Product Overview FDS86242: 150V N-Channel PowerTrench® MOSFET

知识图谱

发布时间： 2018-06-19 品牌： ONSEMI 资料类型：数据手册语言：英文

●这种N沟道MOSFET是使用飞兆半导体的先进功率沟槽®工艺生产的，该工艺已针对r-DS（on）、开关性能和耐用性进行了优化。

●特征
■V-GS=10 V，I-D=4.1 A时，最大r-DS（on）=67 mO
■ V-GS=6 V，I-D=3.3 A时，最大r-DS（on）=98mO
■ 用于极低r-D（on）的高性能沟槽技术
■ 广泛使用的表面安装封装具有高功率和电流处理能力
■100%UIL测试
■符合RoHS

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产品概述FDS86242:150V N沟道PowerTrench®MOSFET

12/27/2017 - 数据手册

ONSEMI - N沟道POWERTRENCH®MOSFET,N-CHANNEL POWERTRENCH® MOSFET,N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,FDS86242

国产替代

材料成分声明FDS86242

2018-01-23 - 测试报告本资料为某制造商对产品中物质声明的文件，包括产品名称、型号、材料成分、RoHS指令合规性声明、有害物质含量等信息。文件详细列出了产品中使用的各种材料及其含量，并声明产品符合欧盟RoHS指令的要求。

ONSEMI - FDS86242

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国产替代

FEBFDMQ8203ÿW用户指南

November 28, 2012 - 用户指南本资料为Fairchild Semiconductor提供的GreenBridge™ Evaluation Kit for Power Over Ethernet 25 W Flyback DC-DC MLP 4.5x5用户指南。指南详细介绍了该评估套件的设计、功能、规格、电气特性、测试步骤和性能数据。该套件用于评估25W以太网供电（PoE）解决方案，包括FDMQ8203四通道MOSFET、FDS86242和FDMC7692S等组件。指南还包括PCB布局、原理图、物料清单和注意事项。

ONSEMI - 评估板,EVALUATION KIT,EVALUATION BOARD,评估套件,C3225X7RIC226M,GRM32ER71E226KE15L,C0805C823K1RACTU,BSS63LT,GRM32ER72A225KA35,MMBT2222A,PE-68386NL,C4520X7R3D102K,HMHA2801,ETH1-230LD,SMAJ58A,1N4148WS,MMBT2907A,RJ45,FEBFDMQ8203_25 W,C2012X7R2A103K,ATX12V 6P,MBR0540,F930J107MBA,MM5Z10V,LTC4269-1,FEBFDMQ8203_25,FDMQ8203,PDZ36B,BAS21,FDS86242,GA343D,FDMC7692S,PA2369NL

国产替代

FDS86242 N沟道PowerTrench®MOSFET 150 V，4.1 A，67 mΩ

Sept 2017 - 数据手册

ONSEMI - N沟道POWERTRENCH®MOSFET,N沟道MOSFET,N-CHANNEL POWERTRENCH® MOSFET,N -CHANNEL MOSFET,FDS86242,高压同步整流器,PRIMARY SWITCH FOR 24V SYSTEMS,离线式UPS,DC/DC变换器,48V系统的主开关,VRMS,HIGH VOLTAGE SYNCHRONOUS RECTIFIER,DC/DC CONVERTERS,DISTRIBUTED POWER ARCHITECTURES,分布式电源架构,电压有效值,PRIMARY SWITCH FOR 48V SYSTEMS,24V系统的主开关,OFF-LINE UPS

国产替代

FDS8978 N沟道PowerTrench®MOSFET

October-2017 - 数据手册该资料介绍了FDS8978型号的N-Channel PowerTrench® MOSFET，这是一种专为提高DC/DC转换器效率设计的MOSFET。它具有低栅极电荷、低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于同步或传统PWM控制器。

ONSEMI - N沟道POWERTRENCH®MOSFET,N-CHANNEL POWERTRENCH® MOSFET,FDS8978,DC/DC变换器,DC/DC CONVERTER

国产替代

FDB8160 0U F085:30V，80A，1.5mΩN沟道PowerTrench®MOSFET

12/19/2017 - 数据手册该资料介绍了ON Semiconductor公司生产的FDB8160_F085型号30V、80A、1.5mΩ N-Channel PowerTrench® MOSFET。该器件具有低导通电阻、低电荷存储、快速恢复体二极管等特性，适用于汽车信息娱乐、便携式导航等应用。

ONSEMI - N沟道POWERTRENCH®MOSFET,N-CHANNEL POWERTRENCH® MOSFET,FDB8160_F085,FDB8160-F085,INFOTAINMENT,POWER TRAIN,动力传动系统,便携式导航,信息娱乐,PORTABLE NAVIGATION

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FDS8880 N沟道PowerTrench®MOSFET

October-2017 - 数据手册该资料详细介绍了FDS8880型号的N-Channel PowerTrench® MOSFET，包括其特性、应用、电气特性、热特性、封装信息以及PSPICE和SABER电气模型。该MOSFET专为提高DC/DC转换器的整体效率而设计，具有低栅极电荷、低导通电阻和快速开关速度的特点。

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国产替代

FDS8884 N沟道PowerTrench®MOSFET

October-2017 - 数据手册本资料详细介绍了ON Semiconductor公司生产的FDS8884型号N-Channel PowerTrench® MOSFET。该产品专为提高DC/DC转换器的整体效率而设计，适用于同步或传统PWM控制器。其主要特点包括低栅极电荷、低导通电阻和快速开关速度。

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国产替代

FDS8876 N沟道PowerTrench®MOSFET

October-2017 - 数据手册该资料介绍了FDS8876型号的N-Channel PowerTrench® MOSFET，其特点包括低导通电阻、低栅极电荷、高功率和电流处理能力。该器件专为提高DC/DC转换器的整体效率而设计，适用于同步或传统PWM控制器。

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FDS8984 N沟道PowerTrench®MOSFET

October-2017 - 数据手册该资料详细介绍了ON Semiconductor公司生产的FDS8984 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特性。该MOSFET专为提高DC/DC转换器效率而设计，适用于同步或传统PWM控制器。其主要特点包括低栅极电荷、低导通电阻和快速开关速度。

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FDS8878 N沟道PowerTrench®MOSFET

October-2017 - 数据手册该资料介绍了FDS8878型号的N-Channel PowerTrench® MOSFET，该器件专为提高DC/DC转换器的整体效率而设计，适用于同步或传统PWM控制器。它具有低栅极电荷、低导通电阻和快速开关速度的特点。

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国产替代

FDS8842NZ N沟道PowerTrench®MOSFET

February 2009 - 数据手册本资料介绍了FDS8842NZ N-Channel PowerTrench® MOSFET的特性、应用领域和电气参数。该MOSFET具有低导通电阻、高电流处理能力和快速开关性能，适用于笔记本Vcore和服务器同步降压、笔记本电池和负载开关等应用。

ONSEMI - N沟道POWERTRENCH®MOSFET,N-CHANNEL POWERTRENCH® MOSFET,FDS8842NZ,SYNCHRONOUS BUCK FOR NOTEBOOK VCORE AND SERVER,LOAD SWITCH,NOTEBOOK BATTERY,负载开关,笔记本电脑VCORE和服务器的同步降压,笔记本电池

国产替代

产品概述FDMS86550:60V N沟道PowerTrench®MOSFET

11/21/2017 - 商品及供应商介绍 FDMS86550是一款60V N-Channel PowerTrench® MOSFET，采用Fairchild Semiconductor的先进Power Trench®工艺制造，旨在降低导通电阻并保持优异的开关性能。其主要特点包括：最大导通电阻rDS(on)为1.65mΩ（VGS=10V，ID=32A）和2.2mΩ（VGS=8V，ID=27A），采用低rDS(on)和高效率的先进封装和硅组合，MSL1坚固的封装设计，100% UIL测试，符合RoHS标准。

ONSEMI - N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,FDMS86550

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产品概述FDMS030N06B:N沟道PowerTrench®MOSFET 60V、100A、3mΩ

11/21/2017 - 商品及供应商介绍 FDMS030N06B是一款60V、100A、3mΩ的N-Channel PowerTrench® MOSFET。采用Fairchild Semiconductor的PowerTrench®工艺，具有低导通电阻和高效能的特点。主要特性包括：2.4mΩ的典型导通电阻（VGS=10V，ID=50A）、快速开关速度、100% UIL测试，符合RoHS标准。适用于AC-DC商业电源供应、服务器和工作站、桌面PC等数据处理器。

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产品概述FDD9409\U F085:N沟道PowerTrench®MOSFET 40 V，90A，3.2mΩ

11/19/2017 - 商品及供应商介绍 FDD9409_F085是一款40V、90A、3.2mΩ的N-Channel PowerTrench® MOSFET。该器件具有典型的RDS(on)为2.3mΩ，Qg(tot)为42nC，具备UIS能力，符合RoHS标准，并已通过AEC Q101认证。产品规格包括V(BR)DSS、VGS、VGS(th)、ID、PD、RDS(on)和Qg等参数，封装类型为TO-252-3，无铅且无卤素。

ONSEMI - N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET,N沟道POWERTRENCH MOSFET,FDD9409-F085,FDD9409_F085

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