平面芯片(4 寸) RoHS（SGS）检测报告（SHAEC23007623312）
发布时间：
2023-12-18
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
捷捷微电（JieJie Microelectronics）
型号：
-
本检测报告由权威机构SGS出具，详细记录了针对江苏捷捷微电子股份有限公司提供的4寸平面芯片进行的RoHS合规性检测。该检测严格依据RoHS指令2011/65/EU附录II及其修正指令(EU) 2015/863的要求，对铅、汞、镉、六价铬、多溴联苯、多溴二苯醚以及邻苯二甲酸酯类等有害物质进行了全面筛查。报告显示，通过采用ICP-OES、UV-Vis、GC-MS等多种精密分析方法，所有受检物质的含量均符合相关限值标准，验证了该平面芯片在环保与安全方面的可靠性。江苏捷捷微电子在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理，并提供技术支持及采购服务。基于该报告的检测结果，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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捷捷微电官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是捷捷微电的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供捷捷微电的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics）
捷捷微电子公司创建于1995年，是集芯片研发、芯片制造、封测和销售为一体的江苏省高新技术企业，是国内领先的高品质功率半导体器件IDM，自2017年起便一直位列在中国半导体行业协会年选的中国半导体功率器件十强企业，中/低压 MOSFETs 技术达国际一线大厂水平。
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技术支持/研发服务
世强硬创平台整合捷捷微电原厂及授权代理商FAE资源，提供覆盖选型、设计、调试到量产的全流程技术支持，响应快、专业强，助力研发高效落地。
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企业采购服务
世强硬创平台授权代理商提供捷捷微电快速样品申请、批量订购、精准询价及交期确认等一站式采购服务，保障正品供应、响应高效，助力研发与生产无缝衔接。
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加工定制
提供语音芯片、MP3芯片、录音芯片、音频蓝牙芯片等IC定制，语音时长：40秒~3小时（外挂flash），可以外挂TF卡或U盘扩容。
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资料平台
| 测试报告 - 中文 |
平面芯片(5 寸) RoHS (SGS) 检测报告(SHAEC24009720604)
2024 年 05 月 21 日
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| 测试报告 - 中文 |
平面芯片(5 寸) RoHS (SGS) 检测报告(SHAEC24009720608)
2024 年 05 月 21 日
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| 测试报告 - 中文 |
检测报告 编号: SHAEC25011745402
2025年05月23日
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| 测试报告 - 英文 |
检测报告 编号: SHAEC25011745404
2025年05月23日
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| 测试报告 - 中文 |
平面器件芯片(4寸) RoHS（SGS）检测报告（TAOEC2305620802）
TAOEC2305620802
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| 测试报告 - 英文 |
平面器件芯片（4英寸）RoHS（SGS）测试报告（SHAEC23007623311）
Jun 28, 2023
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| 测试报告 - 英文 |
平面器件芯片（4英寸）RoHS（SGS）检测报告（TAOEC2305620801）
10 Aug 2023
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| 测试报告 - 英文 |
平面器件芯片（5英寸）RoHS（SGS）检测报告（SHAEC24009720603）
May 21, 2024
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| 测试报告 - 英文 |
平面器件芯片（5英寸）RoHS（SGS）检测报告（SHAEC24009720607）
May 21, 2024
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| 数据手册 - 英文 |
JMSH0402AGQ 40V 1.6mW N沟道功率MOSFET
Rev. 1.3
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| 数据手册 - 英文 |
JMSH0406PGD 40V，50A，4.9mΩN沟道功率SGT MOSFET
REV 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
JSKT200和JSKH200
Rev.3.0
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| 数据手册 - 英文 |
PXXX1DM TSS
Rev.1.4
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| 数据手册 - 英文 |
JMTQ080P03A-30V、-50A、8.1mΩP沟道功率Trench MOSFET
REV 1.5
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| 数据手册 - 英文 |
用于ESD保护的JEU12N3-Co TVS二极管阵列
Rev.1.1
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| 数据手册 - 英文 |
JJT10N65SC 650V 10A沟槽场截止IGBT
REV A.1.0
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| 数据手册 - 英文 |
JECR7506SL外延超高速软恢复整流器
Rev.1.7
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| 数据手册 - 英文 |
JCT812K 12A可控硅
Rev.A.1.0
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| 数据手册 - 英文 |
用于ESD保护的JEU18N3 TVS二极管阵列
Rev.1.2
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| 数据手册 - 英文 |
JMSH0802PTL 80V，229A，1.3mΩN沟道功率SGT MOSFET
REV 1.1
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| 数据手册 - 英文 |
JMTG200C03D±30V、29A和-27A、21mΩ和20mΩN和P沟道功率Trench MOSFET
REV 1.2
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| 数据手册 - 英文 |
用于ESD保护的JEB03SCDF双向TVS二极管
Rev.1.2
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| 数据手册 - 英文 |
JMSL1040AK 100V 32mW N沟道功率MOSFET
Rev. 1.3
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| 数据手册 - 英文 |
JVR431分流电压基准
Rev. 1.1a
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| 数据手册 - 英文 |
JMTG035N04A 40V、100A、3.0mΩN沟道功率Trench MOSFET
REV 1.3
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| 数据手册 - 英文 |
JJT50N65UE 650V 50A沟槽式磁场截止型IGBT
REV A.1.1
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| 数据手册 - 英文 |
JMTQ35N06A 60V、35A、15mΩN沟道功率Trench MOSFET
REV 1.4
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| 数据手册 - 英文 |
JMSH1504NE7 150V，154A，3.7mΩN沟道功率SGT MOSFET
REV 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
JMSH040SPG 40V，324A，0.7mΩN沟道功率SGT MOSFET
REV 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
JMSH0606PGQ 60V，118A，3.9mΩN沟道功率SGT MOSFET
REV 1.3
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| 数据手册 - 英文 |
JMSH0401PTSQ 40V，381A，0.9mΩN沟道功率SGT MOSFET
REV 1.2
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| 数据手册 - 英文 |
JMSL1010PK 100V，80A，8.1mΩN沟道功率SGT MOSFET
REV 1.1
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| 数据手册 - 英文 |
JMSL0608PK 60V，53A，8.7mΩN沟道功率SGT MOSFET
REV 1.1
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| 数据手册 - 英文 |
JST138C-1600D 12A双向可控硅
Rev.A.1.0
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| 数据手册 - 英文 |
JMSH1006PE 100V，116A，5.7mΩN沟道功率SGT MOSFET
REV 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
浪涌电流齐纳二极管规格：BZT52B系列
Rev.1.2
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| 数据手册 - 英文 |
JOC301X、JOC302X、JOC305X、JOC307X系列直流输入、随机相位光电双向可控硅耦合器
2024/3/25
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| 数据手册 - 英文 |
JPCR3006SL外延平面超高速软恢复整流器
Rev.1.0
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| 数据手册 - 英文 |
JSKD/JSMD/JSND200二极管模块
Rev.4.0
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| 数据手册 - 英文 |
JVL102Y 100V 2.8mΩN沟道功率MOSFET
Rev. 1.0
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
去使用世强AI >>
应用/方案
ESD防护二极管芯片制造工艺演进：从平面工艺到先进节点集成
本文深入探讨了ESD防护二极管芯片制造工艺从传统平面工艺到先进节点集成的演进历程，分析了工艺微缩带来的挑战，并介绍了SAB改进、阱优化、BCD工艺及FinFET协同等先进集成方案，展望了新材料与系统级防护的未来趋势。
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【应用】速率高达1.1MHz的模数转换芯片CS1238助力平面罗盘设计，24位高分辨率
平面罗盘是数字罗盘的一种，在使用时要求罗盘必须保持水平，如果倾斜，会造成测量误差，影响实际的测量值，这种产品被广泛应用于船舶、航空航天、车辆等自主导航等领域。对于这种高精度产品，对其内部的芯片要求精度也高，对于ADC，这里推荐芯海的一款高精度、低功耗模数转换芯片CS1238。
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【产品】基于平面光波导PLC技术的分路器芯片用于光纤通信系统，能在波长1260~1650nm的范围内实现均匀分光
太辰光推出平面波导PLC技术的分路器芯片能够在波长1260nm~1650nm的范围内实现均匀分光。具有低插入损耗、低偏振损耗、高可靠性等特点，可广泛运用于FTTx系统及其它光纤通信系统和设备中。
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【产品】采用平面芯片结构的平面齐纳二极管BW-D3AxxxT1G-2系列，耗散功率200mW
槟城电子推出的平面齐纳二极管BW-D3AxxxT1G-2系列采用SOD-323塑料封装，其支持的齐纳电压标称值范围为5.1V~20V，额定正向电压值为0.9V（IF=10mA），耗散功率为200mW，存储温度范围为-55℃~+150℃。
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【产品】超小型表面贴装封装的齐纳二极管BZT52CxxSV系列，具有平面芯片结构，适用于自动化装配工艺
丽正国际推出采用超小型表面贴装封装的齐纳二极管BZT52CxxSV系列产品，多个型号可选，具有平面芯片结构，齐纳电压范围2.0V～75V，耗散功率最大额定值为200mW，无卤素，通过AEC-Q101认证，适用于自动化装配工艺。
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【产品】国产70V/225mW表面贴装开关二极管，采用硅外延平面芯片设计，具有高电导性
安邦半导体推出的 BAL99/BAV99/BAW56/BAV70 225mW表面贴装开关二极管，采用硅外延平面芯片设计，具有快速切换功能，适用于通用开关应用场合。具有高电导性，反向电压70V，正向电流最大200mA，正向峰值浪涌电流最大500mA，无铅器件，满足RoHS要求。
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【产品】能够兼容各种非平面的IC芯片散热薄片T-WING®，降温可达10~20°C
Parker Chomerics推出T-WING®系列散热薄片，为空间受限的IC芯片提供了经济有效的冷却手段，而常规的散热器却不适用。T-WING散热片由两片电绝缘薄膜以及夹在中间的 5盎司（0.007英寸/0.18毫米厚）铜箔组成。 高强度的硅胶PSA（压敏型粘合剂）提供与元件强力的粘合。 这些“热翼”型散热片的兼容属性支持与非平面的封装表面接近100％的粘接，以达到最佳的散热和机械性能。
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【产品】具有平面钝化芯片的标准整流器模块MDD26-08N1B，正向压降最大值为1.05V
IXYS推出的重76gMDD26-08N1B系列标准整流器模块具有平面钝化芯片，采用DCB陶瓷基座TO-240AA封装，3600V隔离电压（t=1s），改善温度和功率循环能力。正向压降非常低，最大值为1.05V（IF=40A，TVJ=125°C），高度为30mm。MDD26-08N1B系列标准整流器模块行业标准大纲、符合RoHS标准。
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