H9G3336M12Q 14W, 3.3-3.6 GHz Doherty Amplifier
发布时间：
2024-05-17
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
华太（WATECH）
型号：
H9G3336M12Q; H9G3336M12QEVB
本数据手册详细介绍了H9G3336M12Q型号的14W Doherty放大器，该器件专为3.3至3.6 GHz频段设计，是一款高性能射频解决方案。资料重点阐述了其高效率、高增益及小型化封装（6mm x 6mm QFN）等关键特性，并指出其内置输入分压器，有效简化了外围电路设计。在技术规格方面，该放大器完美支持3GPP 5G NR FR1 n78以及4G/LTE频段B42，能够满足现代通信标准对射频器件的严苛要求。主要应用场景涵盖移动基站小站、微型和宏基站的驱动放大器、5G mMIMO有源天线阵列，以及中继器和DAS系统，广泛适用于各类无线基础设施建设。基于该方案，相关品牌在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务，确保用户获取原厂授权的正品器件。平台支持该型号单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足，能够覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。此外，用户可依托平台专职FAE团队获得选型指导、设计验证及调试支持，从而有效缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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华太官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是华太的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供华太的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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国际领先的射频功放器件和功率半导体器件供应商——华太（Watech）
华太（Watech）成立于2010年3月16日，是集半导体器件与工艺开发、芯片设计、芯片封装、材料研发和制造为一体的高新科技企业，以射频芯片和功率芯片业务为主航道，是国际领先的射频功放器件和功率半导体器件供应商，聚焦万物互联和数字能源两大应用领域。
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现货平台 / 华太 授权代理店
| 订货型号 | HTL7G06S011P | 品牌 | 华太 |
| 型号系列 | HTL7G06S011P | 品类 | LDMOS Power Amplifier |
| 描述/说明 | The HTL7G06S011P is an unmatched discrete LDMOS Power Amplifier with 11W saturated output power covering frequency range for VHF/UHF applications. | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | 卷带包装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Drain voltage | -0.5V~25V | Gate voltage | -5V~10V |
| Operation voltage | 9V | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | HTE9G04P2K0H | 品牌 | 华太 |
| 型号系列 | HTE9G04P2K0H | 品类 | LDMOS Amplifier diode |
| 描述/说明 | The HTE9G04P2K0H is high ruggedness device designed for use in high VSWR ISM, Broadcast and Mobile Radio applications | 封装/外壳/尺寸 | ACC3210S-4L |
| 最小包装量 | 18 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Drain voltage | -0.5V~190V | Gate voltage | -5V~10V |
| Junction Temperature | 225℃ | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
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原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | HAD0230 | 品牌 | 华太 |
| 型号系列 | HAD0230 | 品类 | N-Channel MOSFET |
| 描述/说明 | HAD0230是一款集成解决方案,将 N-通道功率 MOSFET,低压振荡器,电荷泵和低功耗电压感知单元集成在T0-263封装中 | 封装/外壳/尺寸 | T0-263 |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 最大反向电压 | 100V | 低反向泄漏电流 | 0.2μA |
| 工作环境温度 | -40℃~125℃ | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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价格：
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| 订货型号 | H8G1822M100P | 品牌 | 华太 |
| 型号系列 | H8G1822M100P | 品类 | LDMOS MMIC Amplifier |
| 描述/说明 | The H8G1822M100P is a LDMOS MMIC Integrated Asymmetrical Doherty | 封装/外壳/尺寸 | OMP780-16 |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Saturation Output Power | 100W | Power Average | 6.3W |
| Operating Drain Voltage | 28V | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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库存：
0
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| 订货型号 | HMW080S120A | 品牌 | 华太 |
| 型号系列 | HMW080S120A | 品类 | SiC MOSFET |
| 描述/说明 | 华太SiC MOSFET具有超低动静态损耗及鲁棒性,目标光伏逆变器、储能、UPS,充电桩等应用 | 封装/外壳/尺寸 | TO-247-3L |
| 最小包装量 | 600 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VBRDSS max(V) | 1200 | RDS (on) Typ. | 80mohm |
| ID at 25°C max(A) | 35 | VGS(th) Typ.（V） | 3 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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￥50.0000
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| 订货型号 | HMZ040S120A | 品牌 | 华太 |
| 型号系列 | HMZ040S120A | 品类 | SiC MOSFET |
| 描述/说明 | 华太SiC MOSFET具有超低动静态损耗及鲁棒性,目标光伏逆变器、储能、UPS,充电桩等应用 | 封装/外壳/尺寸 | TO-247-4L |
| 最小包装量 | 600 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VBRDSS max(V) | 1200 | RDS (on) Typ. | 40mohm |
| ID at 25°C max(A) | 55 | VGS(th) Typ.（V） | 3 |
授权代理商：
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￥81.2500
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| 订货型号 | HMW1KS170A | 品牌 | 华太 |
| 型号系列 | HMW1KS170A | 品类 | SiC MOSFET |
| 描述/说明 | 华太SiC MOSFET具有超低动静态损耗及鲁棒性,目标光伏逆变器、储能、UPS,充电桩等应用 | 封装/外壳/尺寸 | TO-247-3L |
| 最小包装量 | 600 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VBRDSS max(V) | 1700 | RDS (on) Typ. | 1ohm |
| ID at 25°C max(A) | 6.9 | VGS(th) Typ.（V） | 3 |
授权代理商：
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￥31.2500
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| 订货型号 | HMBF1KS170A | 品牌 | 华太 |
| 型号系列 | HMBF1KS170A | 品类 | SiC MOSFET |
| 描述/说明 | 华太SiC MOSFET具有超低动静态损耗及鲁棒性,目标光伏逆变器、储能、UPS,充电桩等应用 | 封装/外壳/尺寸 | TO-263-7L |
| 最小包装量 | 600 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VBRDSS max(V) | 1700 | RDS (on) Typ. | 1ohm |
| ID at 25°C max(A) | 6.9 | VGS(th) Typ.（V） | 3 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
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世强自营,
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价格：
￥31.2500
库存：
0
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| 订货型号 | HKW75N65SHEA | 品牌 | 华太 |
| 型号系列 | HKW75N65SHEA | 品类 | IGBT单管 |
| 描述/说明 | 超低开关损耗及通态损耗,内部集成软快恢复二极管 | 封装/外壳/尺寸 | TO247-3L |
| 最小包装量 | 600 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| BV(V) | 650 | IC at 100℃ max(A) | 75 |
| VCE(sat) (V) | 1.55 | Eon(mJ) | 1.67 |
| Eoff(mJ) | 0.99 | td(on) (ns) | 14 |
| tr(ns) | 22 | td(off) (ns) | 145 |
| tf(ns) | 71 | QG(C) | 92 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
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世强自营,
原厂认证
价格：
￥31.2500
库存：
0
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| 订货型号 | HMW040S120A | 品牌 | 华太 |
| 型号系列 | HMW040S120A | 品类 | SiC MOSFET |
| 描述/说明 | 华太SiC MOSFET具有超低动静态损耗及鲁棒性,目标光伏逆变器、储能、UPS,充电桩等应用 | 封装/外壳/尺寸 | TO-247-3L |
| 最小包装量 | 600 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VBRDSS max(V) | 1200 | RDS (on) Typ. | 40mohm |
| ID at 25°C max(A) | 55 | VGS(th) Typ.（V） | 3 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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价格：
￥81.2500
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Rev. 2.2
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H8G2022M10P 10W，2.110-2.200 GHz LDMOS微波单片集成电路放大器
Rev. 3.3
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HTH2D49P060P 60W，4.5-5.0 GHz 氮化镓放大器
Rev2.0
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HTH1D27P550S 550 W，2496-2690 MHz功率放大器
Rev. 0.1
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H8G1822M100P 100W，1.805-2.170 GHz LDMOS微波单片集成电路放大器
Rev. 1.1
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HTH1D38P060P 60 W、3.3-4.0 GHz氮化镓放大器产品规格书
Rev.2.0
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HTH1D38P060P 56 W、3.4-3.8 GHz氮化镓放大器产品规格书
Rev. 2.0
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| 技术文档 - 中文 |
HS32F7D37xPTI 双核MCU
REVISED July 2024
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HTU7G06S0P5P 0.5W，1.8 - 600 MHz LDMOS放大器
Rev. 3.0
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HTU7G06S004P 4W，1.8 - 600 MHz LDMOS放大器
Rev. 1.3
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HTU7G06S002P 2W, 1.8 - 1000 MHz LDMOS Amplifier
Rev. 3.5
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HTN8G27P060P - 60W、1.8-2.7 GHz LDMOS放大器
Rev.1.0
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HTM9G09S050P 50W、1.8 - 900 MHz LDMOS放大器
Rev. 1.0
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HTM9G09S015P 15W、1.8 - 950 MHz LDMOS放大器
Rev.1.1
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HTM7G06S035P 35W、1.8-600 MHz LDMOS放大器产品规格书
Rev 2.4
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HTM7G06S035P 35W、1.8-600 MHz LDMOS放大器产品规格书
Rev. 2.4
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HTM9G06S075P 75W、1.8 - 600 MHz LDMOS放大器
Rev.2.0
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HTH9G09P700S 700W、700-960 MHz LDMOS放大器
Rev. 1.6
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HTH9G09P700S 700W、700-960 MHz LDMOS放大器
Rev. 1.6
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HTL7G09S007P 7W，1.8 - 900 MHz LDMOS放大器
Rev 1.1
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HS32F7S37xPTI单核MCU
版本号 r1p0
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HS32F7S37xPTI单核MCU
r1p0
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650V 150A 高速 IGBT (Integrated FRD)
Rev. 1.0, 02/2025
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技术论坛
华太有没有20N65的？
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
UMS CHA8254-99F Three-Stage GaN Doherty Power Amplifier In The Frequency Band 17.3‑20.3GHz
The CHA8254-99F is a three-stage GaN Doherty Power Amplifier in the frequency band 17.3‑20.3GHz. This DPA typically provides 10W of output power associated to 31% of Power Added Efficiency. Thanks to Doherty architecture, it also provides 27% Power Added Efficiency at 6dB of input back-off. The small signal gain reaches more than 29dB. The overall power supply is 15V/210mA (quiescent current). Due to a low drain voltage biasing, the CHA8254-99F provides a junction temperature below 160°C even in saturation.
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1800-2200 MHz高级Doherty对准模块：MMDS20254H
MMDS20254H是一款先进的Doherty对准模块（ADAM），专为优化现代Doherty放大器的性能而设计。该模块能够对Doherty放大器的载波和峰值路径中的射频性能进行对准和优化，从而提升整体基站性能。与Airfast®功率晶体管结合使用，该技术可提高制造良率和功率附加效率。适用于700 MHz至2700 MHz的频段，具有提高生产良率、优化Doherty带宽、提升系统效率等优势。
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R&S®THU9EVO|R&S®THV9EVO液冷式发射机系列：最好甚至更好
Rohde & Schwarz推出的R& S®THU9evo/R& S®THV9evo液冷高功率发射机家族，旨在降低地面广播的运营成本。该系列发射机基于R& S®THx9平台，提供高达43%的UHF和50%的VHF整体能效值。其特点包括高功率密度、紧凑设计、易于操作和未来ATSC 3.0支持。
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实现更高的数据速率和更大的容量手册
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SC1905 100MHz性能数据，2.6GHz，采用恩智浦a3i25X050n Doherty Pa
本资料主要介绍了Maxim Integrated的SC1905在2.6GHz频率下的性能数据，并与NXP的A3I25X050N Doherty PA进行测试对比。资料中详细展示了测试设置、关键规格参数、产品时间线、测试结果以及ACLR性能表现。
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高频电路板的选择对Doherty功率放大器的性能有很大的影响
本文主要探讨了射频到光通信领域，包括GaN功率放大器、可编程精度Eb/No发生器等技术的应用。文章还介绍了Doherty功率放大器的设计和性能，以及选择合适的电路基板材料对Doherty放大器性能的影响。此外，还讨论了电路材料特性，如介电常数、温度系数等，对Doherty放大器性能的影响。
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AWR®成功案例Cree将高性能氮化镓多尔蒂放大器的开发速度提高了70%
Cree公司利用AWR的Microwave Office设计环境，大幅提升了GaN Doherty放大器的开发效率。通过优化设计流程和精确的仿真模型，Cree成功实现了首次设计成功，并将设计时间缩短了70%。该设计环境支持从线性频率域和谐波平衡仿真到电磁分析的全面设计，提高了设计效率和产品上市速度。
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AWR®成功案例Cree将高性能氮化镓多尔蒂放大器的开发速度提高了70%
本文介绍了基于GaN HEMT晶体管的5-6 GHz WiMAX放大器的设计与制造。设计了两款平均功率分别为2.5瓦和5瓦的放大器，适用于5.5至5.8 GHz频段。这些放大器在相应的平均功率下分别产生11 dB和10 dB的增益，EVM小于2.5%，平均功率下的漏极效率大于26%。文章详细描述了优化线性性能的设计方法，包括电路合成、仿真、测试电路构建和性能测量。实验结果表明，这些放大器在WiMAX信号协议中表现出优异的线性度和效率。
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2300-2700 MHz高级Doherty对准模块：MMDS25254H
MMDS25254H是一款先进的Doherty对准模块（ADAM），专为优化现代Doherty放大器的性能而设计。该模块能够对Doherty放大器的载波和峰值路径中的射频性能进行对准和优化，从而提升整体基站性能。与Airfast®功率晶体管结合使用时，该技术可提高制造良率和功率附加效率。适用于700 MHz至2700 MHz的频段，具有提高生产良率、优化Doherty带宽、提升系统效率等优势。
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