G75P04K P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
发布时间：
2024-07-05
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
GOFORD（谷峰）
型号：
G75P04K
本数据手册详细介绍了G75P04K型号P-Channel增强型功率MOSFET的技术参数与应用特性。该器件采用先进的沟槽技术，具备优异的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷性能。在关键电气指标方面，其漏源电压（VDS）为-40V，漏极电流（ID）在VGS=-10V时达到-80A；导通电阻在VGS=-10V时小于6.5mΩ，在VGS=-4.5V时小于8.5mΩ。此外，该产品通过了100%雪崩测试并符合RoHS环保标准，主要适用于电源开关及DC/DC转换器等多种应用场景。基于该产品，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台提供的专职FAE团队将全程支持选型、设计验证及调试，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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GOFORD官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是GOFORD的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供GOFORD的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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国内领先的功率MOSFET供应商——GOFORD（谷峰）
GOFORD（谷峰）成立于2000年，20年来一直在半导体领域耕耘。是国内较早开始设计功率MOSFET的设计公司之一。在香港、深圳、无锡设立公司，并在美国、欧洲、俄罗斯和东南亚等20多个国家设有代表处、代理处。全球布局研发和销售网络。高可靠性和技术创新是GOFORD核心。
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| 订货型号 | G75P04K | 品牌 | GOFORD |
| 型号系列 | G75P04K | 品类 | Trench Mosfet |
| 描述/说明 | Trench Mosfet,Configuration:P channel,VDS(V):-40V | 封装/外壳/尺寸 | TO-252 |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Configuration | P channel | ESD | NO |
| VDS(V) | -40V | Id at 25℃(max)(A) | -80A |
| PD(max)(W) | 115W | Vgs(th)typ(V) | -1.5V |
| RDS(on)(typ)(@10V) | 5mΩ | RDS(on)(typ)(@4.5V) | 6.7mΩ |
| Qg(nC) | 106 | Ciss(pF) | 7039 |
| Crss(pF) | 675 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥2.3500
库存：
0
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| 订货型号 | G370P10K | 品牌 | GOFORD |
| 型号系列 | G370P10K | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET | 封装/外壳/尺寸 | TO-252 |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | 卷带 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS | -100V | ID (at VGS=-10V) | -34A |
| RDS(ON) (at VGS=-10V) | <37mΩ | Pulsed Drain Current | -136A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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资料平台
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2015/11/30
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G04P10HE P沟道增强型功率MOSFET
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G02P06 P沟道增强型功率MOSFET
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3401 P沟道增强型功率MOSFET
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G70P04K P沟道增强型功率MOSFET
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G2K6P25K P沟道增强型功率MOSFET
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G26P04K P沟道增强型功率MOSFET
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G180P06K P沟道增强型功率MOSFET
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25P06 P沟道增强型功率MOSFET
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3415A P沟道增强型功率MOSFET
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3415A P沟道增强型功率MOSFET
2021/12/22
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2301 P沟道增强型功率MOSFET
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G10P03 P沟道增强型功率MOSFET
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G10P03 P沟道增强型功率MOSFET
2022/6/15
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
Enhance Power Efficiency: P-Channel Ultra-Low Rdson MOSFETs
In the realm of power electronics, Goford Semiconductor continues to push boundaries with its high-performance P-Channel MOSFETs. The latest G080P06 and GT038P06 Series combine ultra-low on-resistance, robust current handling, and fast switching capabilities, making them ideal for high-efficiency power management in industrial and automotive systems.
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高福半导体P沟道功率MOSFET
本资料介绍了GOFORD公司生产的P沟道功率MOSFET产品线。内容包括产品结构、电压等级、封装类型、关键参数以及应用领域。资料详细列出了不同电压等级和封装类型的P沟道MOSFET产品，并提供了产品参数和应用推荐。
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谷峰GT036P06M 60V P沟道增强型功率MOSFET：赋能多场景的高效功率控制核心
在工业自动化、新能源、移动设备等领域，功率器件的性能直接决定了系统的效率、可靠性与响应速度。GOFORD谷峰推出的 GT036P06M P沟道增强型功率MOSFET，凭借先进SGT技术带来的低导通损耗、高电流容量与宽温度适应性，成为横跨工业卡钳、大型电动工具、储能系统、机器臂、房车BMS及音响设备的 “多面手“。
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