DSG048N08N3 120A 85V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
发布时间:
2023-11-29
类型:
数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
WXDH ELECTRONICS(东海半导体)
型号:
DSG048N08N3; DSGXXXNEXXNA
本数据手册详细介绍了DSG048N08N3型N沟道增强型功率MOSFET的技术规格与应用特性。该器件采用先进的分割栅槽技术设计,具备4.1mΩ的超低导通电阻、低栅极电荷及低反向转移电容等显著优势,并通过了100%单脉冲雪崩能量测试及ΔVDS测试,确保了高雪崩电流承受能力与系统可靠性。凭借优异的开关特性和热性能,该MOSFET被广泛应用于SMPS同步整流、硬切换和高速电路、电动工具、UPS不间断电源以及电机控制等领域。针对文中所述器件,[品牌]在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该方案,用户可通过平台获取原厂授权的正品器件,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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WXDH ELECTRONICS官方授权代理:世强先进(深圳)科技股份有限公司
世强先进(深圳)科技股份有限公司是WXDH ELECTRONICS的官方授权代理,是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业,世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台,平台不仅提供WXDH ELECTRONICS的正品现货、透明报价与稳定交期,还整合原厂技术资源,联合双方FAE团队,为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务,助力研发高效落地,保障供应链安全可靠。
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自主研发、封测、一线晶圆厂流片的国家高新技术企业——WXDH ELECTRONICS(东海半导体)
江苏东海半导体科技有限公司是一家从事半导体分立器件和集成电路的开发设计、封装测试和销售的高新技术企业。公司研发团队来自国际大厂意法半导体以创新为动力,不断开发新产品,集产、学、研于一身,已拥有各项专利近百项。江苏东海配有先进的全自动生产设备。
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| 订货型号 | DSG048N08N3 |
| 品牌 | WXDH ELECTRONICS |
| 型号系列 | DSG048N08N3 |
| 品类 | SGT MOS |
| 描述/说明 | Polarity:N,VDS(V):85,Vth typ(V):3 |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-220 |
| 最小包装量 | 1,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Polarity | N |
| VDS(V) | 85 |
| Ron10 typ(mΩ) | 4.1 |
| Ron10 max(mΩ) | 4.8 |
| Vth typ(V) | 3 |
| ID(A) | 120 |
| Ciss(pF) | 4391 |
| Coss(pF) | 639 |
| Qg(nC) | 56 |
| Qgd(nC) | 7.4 |
| Qualification | Industry |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
库存:
0
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| 订货型号 | F13N50 |
| 品牌 | WXDH ELECTRONICS |
| 型号系列 | F13N50 |
| 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 13A 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-220F |
| 最小包装量 | 1,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Low on resistance | Rdson≤0.45Ω |
| Low gate charge Typ | 40nC |
| Low reverse transfer capacitances Typ | 11pF |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
库存:
0
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资料平台
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DSP051N10N 96A 100V N沟道增强型功率MOSFET
Rev. 1.1
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DSG030N10N3/DSE028N10N3 170A 100V N沟道增强型功率MOSFET
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DSP038N08NA 130A 85V N沟道增强型功率MOSFET
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F10N65 10A 650V N沟道增强型功率MOSFET
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DHS012N06U 250A 60V N沟道增强型功率MOSFET
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DHS020N88U 240A 85V N沟道增强型功率MOSFET
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DH009N02U 320A 20V N沟道增强型功率MOSFET
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DHS044N12 160A 120V N沟道增强型功率MOSFET
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DSP032N08NA 170A 85V N沟道增强型功率MOSFET
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DH065N06P 80A 60V N沟道增强型功率MOSFET
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F7N80 7A 800V N沟道增强型功率MOSFET
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DHS031N07P 176A 68V N沟道增强型功率MOSFET
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DHS010N04U 320A 40V N沟道增强型功率MOSFET
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DHS043N85P 112A 85V N沟道增强型功率MOSFET
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DH045N04P 80A 40V N沟道增强型功率MOSFET
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DH045N04P 80A 40V N沟道增强型功率MOSFET
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DSE043N14N和DSG045N14N 180A 135V N沟道增强型功率MOSFET
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DHS044N12/DHS044N12E 160A 120V N沟道增强型功率MOSFET
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DHS044N12/DHS044N12E 160A 120V N沟道增强型功率MOSFET
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F8N50 8A 500V N沟道增强型功率MOSFET
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DSG052N14N/DSE050N14N 180A 135V N沟道增强型功率MOSFET
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F13N50 13A 500V N沟道增强型功率MOSFET
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F16N65 16A 650V N沟道增强型功率MOSFET
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DHS008N04P 100A 40V N沟道增强型功率MOSFET
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DHS021N04P 100A 40V N沟道增强型功率MOSFET
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E13N50 13A 500V N沟道增强型功率MOSFET
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DHS025N06/DHS025N06E 180A 60V N沟道增强型功率MOSFET
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DHS031N07/DHS031N07E 180A 68V N沟道增强型功率MOSFET
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DHS180N04P 170A 40V N沟道增强型功率MOSFET
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E12N65 12A 650V N沟道增强型功率MOSFET
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DH072N07/DH072N07F/DH072N 07I/DH072 N07E/DH072 N07B/DH072 N07D 80A 68V N沟道增强型功率MOSFET
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DSG053N08N3/DSE051N08N3 120A 80V N沟道增强型功率MOSFET
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DHS020N04P 170A 40V N沟道增强型功率MOSFET
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DHS010N04和DHS010N04E 180A 40V N沟道增强型功率MOSFET
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DHS020N88/DHS020N88E/DHS20N88I 180A 85V N沟道增强型功率MOSFET
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DH029N08/DHI029N08/DHE029n08/DH029n08D/DH029n08B 180A 80V N沟道增强型功率MOSFET
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DH027N06/DHF027N06/DHI027/DHE027/DHO27N06D/DH027N06B 180A 60V N沟道增强型功率MOSFET
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DHS130N06和DHS130N06E 130A 70V N沟道增强型功率MOSFET
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DHS026N06/DHS026N06F/DHS026 N06I/HDS026 N06E 180A 68V N沟道增强型功率MOSFET
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DHS055N07B/DHS055N07D 95A 68V N沟道增强型功率MOSFET
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20 N50/F20N50/I20N50/E20N50 20A 500V N沟道增强型功率MOSFET
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DH019N04/DH019N04F/DH019N 04I/DH019 N04E/DH0 19N04B/DH0 19N 04D 250A 40V N沟道增强型功率MOSFET
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4 N65/F4N65/I4N65/E4N6 5/B4N6 5/D4N5 6 4A 650V N沟道增强型功率MOSFET
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DH070N07/DH070N07F/DH070N07I/DH370N07E/DH370N07B/DH470N07D 100A 68V N沟道增强型功率MOSFET
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
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Reliable IGBT Modules for Heavy-Duty Industrial Applications
An IGBT Module is a power semiconductor device that integrates multiple Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) and freewheeling diodes into a single compact package. Unlike a single discrete IGBT, the module is designed to handle higher power and voltage requirements, making it especially suitable for large-scale industrial systems. Its internal structure combines efficient switching capabilities with the ability to manage high current loads, ensuring stable performance in demanding applications.
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Enhancing Power Tool Performance with Trench MOSFETs: A Game Changer for Efficiency
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