEMI - NVMFS6B14NT3G,NVMFS6B14N,NVMFS6B14NT1G,NVMFS6B14NWFT1G,NVMFS6B14NWFT3G

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产品概述NVMFS6B03N：功率MOSFET 100V，145A，4.8 mOhm，单N沟道，SO8-FL。

11/19/2017 - 商品及供应商介绍 NVMFS6B03N是一款100V、145A、4.8mΩ的单通道功率MOSFET，采用5x6mm扁平引脚封装，适用于紧凑高效的设计。该产品具有低导通电阻、低QG和电容、湿边选项等特点，符合AEC-Q101标准，适用于汽车应用。主要应用于高-低侧驱动器、功率开关、开关电源、电磁阀驱动器、电机控制等领域。

ONSEMI - NVMFS6B03NWFT3G,NVMFS6B03NT1G,NVMFS6B03NWFT1G,NVMFS6B03NT3G,NVMFS6B03N

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