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Product Overview FDS86242: 150V N-Channel PowerTrench® MOSFET

发布时间： 2018-06-19

类型：数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载

品牌：

ONSEMI（ON Semiconductor）

型号：

FDS86242

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数据手册 - 英文	FDS86242 N沟道PowerTrench®MOSFET 150 V，4.1 A，67 mΩ Rev. 1	下载
测试报告 - 英文	材料成分声明FDS86242 2018-01-23	下载
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数据手册 - 英文	FDMC035N10X1:N沟道PowerTrench®MOSFET 100 V，5.5 A，37 mΩ 12/15/2017	下载
数据手册 - 英文	FDT86106LZ N沟道PowerTrench®MOSFET 100 V、3.2 a、108 MΩ Rev.C2	下载
数据手册 - 英文	FDT86106LZ N沟道PowerTrench®MOSFET 100 V、3.2 a、108 MΩ Rev.C2	下载
数据手册 - 英文	FDD5670 N沟道PowerTrench®MOSFET 60V Rev. 2	下载
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数据手册 - 英文	FDT86102LZ N沟道PowerTrench®MOSFET产品概述 8/16/2019	下载
数据手册 - 英文	FDP030N06:N沟道PowerTrench®MOSFET 60V，193A，3.2mΩ产品概述 8/10/2019	下载
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数据手册 - 英文	产品概述FDN86246:150V N沟道PowerTrench®MOSFET 1/19/2018	下载
数据手册 - 英文	产品概述FDN86246:150V N沟道PowerTrench®MOSFET 12/27/2017	下载
数据手册 - 英文	FDS8449 40V N沟道PowerTrench®MOSFET Rev 2	下载
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数据手册 - 英文	FDP16AN08A0 N沟道PowerTrench®MOSFET Rev. C2	下载
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FEBFDMQ8203ÿW用户指南

本资料为Fairchild Semiconductor提供的GreenBridge™ Evaluation Kit for Power Over Ethernet 25 W Flyback DC-DC MLP 4.5x5用户指南。指南详细介绍了该评估套件的设计、功能、规格、电气特性、测试步骤和性能数据。该套件用于评估25W以太网供电（PoE）解决方案，包括FDMQ8203四通道MOSFET、FDS86242和FDMC7692S等组件。指南还包括PCB布局、原理图、物料清单和注意事项。

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FDB8160 0U F085:30V，80A，1.5mΩN沟道PowerTrench®MOSFET

该资料介绍了FDB8160_F085型30V、80A、1.5mΩ N-Channel PowerTrench® MOSFET的产品概述。该器件具有低导通电阻、低Miller电荷、低Qrr体二极管等特点，适用于信息娱乐、便携式导航、动力系统等应用。产品符合AEC Q101标准，并符合RoHS要求。

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产品概述FDMS86550:60V N沟道PowerTrench®MOSFET

FDMS86550是一款60V N-Channel PowerTrench® MOSFET，采用Fairchild Semiconductor的先进Power Trench®工艺制造，旨在降低导通电阻并保持优异的开关性能。其主要特点包括：最大导通电阻rDS(on)为1.65mΩ（VGS=10V，ID=32A）和2.2mΩ（VGS=8V，ID=27A），采用低rDS(on)和高效率的先进封装和硅组合，MSL1坚固的封装设计，100% UIL测试，符合RoHS标准。

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产品概述FDMS030N06B:N沟道PowerTrench®MOSFET 60V、100A、3mΩ

FDMS030N06B是一款60V、100A、3mΩ的N-Channel PowerTrench® MOSFET。采用Fairchild Semiconductor的PowerTrench®工艺，具有低导通电阻和高效能的特点。主要特性包括：2.4mΩ的典型导通电阻（VGS=10V，ID=50A）、快速开关速度、100% UIL测试，符合RoHS标准。适用于AC-DC商业电源供应、服务器和工作站、桌面PC等数据处理器。

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产品概述FDD9409\U F085:N沟道PowerTrench®MOSFET 40 V，90A，3.2mΩ

FDD9409_F085是一款40V、90A、3.2mΩ的N-Channel PowerTrench® MOSFET。该器件具有典型的RDS(on)为2.3mΩ，Qg(tot)为42nC，具备UIS能力，符合RoHS标准，并已通过AEC Q101认证。产品规格包括V(BR)DSS、VGS、VGS(th)、ID、PD、RDS(on)和Qg等参数，封装类型为TO-252-3，无铅且无卤素。

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