AM032NS08H 85V 200A N-CHANNEL ENHANCED POWER MOSFET
发布时间:
2024-07-08
类型:
数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
AIT(创瑞科技)
型号:
AM032NS08H; AM032NS08HPH8R; AM032NS08HPH8VR
本数据手册详细介绍了由AiT Semiconductor Inc.推出的AM032NS08H器件,这是一款85V 200A N-Channel增强型功率MOSFET。该器件专为高电流开关应用设计,具备快速开关、低导通电阻、低栅极电荷及低反向传输电容等优异特性,同时拥有高雪崩耐量,能够有效应对严苛的工况环境。凭借其卓越的电气性能,该MOSFET特别适用于电池管理系统(BMS)等关键领域,能够显著提升系统的能效与稳定性。AiT Semiconductor Inc.在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料,用户可通过平台获取原厂授权的正品器件,相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市进程。
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AIT官方授权代理:世强先进(深圳)科技股份有限公司
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世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台,平台不仅提供AIT的正品现货、透明报价与稳定交期,还整合原厂技术资源,联合双方FAE团队,为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务,助力研发高效落地,保障供应链安全可靠。
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电源管理IC国内领导品牌——创瑞科技(AiT)
创瑞科技(AiT),致力于设计和行销高性能的类比与混合信号IC,为全球消费类电子产品市场提供音频放大及电源管理等解决方案,结合控股集团高品质的电感、晶振及保险丝提供技术整合支援,缩短产品设计周期。
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| 订货型号 | AM7407J8VR | 品牌 | AIT |
| 型号系列 | AM7407 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| type | P | V(BR)DSS (V) | -20V |
| VGS (V) | ±12V | IDS (A) (25°C) | -14A |
| VGS(TH) (V) Min/Max | 0.4V | RDS(ON) Vgs=±10V (mΩ)Typ | 6.5mΩ |
| Vgs=±4.5V (mΩ) Typ | 7.8mΩ | Vgs=±2.5V (mΩ) Typ | 10mΩ |
| Vgs=±1.8V (mΩ) Typ | 13mΩ | ||
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
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世强自营,
原厂认证
价格:
¥2.4951
库存:
5,000
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| 订货型号 | AM2308E3VR | 品牌 | AIT |
| 型号系列 | AM2308 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| type | N | V(BR)DSS (V) | 60V |
| VGS (V) | ±20V | IDS (A) (25°C) | 3.3A |
| VGS(TH) (V) Min/Max | 1.2/2.5V | RDS(ON) Vgs=±10V (mΩ)Typ | 67mΩ |
| Vgs=±4.5V (mΩ) Typ | 76mΩ | ||
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世强先进(深圳)科技股份有限公司
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价格:
¥2.1624
库存:
3,010
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| 订货型号 | A4771E5VR-H | 品牌 | AIT |
| 型号系列 | A4771E5VR-X, A4771 | 品类 | POWER SWITCH |
| 描述/说明 | The A4771 Smart Switch is a current limited P-channel MOSFET power switch designed for high-side load switching applications. | 封装/外壳/尺寸 | SOT-25 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Lead Temperature (Soldering, 10s)(℃) | 260°C | Junction Temperature(℃) | -40~150°C |
| IN to GND(V) | -0.3V~7V | Maximum Continuous SwitchCurrent | 2A |
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¥3.3268
库存:
3,000
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| 订货型号 | AM2N7002KE3R | 品牌 | AIT |
| 型号系列 | AM2N7002K | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | MOSFET 60V, SMALL SIGNAL NMOS MOSFET | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| type | N | ESD | Yes |
| V(BR)DSS (V) | 60V | VGS (V) | ±20V |
| IDS (A) (25°C) | 0.38A | VGS(TH) (V) Min/Max | 1.0/2.5V |
| RDS(ON) Vgs=±10V (mΩ)Typ | <1800mΩ | Vgs=±4.5V (mΩ) Typ | <2500mΩ |
授权代理商:
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价格:
¥0.4159
库存:
3,000
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| 订货型号 | AM2N7002DWC6R | 品牌 | AIT |
| 型号系列 | AM2N7002DW | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | MOSFET 60V SMALL SIGNAL DUAL N-CHANNEL MOSFET | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| type | DUAL N | ESD | Yes |
| V(BR)DSS (V) | 60V | VGS (V) | ±20V |
| IDS (A) (25°C) | 0.115A | VGS(TH) (V) Min/Max | 1.0/2.0V |
| RDS(ON) Vgs=±10V (mΩ)Typ | <7500mΩ | Vgs=±4.5V (mΩ) Typ | <7500mΩ |
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¥0.5490
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| 订货型号 | AM2N7002DWC6VR | 品牌 | AIT |
| 型号系列 | AM2N7002DW | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 60V SMALL SIGNAL DUAL N-CHANNEL MOSFET | 封装/外壳/尺寸 | SOT-363 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| V-DSS, Drain-Source Voltage(V) | 60Vdc | V-GSS, Gate-Source Voltage(V) | 60Vdc |
| I-D, Continuous Drain Current , VGS = -4.5V | T-C=25°C 108A | I-DM, Pulsed Drain Current | T-C=25°C 300A |
| T-J, Operation Junction Temperature(℃) | 150℃ | ||
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世强先进(深圳)科技股份有限公司
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价格:
¥0.5490
库存:
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| 订货型号 | AM2N7002WC3VR | 品牌 | AIT |
| 型号系列 | AM2N7002W | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | MOSFET 60V, SMALL SIGNAL NMOS MOSFET | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| type | N | ESD | Yes |
| V(BR)DSS (V) | 60V | VGS (V) | ±20V |
| IDS (A) (25°C) | 0.115A | VGS(TH) (V) Min/Max | 1.0/2.5V |
| RDS(ON) Vgs=±10V (mΩ)Typ | 1400mΩ | Vgs=±4.5V (mΩ) Typ | 1800mΩ |
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价格:
¥0.3660
库存:
3,000
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| 订货型号 | AM3401E3VR | 品牌 | AIT |
| 型号系列 | AM3401 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| type | P | V(BR)DSS (V) | -30V |
| VGS (V) | ±20V | IDS (A) (25°C) | -4.2A |
| VGS(TH) (V) Min/Max | 0.538461538461538V | RDS(ON) Vgs=±10V (mΩ)Typ | 50mΩ |
| Vgs=±4.5V (mΩ) Typ | 64mΩ | Vgs=±2.5V (mΩ) Typ | 95mΩ |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
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原厂认证
价格:
¥1.1644
库存:
3,000
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| 订货型号 | AM3403E3SVR | 品牌 | AIT |
| 型号系列 | AM3403 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| type | P | V(BR)DSS (V) | -30V |
| VGS (V) | ±12V | IDS (A) (25°C) | -3.2A |
| VGS(TH) (V) Min/Max | 0.538461538461538V | RDS(ON) Vgs=±10V (mΩ)Typ | 50mΩ |
| Vgs=±4.5V (mΩ) Typ | 60mΩ | Vgs=±2.5V (mΩ) Typ | 80mΩ |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥1.0812
库存:
3,000
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| 订货型号 | AM3403E3SR | 品牌 | AIT |
| 型号系列 | AM3403 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| type | P | V(BR)DSS (V) | -30V |
| VGS (V) | ±12V | IDS (A) (25°C) | -3.2A |
| VGS(TH) (V) Min/Max | 0.538461538461538V | RDS(ON) Vgs=±10V (mΩ)Typ | 50mΩ |
| Vgs=±4.5V (mΩ) Typ | 60mΩ | Vgs=±2.5V (mΩ) Typ | 80mΩ |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥1.0812
库存:
3,000
世强硬创平台提供AM3403E3SR在线购买服务,支持单件起订、小批量试产,库存充足,交期透明。下单后自动进入标准化交付流程,物流全程可追踪,适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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AM8820 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
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AM3134 MOSFET 20V N沟道增强模式
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AM8814 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
REV2.0
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AM2306 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
REV3.1
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AM9926 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
REV1.1
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AM2302 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
REV1.1
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AM4102 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
REV1.0
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AM2300 MOSFET 20V N沟道增强模式
REV2.1
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AM3400 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
REV2.0
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AM80N06 MOSFET 60V 80A N沟道快速开关MOSFET
REV1.0
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GBJ2501~GBJ2510桥式整流器正向电流25A,反向电压100~1000V
REV1.0
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HER102~HER108整流二极管1A正向电流,100~1000V反向电压
REV1.0
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AM4430 MOSFET 30V,25A N沟道MOSFET
REV1.0
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1N4001A~1N4007A整流二极管反向电压50V至1000V正向电流1A
REV1.3
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AD8813电机驱动器2.1V~6.8V,低压直流电机驱动器
REV1.0
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AM2301C-20V P沟道增强型MOSFET
REV1.1
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AM40P04 MOSFET-40V,-40A P-通道
REV1.0
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A4722模拟开关0.6Ω四通道单刀双掷4通道2:1多路复用器-DEMLTIPLEXER W/2 CTRL
REV2.1
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A6531 30V&500mA CMOS稳压器
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AM2302 N沟道20V快速开关MOSFET
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S10SC650V AEC-Q 650V硅肖特基二极管
REV1.0
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2SB1124晶体管PNP外延平面硅晶体管
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MMBT2222AL通用晶体管NPN硅
REV1.0
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AM40T65 MOSFET 650V 40A IGBT MOSFET
REV1.0
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A4030电池管理单芯锂离子/锂聚合物电池保护,带集成MOSFET
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MMBT4403L开关晶体管PNP通用晶体管
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
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应用/方案
AiT SEMi Provide Solutions For Solar MPPT Charge Controller
AiT SEMi Provide solutions for Solar MPPT Charge Controller, featuring DC-DC Buck Converters, Inductors, and MOSFETs—delivers high efficiency, reliability, and sustainable performance for solar applications.
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【产品】采用SOT-23S封装的N沟道增强型MOSFET,工作结温与存储温度均为-55°C~150°C
AiT推出的AM2308是一款N沟道增强型MOSFET,除非另有说明,否则当环境温度为25℃时,该产品的绝对最大额定参数为:漏源电压60V、栅源电压±20V、连续漏极电流3.3A、脉冲漏极电流13.4A、雪崩电流5A、耗散功率1.6W、工作结温与存储温度均为-55°C~150°C。
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【产品】AiT推出的双增强型MOSFET AM6602,最大耗散功率1.4W,采用SOT-26封装
AiT推出双增强型MOSFET(N沟道和P沟道)AM6602,在环境温度为25℃时,除非另有说明,否则该产品绝对最大额定参数为:漏源电压N沟道30V、P沟道-30V,栅源电压N沟道与P沟道皆为±20V,连续漏极电流N沟道4.9A、P沟道-3A。
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【产品】采用SC89-3封装的N沟道增强型MOSFET AM4452,耗散功率0.3W
AiT推出的AM4452是一款N沟道增强型MOSFET。AM4452在环境温度为25℃时,可以承受的绝对最大额定参数为:漏源电压20V、栅源电压±8V、连续漏极电流0.83A、脉冲漏极电流1.8A、耗散功率0.3W。工作结温与存储温度均为-55°C ~ 150°C。
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【产品】采用封装DFN8的N沟道增强型MOSFET AM7520,最高结温150℃
AiT推出的AM7520是一款N沟道增强型MOSFET。除非另有说明,否则当环境温度为25℃时,AM7520可以承受的绝对最大额定参数为:漏源电压30V、栅源电压±20V、连续漏极电流24A、最大耗散功率1.78W。
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【产品】漏源电压20V的N沟道增强型MOSFET AM3416,连续漏极电流为6A,最大耗散功率1.4W
AiT推出的AM3416是一款N沟道增强型MOSFET。除非另有说明,否则当环境温度为25℃时,AM3416的绝对最大额定参数为:漏源电压20V、栅源电压±12V、连续漏极电流(VGS=4.5V)为6A、300μs脉冲漏极电流(VGS=4.5V) 为20A。
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【产品】30V N沟道增强型功率MOSFET AM3400,具备高功率与电流处理能力
AiT推出的AM3400是一款30V,N沟道增强型功率MOSFET。该产品的绝对最大额定参数为:漏源电压30V、栅源电压±12V、连续漏极电流5.8A、脉冲漏极电流30A、最大耗散功率1.4W、工作结温与存储温度均为-55°C~150°C。
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【产品】N沟道增强型MOSFET AM2304A,最大额定漏极连续电流5.5A,耗散功率1.3W
AiT推出的AM2304A是N沟道增强型MOSFET,在环境温度为25℃时,AM2304A可以承受的绝对最大额定参数为:漏源电压30V、栅源电压±20V、漏极连续电流5.5A、脉冲漏极电流22A、雪崩电流8A、耗散功率1.3W。工作结温和储存温度均为−55°C∼+150°C。
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【产品】N沟道增强型功率MOSFET AM9926,采用SOP8封装,温度范围-55°C~150°C
AiT推出的AM9926是一款N沟道增强型功率MOSFET。除非另有说明,否则当环境温度为25℃时,AM9926可以承受的绝对最大额定参数为:漏源电压20V、栅源电压±12V、连续漏极电流6A、脉冲漏极电流25A、最大耗散功率1.25W,工作结温和存储温度范围均为-55°C~ 150°C。
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【产品】SC70-6封装的双N沟道增强型MOSFET AM6N7002K,温度范围-55°C~150°C
AiT推出的AM6N7002K是一款双N沟道增强型MOSFET。除非另有说明,否则当环境温度为25℃时,AM6N7002K可以承受的绝对最大额定参数为:漏源电压60V、栅源电压±20V、连续漏极电流0.29A、脉冲漏极电流1A、耗散功率0.26W。工作结温与存储温度范围均为-55°C~ 150°C。
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