G18N50T N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
●说明
■这种先进的MOSFET系列优化了导通电阻,还提供了卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。该设备系列适用于高效开关模式电源。
●通用特性
■VDS 500V
■ID(VGS=10V)18A
■RDS(ON)(VGS=0V)<0.35Ω
■100%雪崩测试
■符合RoHS标准
■低Crss(典型4.3pF)
■快速切换能力
■改进的dv/dt能力
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GOFORD(谷峰电子)MOSFET选型表
选型表 - GOFORD GOFORD(谷峰电子)M提供Trench Mosfet/Planar Mosfet/N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET/SiC MOSFET选型:VDS(V):-250~1200,Id at 25℃(max)(A):-200~400,PD(max)(W):0.3-2300,Ciss(pF):19-15870.
|
产品型号
|
品类
|
Package
|
Type
|
ESD
|
Vds (V)
|
Vgs(V)
|
Ids(A)
|
Pd(W)
|
Vgs(th) max (V)
|
Qg(nC)
|
Qgs(nC)
|
Qg(nC)
|
Ciss(pF)
|
Crss (pF)
|
Technology
|
|
G06P01E
|
Trench Mosfet
|
SOT-23
|
P
|
ESD
|
-12
|
±10
|
-4
|
1.8
|
-1
|
14
|
2.3
|
3.6
|
1087
|
253
|
TRENCH
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KINCARRY(晶凯瑞)大功率TVS选型表
选型表 - KINCARRY KINCARRY提供如下大功率TVS二极管选型,封装覆盖SOD-123FL、SMAG、SMBG、SMCG、DO-41/DO-15/DO-27、R-6。反向工作电压VRWM 5V-440V,峰值脉冲功率PD 200W-5000W,峰值脉冲电流IPP 0.5A-543A,含单向(A)与双向(CA)两种极性,工作结温-55℃~+175℃,适用于电源端口、通信接口、工业控制及汽车电子等浪涌保护场景。
|
产品型号
|
品类
|
封装
|
PD(W)
|
VRWM(V)Max
|
IR(µA)
|
IR@VR(V)
|
VBR(V)Min
|
IT(mA)
|
VC@IPP(V)
|
IPP(A)
|
Tj(℃)
|
|
SMF5.0A
|
大功率TVS
|
SOD-123FL
|
200
|
5
|
800
|
6.4
|
6.4
|
10
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9.2
|
21.7
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-55~+150
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KINCARRY(晶凯瑞)大功率稳压管选型表
选型表 - KINCARRY KINCARRY提供如下大功率稳压二极管选型,封装覆盖SOD-123FL、SMAG、SMBG、DO-41G、MELF、MINI-MELF。稳压值VZ 2.4V-200V,功耗PD 0.5W-5W,工作结温Tj 150℃-200℃,反向漏电流IR低至0.1μA,最大稳压电流IZM 3mA-1440mA。适用于电源稳压、过压保护、浪涌抑制及工业电源等场景。
|
产品型号
|
品类
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封装
|
PD(W)
|
VZ@IZT Nom(V)
|
IZT(mA)
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VF(V)
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IF(A)
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IR(µA)
|
VR(V)
|
IZM(mA)
|
Tj(℃)
|
|
SMF4728A
|
大功率稳压管
|
SOD-123FL
|
1
|
3.3
|
76
|
1.5
|
0.2
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100
|
1
|
274
|
-65~+150
|
电子商城
服务市场
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