WM2HA016120B N-Channel SiC Power MOSFET G2 MOSFET Technology
发布时间：
2023-12-06
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
中电国基南方（CETC）
型号：
WM2HA016120B
本数据手册详细介绍了CETC公司推出的WM2HA016120B型号氮化镓功率MOSFET。该器件基于先进的G2 MOSFET技术，具备高阻断电压、低导通电阻以及高速开关等显著特性。其设计优势在于易于并联且驱动简单，能够有效提升系统效率，减少冷却需求，并显著增加功率密度与系统切换频率。凭借这些技术亮点，该产品被广泛应用于太阳能逆变器、UPS逆变器、电动汽车驱动器、高压直流/直流转换器以及开关模式电源等关键领域。CETC在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该方案，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。同时，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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中电国基南方官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是中电国基南方的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供中电国基南方的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
中电国基南方 授权代理店 >>
中国最早从事SiC器件研究的科研单位之一：中电国基南方（CETC）
中电国基南方（CETC）成立于1958年，为中国电子科技集团公司第五十五研究所，拥有国内唯一的“宽禁带半导体电力电子器件实验室”，已承担十余项SiC功率电子方面的国家科技重大专项课题，专利受理206项，其中发明专利159项， PCT 10项。中电国基南方（CETC）是国内最早建立4、6英寸SiC生产线的公司，容纳圆片能力10000片/年，公司通过了GB/T 19001、ISO9001等行业认证。
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现货平台 / 中电国基南方 授权代理店
| 订货型号 | WM2HA016120B |
| 品牌 | 中电国基南方 |
| 型号系列 | WM2HA016120B |
| 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | N-Channel SiC Power MOSFET |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 1 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDC | 1200V |
| RDS | 16mΩ |
| ID | 120A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥166.6000
库存：
0
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| 订货型号 | WM2A450170K |
| 品牌 | 中电国基南方 |
| 型号系列 | WM2A450170K |
| 品类 | N-Channel SiC Power MOSFET |
| 描述/说明 | N-Channel SiC Power MOSFET,High Blocking Voltage with Low On-Resistance |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-247-3 |
| 最小包装量 | 1 |
| 包装形式 | 盒装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Drain-Source Voltage | 1700V |
| Gate-Source Voltage | -10V~23V |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | WM2A040170L |
| 品牌 | 中电国基南方 |
| 型号系列 | WM2A040170L |
| 品类 | N通道SiC功率MOSFET |
| 描述/说明 | N-Channel SiC Power MOSFET |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-247-4 |
| 最小包装量 | 1 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| V-DS | 1200V |
| R-DS(on) | 40mΩ |
| I-D@25℃ | 60A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | WM2A060065N |
| 品牌 | 中电国基南方 |
| 型号系列 | WM2A060065N |
| 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | N-Channel SiC Power MOSFET |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-263-7 |
| 最小包装量 | 1 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Drain-Source Voltage | 650V |
| Drain-Source On-State Resistance | 60mΩ |
| Continuous Drain Current | 29A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | WM2A075120B |
| 品牌 | 中电国基南方 |
| 型号系列 | WM2A075120B |
| 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | N-Channel SiC Power MOSFET |
| 封装/外壳/尺寸 | 2.8*2.85mm² |
| 最小包装量 | 1 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Drain-Source Voltage | 1200V |
| Continuous Drain Current@25℃ | 33A |
| RDS(on) | 75mΩ |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | WM2A050330L |
| 品牌 | 中电国基南方 |
| 型号系列 | WM2A050330L |
| 品类 | SiC MOSFET |
| 描述/说明 | N-CHANNEL SiC POWER MOSFET |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 1 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS | 3300V |
| RDS | 50mΩ |
| ID | 68A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1,260.0000
库存：
0
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| 订货型号 | WM1A017065K |
| 品牌 | 中电国基南方 |
| 型号系列 | WM1A017065K |
| 品类 | 碳化硅肖特基二极管 |
| 描述/说明 | N-Channel SiC Power MOSFET,Drain-Source Voltage:650V,Continuous Drain Current(25℃):118A,Drain-Source On-State Resistance:17mΩ |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-247-3 |
| 最小包装量 | 2 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Drain-Source Voltage | 650V |
| Continuous Drain Current(25℃) | 118A |
| Drain-Source On-State Resistance | 17mΩ |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥138.6000
库存：
0
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| 订货型号 | WM2A060065K |
| 品牌 | 中电国基南方 |
| 型号系列 | WM2A060065K |
| 品类 | 碳化硅场效应管 |
| 描述/说明 | N-Channel SiC Power MOSFET,Drain-Source Voltage:650V,Drain-Source On-State Resistance:60mΩ,Continuous Drain Current:29A |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-247-3 |
| 最小包装量 | 25 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Drain-Source Voltage | 650V |
| Drain-Source On-State Resistance | 60mΩ |
| Continuous Drain Current | 29A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | WM2A030065L |
| 品牌 | 中电国基南方 |
| 型号系列 | WM2A030065L |
| 品类 | 碳化硅场效应管 |
| 描述/说明 | N-Channel SiC Power MOSFET,Drain-Source Voltage:650V,Drain-Source On-State Resistance:30mΩ,Continuous Drain Current:55A |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-247-4 |
| 最小包装量 | 25 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Drain-Source Voltage | 650V |
| Drain-Source On-State Resistance | 30mΩ |
| Continuous Drain Current | 55A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥56.0000
库存：
0
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| 订货型号 | WM2A017065K |
| 品牌 | 中电国基南方 |
| 型号系列 | WM2A017065K |
| 品类 | 碳化硅场效应管 |
| 描述/说明 | N-Channel SiC Power MOSFET,Drain-Source Voltage:650V,Drain-Source On-State Resistance:17mΩ,Continuous Drain Current:81A |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-247-3 |
| 最小包装量 | 25 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Drain-Source Voltage | 650V |
| Drain-Source On-State Resistance | 17mΩ |
| Continuous Drain Current | 81A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
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世强自营,
原厂认证
价格：
￥138.6000
库存：
0
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
WM2HA040120K N沟道SiC功率MOSFET G2 MOSFET技术
Version 3.0
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| 数据手册 - 英文 |
WM2A040170L N沟道SiC功率MOSFET G2 MOSFET技术
Rev.1.0
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| 数据手册 - 英文 |
WM1A017065K N沟道SiC功率MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
WM2A060065N N沟道SiC功率MOSFET
Version 2.0
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| 数据手册 - 英文 |
WM2A075120B N沟道SiC功率MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
WM1A060065K N沟道SiC功率MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
WM2A020065K N沟道SiC功率MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
WM1A040120K N沟道SiC功率MOSFET
Version1.2
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| 数据手册 - 英文 |
WM2A017065K N沟道SiC功率MOSFET
Version 2.1
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| 数据手册 - 英文 |
WM2A060065K N沟道SiC功率MOSFET
Version 2.1
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| 数据手册 - 英文 |
WM1A040120K1 N沟道SiC功率MOSFET
Version 2.0
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| 数据手册 - 英文 |
WM2A075120L N沟道SiC功率MOSFET
Version 2.4
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WM1A080120B N沟道SiC功率MOSFET
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WM2A050330L N沟道SiC功率MOSFET
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WM2A030065K N沟道SiC功率MOSFET
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WM2A030065L N沟道SiC功率MOSFET
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WM2A040120K N沟道SiC功率MOSFET
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WM1A080120L1 N沟道SiC功率MOSFET
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WM1A080120K N沟道SiC功率MOSFET
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WM1A080120K N沟道SiC功率MOSFET
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WM1A080120K1 N沟道SiC功率MOSFET
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WM1A160120K1 N沟道SiC功率MOSFET
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WM1A160120B1 N沟道SiC功率MOSFET
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WM1A040120B1 N沟道SiC功率MOSFET
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WM1A01K170K碳化硅MOSFET
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CETC 中国电科2019企业社会责任报告
2019
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2020 中国电子科技集团有限公司 企业社会责任报告
第12版
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低空航空系统（LAAS） - 拥抱低空经济智能飞行与安全保障
September 2024
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2013 企业社会责任报告 中国电子科技集团公司
第四版
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2014 中国电子科技集团公司 企业社会责任报告
第五版
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技术论坛
我们设计一款高效率的辅助电源，三相输入380AC，输出12V 2A,拟采用国产1700V SIC MOSFET设计，RDS(ON) 700mΩ以内 ，封装TO-247-3,请问贵司有合适的国产器件推荐吗？
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应用/方案
SiC 功率器件在车载电源中的应用
本文主要探讨了碳化硅（SiC）功率器件在车载电源中的应用。文章首先介绍了SiC器件的优势，包括高禁带宽度、高击穿场强、高热导率等，以及与Si材料的对比。接着，文章分析了车载电源使用SiC的原因，包括SiC在车载电源中的趋势、前级PFC的应用、使用SiC的优势和器件选型。此外，文章还讨论了使用SiC设计时的注意事项，包括驱动电路、封装选型、双脉冲测试、短路能力和负压产生电路等方面。
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