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产品型号
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品类
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GEN
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VGS(th)(V) (Typ.)
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Junction Temperature(TJ)(MAX)(℃ )
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VDSS(V)
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Drain Current(A) TC=25℃
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质量等级
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RDS(on)(mΩ)
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Package
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Gate Charge Total(Qg)(nc)
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Total Power Dissipation(PTOT)(W)
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WM2HA016120B
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SiC MOSFET
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G2+
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2.6V
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175℃
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1200V
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120A
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工业级
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16mΩ
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Bare-die
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269nc
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576W
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WM2HA040120K N沟道SiC功率MOSFET G2 MOSFET技术
2023/8/25 - 数据手册 本资料介绍了型号为WM2HA040120K的N-Channel SiC Power MOSFET的特性。该器件采用G2 MOSFET技术，具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关和低电容等特点。它适用于可再生能源、电动汽车充电器和开关模式电源等领域。
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WM2A040170L N沟道SiC功率MOSFET G2 MOSFET技术
2024/5/15 - 数据手册 该资料详细介绍了CETC公司生产的WM2A040170L型号N-Channel SiC Power MOSFET的特性、应用领域和电气参数。该器件采用G2 MOSFET技术，具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关和低电容等特点，适用于太阳能逆变器、开关电源、高压DC/DC转换器和脉冲功率应用等。
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WM1A017065K N沟道SiC功率MOSFET
数据手册 本资料介绍了中电国基南方集团有限公司生产的WM1A017065K型号N-Channel SiC Power MOSFET。该器件具有高阻断电压、低导通电阻，适用于高速切换且电容较低的特点。它易于并联驱动，可提高系统效率，降低冷却需求，增加功率密度并提升系统开关频率。
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WM2A060065N N沟道SiC功率MOSFET
2022/4/18 - 数据手册 本资料介绍了CETC公司生产的WM2A060065N型号N-Channel SiC Power MOSFET。该器件采用第二代SiC MOSFET技术，具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关和低电容等特点。资料详细描述了产品的特性、最大额定值、电气特性、封装尺寸和注意事项。
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WM2A075120B N沟道SiC功率MOSFET
2022/8/23 - 数据手册 本资料介绍了N-Channel SiC Power MOSFET（碳化硅功率MOSFET）WM2A075120B的产品规格、特性、电学参数和应用领域。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关和高频驱动等特点，适用于可再生能源、电动汽车充电器、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。
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WM1A060065K N沟道SiC功率MOSFET
数据手册 本资料介绍了中电国基南方集团有限公司生产的WM1A060065K型号N-Channel SiC Power MOSFET。该器件具有高阻断电压、低导通电阻，适用于高速切换且电容较低的特点。其主要优点包括提高系统效率、降低冷却需求、增加功率密度和提高系统开关频率。应用领域涵盖电源供应、高压直流/直流转换器和电机驱动。
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WM2A020065K N沟道SiC功率MOSFET
2022/9/9 - 数据手册 本文档介绍了N-Channel SiC Power MOSFET（碳化硅功率MOSFET）WM2A020065K的特性、优点和应用。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速切换和易于并联及驱动等特点，适用于电动汽车充电、服务器电源供应、太阳能光伏逆变器、不间断电源（UPS）和直流/直流转换器等领域。
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WM2A017065K N沟道SiC功率MOSFET
2021/12/29 - 数据手册 本资料介绍了第二代碳化硅（SiC）功率MOSFET技术，具有高阻断电压和低导通电阻的特点。该器件适用于电动汽车充电、服务器电源、太阳能光伏逆变器、不间断电源（UPS）和直流/直流转换器等领域。
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WM1A040120K N沟道SiC功率MOSFET
数据手册 本文档介绍了中电国基南方集团有限公司生产的WM1A040120K型号N-Channel SiC Power MOSFET。该器件具有高阻断电压、低导通电阻和高速开关特性，适用于脉冲功率应用。其主要优点包括提高系统效率、降低冷却需求、增加功率密度和提高系统切换频率。文档还提供了产品的最大额定值、电气特性、热特性和反向二极管特性。
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WM2A060065K N沟道SiC功率MOSFET
2021/12/29 - 数据手册 本资料介绍了型号为WM2A060065K的N-通道碳化硅（SiC）功率MOSFET的特性、最大额定值、电学特性、热特性和封装尺寸。该器件采用第二代SiC MOSFET技术，具有高阻断电压、低导通电阻和高速度开关等特点，适用于电动汽车充电、服务器电源、太阳能光伏逆变器和不间断电源等领域。
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2022/8/23 - 数据手册 本资料介绍了CETC公司生产的WM2A075120L型号氮化镓（SiC）功率MOSFET的特性。该器件具有高阻断电压、低导通电阻，适用于高速开关应用，并支持并联操作和简单驱动。其主要优点包括提高系统效率、减少冷却需求、增加功率密度和提高系统切换频率。资料还提供了最大额定值、电学特性、典型性能曲线以及封装尺寸等信息。
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中电国基南方SiC SBD选型表
选型表 - 中电国基南方 中电国基南方提供工业级SiC SBD的以下参数选型：VR:650V~1700V，VF:1.27~1.5V，IF:4A~60A，IFSM:28A~450A，最高耐温175℃，TO-252、TO-220C-2L等多种封装形式。
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产品型号
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品类
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VR(V)
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IF(A)
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GEN
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VF(V)
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IFSM(A)
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QC(nc)
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PTOT(W)
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TJ(MAX)(℃ )
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Package
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质量等级
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WS4A004065E0
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SiC SBD
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650V
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4A
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G4
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1.28V
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32A
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11.5nc
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60W
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175℃
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TO-252
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工业级
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SEMTECH ST达林顿三极管选型表
选型表 - SEMTECH ST 先之科提供达林顿三极管选型：涵盖NPN和PNP两种极性配置。达林顿管由两只三极管复合连接，具有极高的电流放大倍数，可用微小的基极电流控制较大的集电极电流，广泛应用于功率放大、开关驱动、电机驱动、继电器驱动、LED驱动及各类需要高增益电流放大的场合。产品提供6种封装形式，从小信号放大到大功率开关均有覆盖。该系列达林顿管电流放大倍数高达140000，可用极小的控制电流驱动大功率负载，简化驱动电路设计。集电极电流能力最高10A，配合2.3W的功耗能力，可满足中等功率开关和放大需求。饱和压降低至2V以内，降低了导通损耗。特征频率最高220MHz，适用于中高频开关应用。NPN/PNP双极性覆盖，方便推挽和桥式驱动电路设计。
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产品型号
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品类
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封装
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Polarity
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PD(W)
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VCBO(V)
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VCEO(V)
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IC (A)
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HFE_Min
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HFE_Max
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Vcesat(V)
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fT(MHZ)
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FCX605U
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达林顿三极管
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SOT-89
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NPN
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1
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140
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120
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1
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2000
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100000
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1
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150
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电子商城
现货市场
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
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