Alliance Memory AS4C128M16D3A-12BCN DDR3数据手册
发布时间：
2016-09-19
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ALLIANCE
型号：
AS4C128M16D3A-12BCN; AS4C128M16D3A
本数据手册详细介绍了Alliance Memory AS4C128M16D3A-12BCN型2Gb DDR3同步动态随机存取存储器的技术规格与功能特性。该器件符合JEDEC标准，采用96球FBGA封装，工作电压为+1.5V，支持0至95°C的工作温度范围。其核心特性包括全同步操作、800MHz快速时钟频率、双向差分时钟及数据选通，并采用8n位预取架构与8个内部银行设计，以优化数据传输效率。此外，该存储器具备可编程读/写延迟、加法延迟、突发长度及输出驱动阻抗控制功能，支持ZQ校准、动态ODT、写等级化以及自动与自刷新模式，能够满足高性能计算系统的存储需求。Alliance Memory在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该器件，用户可通过平台获取原厂授权的正品保障，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队将提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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ALLIANCE官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是ALLIANCE的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供ALLIANCE的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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Alliance Memory——全球领先的工业级、汽车级RAM存储器厂家
Alliance Memory，总部位于美国，收购了Alliance Semiconductor存储器部门，是全球领先的高性能存储器及存储扩展逻辑产品厂家，wafer及封测厂家均由全球知名厂家提供。Wafer由全球第三大wafer供应商Global Foundries及全球排名第五的以色列公司Tower提供，封测服务则由专业的封测厂家ChipMOS提供，保证一流的品质。
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| 订货型号 | AS4C128M16D3A-12BCN | 品牌 | ALLIANCE |
| 型号系列 | AS4C128M16D3A | 品类 | SDRAM |
| 描述/说明 | 2G - New A die 128M x 16 1.5V 800MHz DDR3-1600bps/pin SDRAM | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 209 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| DENSITY | 2G | ORGANISATION | 128M x 16 |
| VCC(V) | 1.5V | CLOCK FREQUENCY(MHz) | 800MHz |
| TEMPERATURE RANGE(°C) | Commercial (Extended) (0 ~ 95°C) | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | AS6C8016-55ZIN | 品牌 | ALLIANCE |
| 型号系列 | AS6C8016 | 品类 | SRAM |
| 描述/说明 | The AS6C8016-55TIN is a 8,388,608-bit low power CMOS static random access memory organized as 524,288 words by 16 bits. I | 封装/外壳/尺寸 | 44pin TSOP II |
| 最小包装量 | 135 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| DENSITY | 8M Low | ORGANISATION | 512k x 16 |
| VCC | 2.7-5.5V | TEMPERATURE RANGE | Industrial (-40 ~ 85°C) |
| MSL LEVEL | 3 | DRY PACK YES/NO | YES |
| HTS CODE | 8542.32.0041 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥49.5449
库存：
132
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| 订货型号 | AS4C128M16D3-12BAN | 品牌 | ALLIANCE |
| 型号系列 | AS4C128M16D3 | 品类 | SRAM, 存储器 |
| 描述/说明 | 2Gbit 128M x 16 1.5V 800MHz DDR3-1600bps/pin SRAM | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 190 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 已停产(EOL) | 停产时间 | |
| Speed Grade | DDR3-1600 | Clock Frequency(MHz) | 800MHz |
| CAS Latency | 5 | t-RCD (ns) | 13.75 |
| t-RP (ns) | 13.75 | Temperature(°C) | Automotive -40°C to 105°C |
| Max Clock (MHz) | 800 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥46.4091
库存：
35
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| 订货型号 | AS4C256M16D3L-12BIN | 品牌 | ALLIANCE |
| 型号系列 | AS4C256M16D3L | 品类 | SRAM |
| 描述/说明 | Synchronous DRAM | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 190 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 已停产(EOL) | 停产时间 | |
| Speed Grade | DDR3L-1600 | Clock Frequency(MHz) | 800MHz |
| CAS Latency | 11 | t-RCD (ns) | 13.75 |
| t-RP (ns) | 13.75 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥73.3766
库存：
9
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| 订货型号 | AS4C256M8D3-12BCN | 品牌 | ALLIANCE |
| 型号系列 | AS4C, AS4C256M8D3 | 品类 | SRAM, 存储器 |
| 描述/说明 | Synchronous DRAM | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 242 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 已停产(EOL) | 停产时间 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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原厂认证
价格：
￥35.7476
库存：
8
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| 订货型号 | AS6C1616B-55TIN | 品牌 | ALLIANCE |
| 型号系列 | AS6C1616B | 品类 | SRAM |
| 描述/说明 | 1024K x 16 BIT SUPER LOW POWER CMOS SRAM,Static Random-Access Memory | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 135 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Fast access time(ns) | 45/55ns | Low power consumption(mA/µA) | Operating current: 12/10mA (TYP.)/Standby current: 5µA (TYP.) |
| VCC(V) | 2.7 ~ 3.6V | ORG | 1M x 16 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | AS4C128M16D3C-93BCN | 品牌 | ALLIANCE |
| 型号系列 | AS4C128M16D3C | 品类 | SDRAM |
| 描述/说明 | 128M x 16 bit DDR3 Synchronous DRAM (SDRAM) | 封装/外壳/尺寸 | 96-ball FBGA |
| 最小包装量 | 209 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| DENSITY | 2G - C DIE | ORGANISATION | 128M x 16 |
| VCC | 1.5V | TEMPERATURE RANGE | Commercial (Extended) (0 ~ 95°C) |
| MSL LEVEL | 3 | DRY PACK YES/NO | Yes |
| HTS CODE | 8542.32.0036 | CLOCK | 1066MHz |
| MODE or DATA RATE | DDR3-2133Mbps/pin | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | AS4C128M16D3C-93BCNTR | 品牌 | ALLIANCE |
| 型号系列 | AS4C128M16D3C | 品类 | SDRAM |
| 描述/说明 | 128M x 16 bit DDR3 Synchronous DRAM (SDRAM) | 封装/外壳/尺寸 | 96-ball FBGA |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| DENSITY | 2G - C DIE | ORGANISATION | 128M x 16 |
| VCC | 1.5V | TEMPERATURE RANGE | Commercial (Extended) (0 ~ 95°C) |
| MSL LEVEL | 3 | DRY PACK YES/NO | Yes |
| HTS CODE | 8542.32.0036 | CLOCK | 1066MHz |
| MODE or DATA RATE | DDR3-2133Mbps/pin | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | AS6C1616C-45TIN | 品牌 | ALLIANCE |
| 型号系列 | AS6C1616C family, AS6C1616C, AS6C1616C 系列, AS6C1616C series | 品类 | LOW POWER CMOS SRAM |
| 描述/说明 | 6Mb (1M x16 / 2M x8) SUPER LOW POWER CMOS SRAM | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 135 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Organization | 1M×16/2M×8 | VCC Range | 2.7 ~ 3.6V |
| Speed | 45ns | Operating current | 12mA (TYP.) |
| Standby current | 5μA (TYP.) | Data retention voltage | 1.5V (MIN.) |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥78.3938
库存：
284
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| 订货型号 | AS4C256M8D3LB-12BAN | 品牌 | ALLIANCE |
| 型号系列 | AS4C, AS4C256M8D3LB | 品类 | SRAM, 存储器 |
| 描述/说明 | 2G - B die ;256M x 8 ;DDR3-1600bps/pin | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 242 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Density | 2Gbit | Organization | 256M x 8 |
| VCC | 1.35V | Clock Frequency | 800MHz |
| Data Rate | DDR3-1600bps/pin | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
世强硬创平台提供AS4C256M8D3LB-12BAN在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，库存充足，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
AS4C256M8D3LB-12BAN 在线购买 >>
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世强硬创平台提供AS4C256M8D3LB-12BAN期货订购服务，可提前预定产能；签订期货协议后，平台将按约定时间节点保障交付，降低供应链中断风险。
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技术支持/研发服务
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企业采购服务
世强硬创平台授权代理商提供ALLIANCE快速样品申请、批量订购、精准询价及交期确认等一站式采购服务，保障正品供应、响应高效，助力研发与生产无缝衔接。
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加工定制
聚焦企业数据存储定制需求，支持定制分布式存储、集中式存储等存储架构、TB至PB级存储容量及读写速度、并发处理能力等性能指标优化，助力企业数据高效管理。
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可定制分流器电阻范围20uΩ~100uΩ，可自由设计铜排形状尺寸，电镀：镀锡/镀镍。支持RoHS指令 、AEC-Q200。认证资格：IATF16949;ISO9001；检测精度：0.1%。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
Alliance Memory AS4C128M16D3A-12BIN DDR3数据手册
2016年05月01日
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
Alliance Memory AS4C128M16D3A-12BCN可靠性报告
2016年05月01日
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Alliance Memory DDR3 DRAM(2G DDR3)PCN通知
2016年08月29日
|
下载 |
| 开发代码 - 英文 |
Alliance Memory AS4C128M16D3A-12BCN IBIS模型源程序文件
2016年09月19日
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| 数据手册 - 英文 |
Alliance Memory AS4C128M16D3A-12BAN Automotive DDR3_128Mx16 数据手册
2016年05月01日
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| 测试报告 - 英文 |
Alliance Memory AS4C128M16D3A材质成分表
2016年09月01日
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Alliance Memory 2G DDR3产品变更通知（PCN252018102）
2018年1月25日
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| 数据手册 - 英文 |
Alliance Memory AS4C128M16D3A-12BAN DDR3数据手册
Rev 1.0
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| 测试报告 - 英文 |
Alliance Memory AS4C128M16D3A-12BIN可靠性报告
2016年05月01日
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Alliance 2G DDR3'B'芯片SDRAM的产品变更通知（PCN）-修订（20210104/SM-2）
24 Feb 2021
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| 数据手册 - 英文 |
AS4C128M16D3 – 96-ball FBGA PACKAGE
Rev. 3.0
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| 测试报告 - 英文 |
Alliance Memory AS4C128M16D3A-12BAN可靠性报告
2016年05月01日
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
2G DDR3'B'芯片SDRAM产品变更通知（PCN）PCN#20210104/SM
REVISION*A
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| 开发代码 - 英文 |
Alliance Memory AS4C128M16D3A-12BIN IBIS模型源程序文件
2016年09月19日
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| 数据手册 - 英文 |
Alliance Memory AS4C128M16D3 DDR3 Synchronous DRAM (SDRAM)数据手册
Rev. 3.0
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| 测试报告 - 英文 |
Alliance Memory AS4C128M16D3A-12BIN DDR3无铅和无卤素（工业）测试报告
2016年05月01日
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Alliance 8G（1Gx8）DDR3L的产品变更通知（PCN）
20201014/SM
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| 开发代码 - 英文 |
Alliance Memory DDR3 AS4C128M16D3 IBIS模型文件
2013年10月07日
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| 数据手册 - 英文 |
Alliance Memory 汽车级DDR3 AS4C128M16D3-12BAN数据手册
Rev 1.0
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| 测试报告 - 英文 |
Alliance Memory AS4C128M16D3-12BCN/12BIN/12BAN材质成分表
2016年03月22日
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Alliance Memory DDR3 DRAM(1G DDR3)PCN通知
2016年09月29日
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| 数据手册 - 英文 |
Alliance Memory 汽车级AS4C128M16D3L DDR3L Synchronous DRAM数据手册
2015年05月01日
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| 测试报告 - 英文 |
Alliance Memory AS4C128M16D3-12BAN可靠性报告
2015年10月19日
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知（PDN）针对Alliance Memory的256Mb（16Mx16）、512Mb（32Mx16）和512Mb（16Mx32）低功耗DDR1 SDRAM，分别采用60球和90球FBGA封装。
2025/08/16
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| 数据手册 - 英文 |
Alliance Memory AS4C128M16D3L DDR3L Synchronous DRAM数据手册
2014年08月01日
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| 测试报告 - 英文 |
Alliance Memory AS4C128M16D3L-12BCN/12BIN/12BAN材质成分表
2016年03月22日
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Alliance内存1Gb DDR2 SDRAM母版非A部件的产品更改通知（PCN）
REVISION*A
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| 数据手册 - 英文 |
AS4C128M16D3C-93BCN AS4C128M16D3C-93BIN 128M X 16位DDR3同步DRAM（SDRAM）
Rev 1.1
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| 测试报告 - 英文 |
Alliance Memory AS4C128M16D3B-12BCN/AS4C128M16D3LB-12BCN材质成分表
2016年09月18日
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Alliance 1Gb（128M x 8）DDR1 SDRAM的产品停产通知（PDN）
SLS-0009 REVISION*A
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技术论坛
alliance DDR3存储芯片AS4C128M16D3A-12BAN的ROW地址和column地址是多少
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请问Alliance的2GB双数据速率3 DRAM产品AS4C128M16D3A-12BIN DDR3是否与AS4C128M16D3LA-12BIN pin to pin兼容？
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行车记录仪项目上之前用的是容量为2GB， 16bit 1333Mbps 667MHZ的DDR3存储器，现在用AS4C128M16D3-12BIN，请问在软硬件设计上需要做些什么考虑？
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Alliance＃AS4C128M16D3LB-12BIN此物料目前是停产状态，我司是用于银行金融设备项目需求，请确认替代型号.
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光模块测试系统，在用NT5CC128M16JR-EK，是否有可以兼容的型号推荐？
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应用/方案
【方案】高可靠性路由器优选元器件方案
本方案基于PowerIntegrations的AC-DC芯片INN3166C-H102，圣邦微的LDO芯片SGM2036-ADJ ，Alliance的存储芯片AS4C128M16D3LA-12BCN和Laird的导热硅脂Tgrease 880导热垫片Tflex HD300，实现路由器的稳定，可靠运行。
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Alliance Memory Expanded Automotive Grade DRAM Portfolio
Alliance Memory announced that its synchronous DRAM (SDRAM) portfolio now features a wide variety of components that provide an automotive temperature range of -40℃ to +105℃ and are fabricated and assembled to automotive quality standards.
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Alliance Memory Expanded Lineup of High-Speed CMOS DDR4 SDRAMs AS4C1G8D4 and AS4C512M16D4 With 8Gb Devices
Delivering improved performance over previous-generation DDR3 SDRAMs, the ALLIANCE AS4C1G8D4, and AS4C512M16D4 offer lower power consumption and faster data transfer rates in 78-ball and 96-ball FBGA packages, respectively.
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Alliance Memory Introduced Die Version for 2Gb and 4Gb DDR3 and DDR3L SDRAMs Providing New Memory Chip Source in Face of Market Shortages
To address the memory market’s shortage of high-speed CMOS DDR3 and low-voltage DDR3L SDRAMs, Alliance Memory announced a new die revision (B die) for its 2Gb and 4Gb devices in the 96-ball FBGA package.
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Alliance Memory Developed Low-Power, High-Speed Mobile CMOS DDR SDRAMs With 256-Mb, 512-Mb, 1-Gb, and 2-Gb Densities
Alliance Memory introduced a line of high-speed mobile CMOS double data rate synchronous DRAMs (High-Speed Mobile CMOS DDR SDRAMs) designed to increase efficiency and extend battery life in compact portable devices.
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