G18N50T N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
发布时间：
2024-07-05
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
GOFORD（谷峰）
型号：
G18N50T
本数据手册详细介绍了G18N50T N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET的技术特性与应用优势。该器件专为高效率开关电源设计，具备优化的导通电阻与卓越的开关性能，其VDS耐压为500V，在VGS=10V条件下连续漏极电流达18A，导通电阻低于0.35Ω。产品通过了100%雪崩测试，符合RoHS环保标准，并具有低Crss（典型值4.3pF）、快速开关能力及改进的dv/dt能力，确保了系统运行的可靠性与能效。该MOSFET广泛应用于开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、功率因数校正（PFC）及充电器等领域。基于该方案，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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国内领先的功率MOSFET供应商——GOFORD（谷峰）
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| 订货型号 | G18N50T | 品牌 | GOFORD |
| 型号系列 | G18N50T | 品类 | Planar Mosfet |
| 描述/说明 | Planar Mosfet,Configuration:N channel,VDS(V):500V | 封装/外壳/尺寸 | TO-220 |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Configuration | N channel | ESD | NO |
| VDS(V) | 500V | Id at 25℃(max)(A) | 18A |
| PD(max)(W) | 189.3W | Vgs(th)typ(V) | 4V |
| RDS(on)(typ)(@10V) | 0.28Ω | Qg(nC) | 50 |
| Ciss(pF) | 3000 | Crss(pF) | 7 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | GC11N70F | 品牌 | GOFORD |
| 型号系列 | GC11N70F | 品类 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| 描述/说明 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET,Configuration:N channel,VDS(V):700V | 封装/外壳/尺寸 | TO-220F |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Configuration | N channel | VDS(V) | 700V |
| Id at 25℃(max)(A) | 11A | PD(max)(W) | 31.3W |
| Vgs(th)typ(V) | 3.5V | RDS(on)(typ)(@10V) | 330mΩ |
| Qg(nC) | 21 | Ciss(pF) | 768 |
| Crss(pF) | 0.2 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥2.9500
库存：
0
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| 订货型号 | GC120N65QF | 品牌 | GOFORD |
| 型号系列 | GC120N65QF | 品类 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| 描述/说明 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET,Configuration:N channel,VDS(V):650V | 封装/外壳/尺寸 | TO-247 |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Configuration | N channel | VDS(V) | 650V |
| Id at 25℃(max)(A) | 30A | PD(max)(W) | 96.1W |
| Vgs(th)typ(V) | 4V | RDS(on)(typ)(@10V) | 97mΩ |
| Qg(nC) | 68 | Ciss(pF) | 3100 |
| Crss(pF) | 24 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | GC20N65T | 品牌 | GOFORD |
| 型号系列 | GC20N65T | 品类 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| 描述/说明 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET,Configuration:N channel,VDS(V):650V | 封装/外壳/尺寸 | TO-220 |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Configuration | N channel | VDS(V) | 650V |
| Id at 25℃(max)(A) | 20A | PD(max)(W) | 151W |
| Vgs(th)typ(V) | 2.5V-4.5V | RDS(on)(typ)(@10V) | 150mΩ |
| Qg(nC) | 39 | Ciss(pF) | 1724 |
| Crss(pF) | 6 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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原厂认证
价格：
￥5.6800
库存：
0
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| 订货型号 | GC11N70 | 品牌 | GOFORD |
| 型号系列 | GC11N70 | 品类 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| 描述/说明 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET,Configuration:N channel,VDS(V):700V | 封装/外壳/尺寸 | TO-252/220 |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Configuration | N channel | VDS(V) | 700V |
| Id at 25℃(max)(A) | 11A | PD(max)(W) | 83W |
| Vgs(th)typ(V) | 3V | RDS(on)(typ)(@10V) | 395mΩ |
| Qg(nC) | 22 | Ciss(pF) | 871 |
| Crss(pF) | 5 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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价格：
库存：
0
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| 订货型号 | GC080N65QF | 品牌 | GOFORD |
| 型号系列 | GC080N65QF | 品类 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| 描述/说明 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET,Configuration:N channel,VDS(V):650V | 封装/外壳/尺寸 | TO-247 |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Configuration | N channel | VDS(V) | 650V |
| Id at 25℃(max)(A) | 50A | PD(max)(W) | 298W |
| Vgs(th)typ(V) | 3-5V | RDS(on)(typ)(@10V) | 70mΩ |
| Qg(nC) | 100 | Ciss(pF) | 4900 |
| Crss(pF) | 4.8 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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原厂认证
价格：
￥17.7300
库存：
0
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| 订货型号 | GC041N65QF | 品牌 | GOFORD |
| 型号系列 | GC041N65QF | 品类 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| 描述/说明 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET,Configuration:N channel,VDS(V):650V | 封装/外壳/尺寸 | TO-247 |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Configuration | N channel | VDS(V) | 650V |
| Id at 25℃(max)(A) | 70A | PD(max)(W) | 500W |
| Vgs(th)typ(V) | 4.0V | RDS(on)(typ)(@10V) | 36mΩ |
| Qg(nC) | 160 | Ciss(pF) | 7668 |
| Crss(pF) | 0.6 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
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世强自营,
原厂认证
价格：
￥25.0000
库存：
0
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| 订货型号 | GC210N80FE | 品牌 | GOFORD |
| 型号系列 | GC210N80FE | 品类 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| 描述/说明 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET,Configuration:N channel,VDS(V):800V | 封装/外壳/尺寸 | TO-220F |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Configuration | N channel | ESD | YES |
| VDS(V) | 800V | Id at 25℃(max)(A) | 17A |
| PD(max)(W) | 51W | Vgs(th)typ(V) | 2.4-3.6V |
| RDS(on)(typ)(@10V) | 185mΩ | Qg(nC) | 50 |
| Ciss(pF) | 2200 | Crss(pF) | 3 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
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原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | GC20N70 | 品牌 | GOFORD |
| 型号系列 | GC20N70 | 品类 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| 描述/说明 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET,Configuration:N channel,VDS(V):700V | 封装/外壳/尺寸 | TO-247/220 |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Configuration | N channel | VDS(V) | 700V |
| Id at 25℃(max)(A) | 20A | PD(max)(W) | 151W |
| Vgs(th)typ(V) | 3V | RDS(on)(typ)(@10V) | 170mΩ |
| Qg(nC) | 39 | Ciss(pF) | 1724 |
| Crss(pF) | 6 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | GC030N65QF | 品牌 | GOFORD |
| 型号系列 | GC030N65QF | 品类 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| 描述/说明 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET,Configuration:N channel,VDS(V):650V | 封装/外壳/尺寸 | TO-247 |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Configuration | N channel | VDS(V) | 650V |
| Id at 25℃(max)(A) | 80A | PD(max)(W) | 625W |
| Vgs(th)typ(V) | 4.0V | RDS(on)(typ)(@10V) | 24mΩ |
| Qg(nC) | 240 | Ciss(pF) | 9500 |
| Crss(pF) | 8 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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加工定制
世强深圳实验室提供Robei EDA软件免费使用服务，与VCS、NC-Verilog、Modelsim等EDA工具无缝衔接，将IC设计高度抽象化，并精简到三个基本元素:模块、引脚、连接线，自动生成代码。点击预约，支持到场/视频直播使用，资深专家全程指导。
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资料平台
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G3K8N15KE N沟道增强型功率MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
G01N20LE N沟道增强型功率MOSFET
V1.0
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| 数据手册 - 英文 |
G01N20LE N沟道增强型功率MOSFET
2021/8/20
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| 数据手册 - 英文 |
630AT N沟道增强型功率MOSFET
V1.1
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G1K3N10LL N沟道增强型功率MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
G15N06K N沟道增强型功率MOSFET
2022/9/8
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G15N06K N沟道增强型功率MOSFET
2022/4/28
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G250N03IE N沟道增强型功率MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
G7N65 650V N沟道增强型功率MOSFET
2018/7/2
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| 数据手册 - 英文 |
G33N03D52 N沟道增强型功率MOSFET
2022/9/1
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| 数据手册 - 英文 |
60N06 N沟道增强型功率MOSFET\n
2022/10/26
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60N06 N沟道增强型功率MOSFET\n
2021/4/2
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G36N03K N沟道增强型功率MOSFET
2022/7/14
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G30N04D3 N沟道增强型功率MOSFET\n
2022/8/30
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| 数据手册 - 英文 |
G30N04D3 N沟道增强型功率MOSFET\n
2020/5/13
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| 数据手册 - 英文 |
G10N03S N沟道增强型功率MOSFET\n
V1.1
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