DSG048N08N3 120A 85V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
■描述
●该N沟道增强型功率MOSFET采用先进的分栅沟槽技术设计,提供了优异的Rdson和低栅极电荷。符合RoHS标准。
■功能
●快速切换
●低导通电阻
●低栅极电荷
●雪崩电流高
●低反向传输电容
●100%单脉冲雪崩能量测试
●100%ΔVDS测试
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产品型号
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品类
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状态
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Ciss(pF)
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Ron10 max(mΩ)
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Coss(pF)
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Qualification
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VDS(V)
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Qg(nC)
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ID(A)
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Qgd(nC)
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Ron10 typ(mΩ)
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Polarity
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Vth typ(V)
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Package
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应用
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DSG048N08N3
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SGT MOS
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量产
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4391
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4.8
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TO-220
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60V/70V6/12/18管电动车控制器等
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ID(A)
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Qgd(nC)
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Ron10 typ(mΩ)
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Polarity
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Vth typ(V)
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Ciss(pF)
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封装
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DSG048N08N3
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85
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WXDH ELECTRONICS MOSFET选型表
选型表 - WXDH ELECTRONICS WXDH ELECTRONICS提供Ptot(W):3.7W~384W;ID(A):-140A~320A;BVGSS (V) :±20V~±30V等参数的MOSFET的选型
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产品型号
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品类
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Ptot(W)
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ID(A)
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BVDSS(V) (Typ)
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BVGSS (V)
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VTH(V) (Min)
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VTH(V) (Max)
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Rdson(mΩ)(Typ)
|
EAS(mj)
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Package
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|
DH012N03P-B35
|
MOSFET
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216W
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256A
|
35V
|
±20V
|
1V
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2V
|
1.2mΩ
|
870mj
|
DFN5*6-8
|
电子商城
服务市场
世强深圳实验室提供Robei EDA软件免费使用服务,与VCS、NC-Verilog、Modelsim等EDA工具无缝衔接,将IC设计高度抽象化,并精简到三个基本元素:模块、引脚、连接线,自动生成代码。点击预约,支持到场/视频直播使用,资深专家全程指导。
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