G75P04K P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
●说明
■G75P04K采用先进的沟槽技术，提供优异的RDS（ON）、低栅极电荷。可用于各种应用。
●一般特性
■VDS-40V
■ID（VGS=-10V）-80A
■RDS（ON）（VGS=-10V）<6.5mΩ
■RDS（ON）（VGS=-4.5V）<8.5mΩ
■100%雪崩测试
■符合RoHS
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|
产品型号
|
品类
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Vds (V)
|
Type
|
Pd(W)
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Ciss(pF)
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Crss (pF)
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Qg(nC)
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Technology
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Vgs(th) max (V)
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Vgs(V)
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Package
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Qgs(nC)
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Ids(A)
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G75P04K
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Trench Mosfet
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-40
|
P
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115
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7039
|
675
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27
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TRENCH
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-2.5
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±20
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TO-252
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22
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-80
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