【视频】从工控、储能、车载TBOX等市场介绍舜铭存储的FRAM产品及应用
发布时间：
2024-05-28
类型：
商品及供应商介绍，产品与供应商信息、器件厂商资料、供应商档案
品牌：
舜铭存储（Smart Memories）
型号：
SF25C20; SF25C128
该视频资料详细介绍了舜铭存储作为全球领先的新型铁电存储器龙头企业的技术实力与市场应用。舜铭存储采用HIGH-K材料并实现110nm工艺量产，成为全球第一家量产铁电存储芯片的公司，其销售额已超千万级别。通过材料技术创新和存储器架构创新，该公司的FRAM产品有效解决了传统铁电存储器面临的成本、密度及产线污染难题。产品涵盖铁电存储模块、铁电存储颗粒等多种形式，广泛应用于打印耗材、智能楼宇控制、车载TBOX及工业控制等领域，展现出巨大的市场前景。基于该方案，用户可通过世强硬创平台获取舜铭存储原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台提供的专职FAE团队将全程支持选型、设计验证及调试，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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舜铭存储官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是舜铭存储的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供舜铭存储的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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基于新型铁电存储（FRAM）工艺设计并生产存储类芯片的全球领先存储芯片供应商——舜铭存储
无锡舜铭存储科技有限公司是一家有着领先新型存储技术的片设计企业，在美国湾区设有设计中心，上海设有材料研发中心。公司以技术为先导，发明专利申请80多项，实用新型4件，获得授权31项。
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现货平台 / 舜铭存储 授权代理店
| 订货型号 | SF25C20-NWH-IR | 品牌 | 舜铭存储 |
| 型号系列 | SF25C20 | 品类 | 铁电存储器 |
| 描述/说明 | 该FRAM 芯片(铁电随机存取存储器)配置为 262,144×8 位, 通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元和 SRAM 不同,该芯片不需要电池就可以保持数据。该芯片中使用的存储单元可用于 1E6 次读/写操作*1,它的读/写耐久性大大超过FLASH 和EEPROM,且不会像 FLASH 或 EEPROM 那样需要很长的数据写入时间,而且它不需要等待时间。 | 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 95 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 电压范围 | 2.7V~3.6V | 接口类型 | SPI接口(模式0和模式3) |
| 工作频率 | 25兆赫兹 | 功耗 | 4.8毫安（25兆赫兹） |
| 低功耗 | 9微安（待机） | 工作环境温度范围 | -40℃至85℃ |
| 高速读特性 | 支持40MHz高速读命令 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
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世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
4,735
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| 订货型号 | SF25C128-NSH-CT | 品牌 | 舜铭存储 |
| 型号系列 | SF25C128 | 品类 | 铁电随机存储器 |
| 描述/说明 | 该FRAM芯片(铁电随机存取存储器)配置为16,384×8位, 通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元和SRAM不同,该芯片不需要电池就可以保持数据。芯片中使用的存储单元可用于1E6 次读/写操作*1,它的读/写耐久性大大超过FLASH和EEPROM,且不会像FLASH 或EEPROM 那样需要很长的数据写入时间,而且它不需要等待时间。 | 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | 工作频率 | 25MHz |
| 功耗 | 4.2mA（25MHz） | 待机低功耗 | 9uA |
| 容量 | 128KB | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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0
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| 订货型号 | SF25C20-NWH-IT | 品牌 | 舜铭存储 |
| 型号系列 | SF25C20 | 品类 | 铁电随机存储器 |
| 描述/说明 | 该FRAM芯片(铁电随机存取存储器)配置为262,144×8位, 通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元和SRAM 不同,该芯片不需要电池就可以保持数据。该芯片中使用的存储单元可用于1E6 次读/写操作*1,它的读/写耐久性大大超过FLASH和EEPROM,且不会像FLASH 或EEPROM 那样需要很长的数据写入时间,而且它不需要等待时间。 | 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 2,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 工作电压 | 2.7~3.6V | 工作频率 | 25NHz |
| 功耗 | 4.8mA（25MHz） | 低功耗 | 9uA（待机） |
| 容量 | 2M bit | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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原厂认证
价格：
库存：
1
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| 订货型号 | SF25C20-MSH-IR | 品牌 | 舜铭存储 |
| 型号系列 | SF25C20 | 品类 | 铁电随机存储器 |
| 描述/说明 | 该FRAM芯片(铁电随机存取存储器)配置为262,144×8位, 通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元和SRAM 不同,该芯片不需要电池就可以保持数据。该芯片中使用的存储单元可用于1E6 次读/写操作*1,它的读/写耐久性大大超过FLASH和EEPROM,且不会像FLASH 或EEPROM 那样需要很长的数据写入时间,而且它不需要等待时间。 | 封装/外壳/尺寸 | SOP8 150mil |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | 卷带 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 工作电压 | 2.7~3.6V | 工作频率 | 25NHz |
| 功耗 | 4.8mA（25MHz） | 低功耗 | 9uA（待机） |
| 容量 | 2M bit | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
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原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | SF24C512-WSH-IR | 品牌 | 舜铭存储 |
| 型号系列 | SF24C512 | 品类 | Ferroelectric Random Access Memory |
| 描述/说明 | The SF24C512 is an FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip in a configuration of 65,536 words × 8 bits, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the nonvolatile memory cells. | 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Interface | I²C Interface | Device density | 512Kb |
| Operating voltage | 1.7~5.5V | Capacity | 65,536 words × 8bit |
| Operating frequency | 1MHz | Operating current | 0.5mA (typical @1 MHz) |
| Standby current | 1μA (typical condition) | Endurance | 6E8 times / byte (typical condition) |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
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世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | SF24C64-NSH-IR | 品牌 | 舜铭存储 |
| 型号系列 | SF24C64 | 品类 | Ferroelectric Random Access Memory |
| 描述/说明 | The SF24C64 is an FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip in a configuration of 8,192words × 8 bits, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the nonvolatile memory cells. | 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Capacity | 8,192 words × 8bit | Operating voltage | 1.7V to 5.5V |
| Operating frequency | 1MHz | Operating current | 0.5mA (typical @1 MHz) |
| Standby current | 1μA (typical condition) | Endurance | 6E8 times / byte (typical condition) |
| Data retention | 10 years @ 85°C (>200 years @ 25°C) | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
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原厂认证
价格：
库存：
20
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| 订货型号 | SF24C64-WSH-IR | 品牌 | 舜铭存储 |
| 型号系列 | SF24C64 | 品类 | Ferroelectric Random Access Memory |
| 描述/说明 | The SF24C64 is an FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip in a configuration of 8,192words×8bits, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the nonvolatile memory cells. | 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Device densit | 64Kb | Endurance | 6E8 times / byte (typical condition) |
| Operating voltage | 1.7~5.5V | Green Standard | RoHS Compliant |
| Device Grade | Industrial Grade | Capacity | 8,192 words × 8bit |
| Operating frequency | 1MHz | Operating current | 0.5mA (typical @1 MHz) |
| Standby current | 1μA (typical condition) | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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￥0.0000
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| 订货型号 | SF25C128-NSH-IT | 品牌 | 舜铭存储 |
| 型号系列 | SF25C128 | 品类 | 铁电随机存储器 |
| 描述/说明 | 该FRAM芯片(铁电随机存取存储器)配置为16,384×8位, 通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元和SRAM不同,该芯片不需要电池就可以保持数据。芯片中使用的存储单元可用于1E6 次读/写操作*1,它的读/写耐久性大大超过FLASH和EEPROM,且不会像FLASH 或EEPROM 那样需要很长的数据写入时间,而且它不需要等待时间。 | 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | 管装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | 工作频率 | 25MHz |
| 功耗 | 4.2mA（25MHz） | 容量 | 128KB |
| 待机低功耗 | 9uA | ||
授权代理商：
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库存：
0
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世强硬创平台提供SF25C128-NSH-IT样品申请服务，支持工程师在研发初期快速获取器件用于功能验证与兼容性测试；样品将由原厂审核，世强协助申请，物流全程可追踪，助力加速原型开发与方案选型。
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世强硬创平台提供SF25C128-NSH-IT交期查询服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优交期。
SF25C128-NSH-IT 交期查询 >>
世强硬创平台提供SF25C128-NSH-IT期货订购服务，可提前预定产能；签订期货协议后，平台将按约定时间节点保障交付，降低供应链中断风险。
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| 订货型号 | SF25C128-NSH-IR | 品牌 | 舜铭存储 |
| 型号系列 | SF25C128 | 品类 | 铁电存储器 |
| 描述/说明 | 该FRAM芯片(铁电随机存取存储器)配置为16,384×8 位, 通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元和SRAM不同,该芯片不需要电池就可以保持数据。该芯片中使用的存储单元可用于1E6 次读/写操作*1,它的读/写耐久性大大超过FLASH 和EEPROM,且不会像FLASH 或EEPROM 那样需要很长的数据写入时间,而且它不需要等待时间。 | 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 4,000 | 包装形式 | 编带 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 电压范围 | 2.7V~3.6V | 接口类型 | SPI接口(模式0和模式3) |
| 功耗 | 4.2毫安（25兆赫兹） | 工作环境温度范围 | -40℃至85℃ |
| 工作频率 | 25兆赫兹 | 低功耗 | 9微安（待机） |
| 高速读特性 | 支持40MHz高速读命令 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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SF25C128-NSH-IR 在线购买 >>
世强硬创平台提供SF25C128-NSH-IR样品申请服务，支持工程师在研发初期快速获取器件用于功能验证与兼容性测试；样品将由原厂审核，世强协助申请，物流全程可追踪，助力加速原型开发与方案选型。
SF25C128-NSH-IR 样品申请 >>
世强硬创平台提供SF25C128-NSH-IR批量询价服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优批量价格。
SF25C128-NSH-IR 批量询价 >>
世强硬创平台提供SF25C128-NSH-IR交期查询服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优交期。
SF25C128-NSH-IR 交期查询 >>
世强硬创平台提供SF25C128-NSH-IR期货订购服务，可提前预定产能；签订期货协议后，平台将按约定时间节点保障交付，降低供应链中断风险。
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| 订货型号 | SF25C128-NSH-CR | 品牌 | 舜铭存储 |
| 型号系列 | SF25C128-NSH-CR | 品类 | 铁电存储器 |
| 描述/说明 | SPI Interface;128Kb Density;25MHz,支持40MHz高速读命令 | 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 4,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 电压范围 | 2.7V~3.6V | 待机功耗 | 9uA |
| 工作温度范围 | -25℃~60℃ | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
世强硬创平台提供SF25C128-NSH-CR在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，库存充足，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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世强硬创平台提供SF25C128-NSH-CR期货订购服务，可提前预定产能；签订期货协议后，平台将按约定时间节点保障交付，降低供应链中断风险。
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企业采购服务
世强硬创平台授权代理商提供舜铭存储快速样品申请、批量订购、精准询价及交期确认等一站式采购服务，保障正品供应、响应高效，助力研发与生产无缝衔接。
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加工定制
聚焦企业数据存储定制需求，支持定制分布式存储、集中式存储等存储架构、TB至PB级存储容量及读写速度、并发处理能力等性能指标优化，助力企业数据高效管理。
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提供语音芯片、MP3芯片、录音芯片、音频蓝牙芯片等IC定制，语音时长：40秒~3小时（外挂flash），可以外挂TF卡或U盘扩容。
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资料平台
| 数据手册 - 中文 |
SF25C128 SPI 接口铁电随机存储器 (FRAM)
V1.0
|
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| 数据手册 - 中文 |
SF25C128-C SPI 接口铁电随机存储器（FRAM）
V1.0
|
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SF24C64铁电随机存取存储器
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SF24C512铁电随机存取存储器
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技术论坛
1、存储器：舜铭存储 SF25C32
2、时差测量：瑞盟科技 MS1022
3、门电路缓冲器：安森美 NC7WZU04P6X
4、八通数模转换：瑞盟科技 MS5268
5、门电路缓冲器：安森美 NC7WZU04P6X（需要国产替代，购买整晶圆）
这几款看您们代理，是否可以买整晶圆呢？国产的。第5也需要替代，买晶圆，过裸芯都可以。另外STM32U575XX，这个也要国内替代，买整晶圆。这款MCu，Adc是1个14位，1个12位，可以用3个及以上的Adc替代。
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应用/方案
舜铭新发布高性能铁电存储器SF25C20-M，具有262144x8bit的配置，待机功耗低至1μA以下
舜铭存储欣然推出全新高性能铁电存储器SF25C20-M，待机功耗低至1μA以下，读写次数达到10的11次方(-40℃~85℃)，可为电力、仪表，工业控制、车载及可穿戴设备等应用场景提供高可靠性及低功耗的存储解决方案。
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【产品】舜铭新型FRAM采用High-K材料，实现3D架构，具备低功耗及更优读写性能优势
铁电随机存取存储器利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储，使其铁电存储产品同时拥有随机存储器和非易失性存储器的两大功能特性。舜铭存储的新型铁电存储器可以在大多数应用场景中取代中小容量的传统存储器，在提供更优的读写性能以及更低功耗的同时，提供更高的性价比。
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新型FRAM可用于AI硬件加速器的新型高速缓存
人工智能（AI）应用中，新型存储器相关的研究正在不断深入，在AI加速器等方向有很多顶尖研究团队。最近美国佐治亚理工大学的Shimeng Yu教授团队在2024年1月的顶级期刊-自然-自然综述杂志上面，介绍了用于人工智能硬件加速器的新兴高速存储器的最新进展。其中对于铁电存储器技术在该方面的应用也进行了重点的讨论。本文中舜铭存储来与大家分享该期刊论文中的重点内容。
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舜铭存储率先推出110nm新型铁电存储器工艺技术，面积缩小约40~60%，性能大幅度提升
舜铭存储联合国内有着领先半导体特色工艺的供应商积塔半导体合作开发，于2023年12月成功推出国内首款110纳米技术的新型铁电存储器产品。与现有技术相比，新产品面积缩小约40%~60%，性能大幅度提升。
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公司及新型存储器产品介绍
舜铭存储公司专注于新型铁电存储器研发与销售，拥有多项专利技术，产品涵盖小至4Mb以下、中至8Mb-256Mb、大至Gb级别市场。公司通过材料技术创新和存储器架构创新，实现高密度、低成本、低功耗，满足消费级、工控级等不同应用需求。舜铭存储产品已广泛应用于5G通信、工控仪表、可穿戴设备、工业4.0、网络设备等领域。
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设计嵌入式存储器有哪些方法
文章分析了存储器模块的独立特性及其在系统设计中的应用，指出外包设计和定制存储器设计的优势与挑战，介绍了存储器编译器的设计方法及其局限性，并强调了定制存储器在提升芯片性能方面的潜力。
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向您介绍华冠半导体 EEPROM存储芯片 HG24C256系列和HG24C512系列，高可靠宽电压存储芯片
本文介绍了HG24C256和HG24C512系列EEPROM存储芯片的技术特性、封装形式及应用领域。两款芯片支持I²C接口，具备低功耗、高耐久性等特点，适用于消费电子、工业控制、汽车电子等多个领域。
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聚辰车规级存储芯片GT25A1024A荣获2024年度中国IC设计成就奖之年度最佳存储器
凭借优异的产品性能和市场表现，聚辰车规A1等级EEPROM芯片GT25A1024A荣获2024年度中国IC设计成就奖之年度最佳存储器。获得此次荣誉，再次肯定了聚辰在引领中国IC设计产业中所做出的杰出贡献。
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语音芯片内置Flash存储器和外挂Flash存储器的区别及应用优势
语音芯片在智能家居、玩具、机器人等领域的应用越来越广泛，其中存储器是语音芯片中不可或缺的一部分。根据存储器的位置，语音芯片可以分为内置Flash存储器和外挂Flash存储器两种。本文将详细介绍这两种存储器的区别及应用优势。
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解析FLASH语音存储芯片的性能指标以及其工作原理
随着科技的不断发展，人们对于语音存储和处理的需求不断增加。FLASH语音存储芯片作为一种常见的存储技术，其性能对于语音应用的质量和效果至关重要。本文将介绍FLASH语音存储芯片的性能指标以及其工作原理，并剖析其在语音存储中的应用优势。
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芯天下1.8V 1G/2G/4Gbit低功耗 SPI NAND Flash，高性能、低功耗、小封装、兼容性强的存储器产品
芯天下最新推出的1.8V 1G/2G/4Gbit SPI NAND Flash新品是一款高性能、低功耗、小封装、兼容性强的存储器产品，广泛应用于网络通讯、物联网、消费电子等应用领域。该产品支持高速模式，内置预读功能，读取时钟频率达 108MHz，具有较快的数据传输速度，满足主流平台及网络通讯、物联网、消费电子等应用的快速启动和屏类UI刷新等需求。
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【应用】128M位串行外围接口闪存的存储芯片BY25Q128ASSIG(R)用于遥控器设计，电压范围2.7V~3.6V
在遥控器产品中，使用锂电池进行供电，通过LDO进行降压后给主控芯片供电，该方案钟使用蓝牙SOC芯片作为主控，使用蓝牙协议，信号通过无线收发器进行发射与接收。对于功能较为复杂的遥控器，还配有一Flash芯片进行功能信息的存储，推荐使用博雅的BY25Q128ASSIG(R)存储芯片。
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【应用】江波龙、ATP存储芯片助力运煤车存储采集模块方案，满足防水、大容量和恶劣环境需求，维护方便
运煤货车上安装大容量（8GB）存储采集模块，主要考验环境温度，工作可靠性和维护方便性。针对这种情况推荐江波龙eMMC、ATP SD卡两个应用方案。
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【产品】具有页写能力的串行EEPROM存储芯片24CO2/04/08/16/32/64，宽范围工作电压1.8V~5.5V
英锐芯新推出的串行EEPROM存储芯片24CO2/04/08/16/32/64是电可擦除PROM，分别采用256/512/1024/2048/4096/8192×8-bit的组织结构以及两线串行接口。电压低至1.8V，待机电流和工作电流分别为1μA和1mA。
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几种不同种类的只读存储器
文章介绍了计算机存储器的基本类型，包括主存储器（RAM和ROM）及辅助存储器。RAM分为SRAM和DRAM，具有易失性；ROM则为非易失性，包含ROM、PROM、EPROM和EEPROM四种类型，适用于嵌入式系统和无需频繁修改的场景。
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【应用】串行Flash闪存存储器TH25Q-80HA用于蓝牙模块数据存储，最高时钟频率104MHz，小尺寸封装2*3mm
蓝牙模块内部集成蓝牙功能，针对部分复杂应用，需自行配置蓝牙协议，必须用到外挂存储芯片，推荐国产紫光青藤的TH25Q-80HA系列串行Flash闪存存储器，存储容量8M bit，最高时钟频率达到104MHz，睡眠功耗0.5μA，具有尺寸小、读写速度快的优势。
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【产品】基于单总线传输的基于SHA1加密的存储器GX28E01，内置1kEEPROM和SHA1算法
中科银河芯GX28E01内置1kEEPROM和SHA1算法（ISO/IEC 10118-3）。芯片使用64位密码、320位用户定义存储、40位用户提供随机数和芯片ROM一起对数据进行加密，在主系统和附件直接提供了一个可靠度很高的加密通路。1kEEPROM分为4个页，每页256位，通过一个64位的暂存器进行读写操作。
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【应用】512M bit串行Flash闪存存储器GD25S512MD用于智能电表，采用多芯片封装MCP技术具有高存储密度
由于智能电表数据存储量的增加，传统的EEPROM不能满足要求，推荐采用大容量的Nor Flash来实现存储功能。针对智能电表数据存储应用，推荐国产兆易创新的GD25S512MD系列串行Flash闪存存储器，采用多芯片封装MCP技术，基于两个独立的GD25B256D存储器封装堆叠成一个标准的芯片，实现低引脚封装增加内存容量，提高了存储密度，并可实现高编程、擦除数据吞吐量。
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铁电随机储存器 FRAM 产品介绍
本文介绍了FRAM（铁电随机存取存储器）的技术特点和应用。FRAM具有非易失性、快速读写、低功耗等优点，适用于各种存储应用。文章详细比较了FRAM与EEPROM、FLASH等存储器的性能差异，并介绍了FRAM在RFID、物联网等领域的应用。此外，文章还介绍了Fujitsu半导体公司生产的FRAM产品及其技术规格。
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【产品】非易失性262,144字x8位铁电随机存取存储器（FeRAM），工作频率34MHz
MR45V200B是ROHM推出的一款非易失性262,144字x8位铁电随机存取存储器（FeRAM），工作频率34MHz，广泛应用于工业产品,医疗产品,通信产品。
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可替代CY62147EV30LL-45BVXI的AS4C2GM4D3L-12BIN存储器，不涨价、不缺货
当前市面上存储器严重缺货涨价，针对当前情况，笔者推荐使用Alliance公司推出的存储器替代CYPRESS的存储器。AS4C2GM4D3L-12BIN是Alliance公司推出的一款高性能存储器，存储空间为256M x16。本文将为读者介绍使用AS4C2GM4D3L-12BIN替代CY62147EV30，替换CY62147EV30可扩大存储空间。
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单芯片存算一体固态存储器SCSSD：解决行业焦虑，融合计算与存储
威固信息推出单芯片存算一体固态存储器SCSSD，集成存储与计算单元，支持软件可重构，适用于AI、雷达、视频处理等多场景。具备高可靠性和扩展性，满足高密度数据处理需求。
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千亿级规模推动存储芯片发展，芯邦科技以核心技术推动国产替代
作为国内最早布局移动存储控制芯片的公司，芯邦科技在移动存储控制芯片领域历经20年的发展和创新，移动存储控制芯片在性能、成本、优化速度、兼容性等方面具备优势，改变了该领域一直被海外厂商垄断供应的历史。
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SD NAND是什么？多维度了解存储芯片特性
SD NAND是一款存储芯片，瀚海微将通过本文详细介绍SD NAND的内部结构、优势、参考电路等，并解析了SLC、MLC、TLC、QLC和pSLC。
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【技术】解析OTP语音芯片存储器中的两种主要类型：FLASH和RAM
随着科技的不断发展，语音芯片在各个领域得到了广泛的应用。在语音芯片中，存储器的选择对芯片的性能和功能起着至关重要的作用。在本文中，九芯电子将重点讨论OTP语音芯片存储器中的两种主要类型：FLASH和RAM，它们之间的异同点。
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普通存储器差异分析
本文分析了RAM、ROM、SRAM、DRAM、Flash（NOR Flash与NAND Flash）等常见存储器之间的差异，包括性能、接口、成本、使用便捷性及应用领域。
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一款基于单总线传输的存储器
GX2431是一款基于单总线传输的存储器，内置1kEE，分为四个存储器页，每页256位。支持独立页写保护或EPROM仿真模式，通过1-Wire总线通信，具有1024位EEPROM存储器，支持宽电压和温度范围，适用于PC板识别、医疗传感器校准、墨盒识别和消费类产品售后管理等应用。
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【成功案例】清华大学携手兆易创新于IEDM发表阻变存储器论文，展示了应用于类脑计算芯片的最新研究成果
清华大学携手兆易创新于IEDM发表阻变存储器论文，展示了应用于类脑计算芯片的最新研究成果。他们的研究成果不但对高能效的人工智能芯片提供了理论和器件基础，也同样对高密度阻变存储器芯片的设计产生了重要的意义。在不久的将来，清华大学和兆易创新还将携手开发出更大规模的阻变存储器阵列。
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嵌入式存储器一般如何测试
文章分析了SoC产品在高性能与小型化趋势下的发展挑战，指出嵌入式存储器在芯片面积占比和故障率影响方面的关键问题，强调了测试效率与覆盖率的重要性，并指出我国在测试技术与设备产业化方面仍存在差距。
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【技术】语音芯片中的OTP存储器有什么优势？
语音芯片中的OTP(One-Time Programmable)存储器是指一种一次可编程的非易失性存储器，它在语音应用中具有很多优势。本王我将详细介绍OTP存储器的优势。
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【产品】4M低功率CMOS静态随机存取存储器(SRAM)，存取速度可达55ns
AS6C4008A系列是Alliance Memory推出的一款4M（512K × 8bit）存储容量的低功率CMOS静态随机存取存储器（SRAM）。该款低功率CMOS静态随机存取存储器芯片采用高性能、高可靠性的CMOS技术制成，具有低功耗、高可靠性等特性，适合低功耗系统应用，尤其适用于电池供电的非易失性存储。
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GX28E01 一款基于单总线传输的基于SHA1加密的存储器
GX28E01是一款基于单总线传输的存储器，内置1kEEPROM和SHA1加密算法。芯片采用64位密码和用户定义存储进行数据加密，提供高可靠性加密通路。具有1024位EEPROM存储器，512位SHA1引擎，支持多种应用场景，如打印机墨盒、医疗器械认证等。芯片具备良好的抗干扰能力和宽电压工作范围，通过1-Wire协议与主机通信。
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【产品】非易失性32,768字x 8位的铁电随机存取存储器MR48V256C，随机读/写周期时间最小为150ns
罗姆推出了MR48V256C高性能FERAM存储器产品，MR48V256C是一种采用铁电工艺和硅栅CMOS技术开发的非易失性32,768字x 8位的铁电随机存取存储器（FeRAM）。该器件与SRAM不同的是，其具有单元非易失性，不需要保持数据所需的备用电池。该器件没有擦除和编程存储器单元的机制，例如用于各种EEPROM的存储器单元。采用28引脚塑料TSOPI封装，可以有效减小PCB的面积。
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