NCEB301Q 30V Half Bridge Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
发布时间：
2024-07-09
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
NCE（新洁能）
型号：
NCEB301Q
本数据手册详细介绍了NCEB301Q器件，这是一款30V半桥双N沟道增强型功率MOSFET，专为高效同步降压电源设计。该产品采用双Power DFN3X3封装，内部集成了两个专用MOSFET，其中High Side MOSFET的VDS为30V、ID为15A，Low Side MOSFET的VDS为30V、ID为20A。NCEB301Q具备极低的导通电阻，在VGS=10V条件下，Q1和Q2的RDS(ON)分别小于11.5mΩ和8.2mΩ，且拥有优秀的栅极电荷与RDS(on)乘积（FOM），能够显著提升电源转换效率。此外，该器件支持150°C的高温工作环境，采用无铅镀锡工艺，并经过100% UIS测试，确保了高可靠性与紧凑的板空间利用率，非常适用于紧凑型DC/DC转换应用场景。基于该方案，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，NCEB301Q在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价及库存充足，平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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NCE官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是NCE的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供NCE的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能（NCEPOWER）
新洁能（NCEPOWER）专注于MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售，主营产品包括：车规级功率器件、中低高压MOSFET、IGBT单管、功率模块、驱动IC等，是国内最早在12英寸工艺平台实现沟槽型功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET量产的企业。
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现货平台 / NCE 授权代理店
| 订货型号 | NCEB301Q | 品牌 | NCE |
| 型号系列 | NCEB301Q | 品类 | Half Bridge Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| 描述/说明 | The NCEB301Q is designed to provide a high efficiency synchronous buck power stage with optimal layout and board space utilization. It includes two specialized MOSFETs in a dual Power DFN3X3 package. The Q1 "High Side" MOSFET is desgined to minimze switching losses. The Q2"Low Side" MOSFET uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge | 封装/外壳/尺寸 | DFN3*3 |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Technology | Trench 半桥 | Polarity | N |
| BVDSS(V) | 30 | Q1 "High Side" MOSFET，ID(A) | 15 |
| Q2 "Low Side" MOSFET，ID(A) | 20 | Q1，RDS(ON)@10VTyp(mΩ) | 9.8 |
| Q1，RDS(ON)@10VMax(mΩ) | 11.5 | Q1，RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) | 15.3 |
| Q1，RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) | 19 | Q2，RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：9.8mΩ | 8.3 |
| Q2，RDS(ON)@10VMax(mΩ)：11.5mΩ | 9.6 | Q2，RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)：15.3mΩ | 13 |
| Q2，RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)：19mΩ | 16 | VGS(th)(V) | ±20 |
| Q1,CISS(pF) | 690 | Q2,CISS(pF) | 1210 |
| Q1,QG(nC) | 15 | Q2,QG(nC) | 17.5 |
| Q1,PD(W) | 18 | Q2,PD(W) | 20 |
| Q1,VGS(th)(V) | 1.5 | Q2,VGS(th)(V) | 1.5 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | NCEB301G | 品牌 | NCE |
| 型号系列 | NCEB301G | 品类 | Half Bridge Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| 描述/说明 | The NCEB301G is designed to provide a high efficiency synchronous buck power stage with optimal layout and board space utilization. It includes two specialized MOSFETs in a dual Power DFN5x6 package. The Q1 "High Side" MMOSFET is desgined to minimze switching losses. The Q2"Low Side" MOSFET uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. | 封装/外壳/尺寸 | DFN5*6 |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Technology | Trench 半桥 | Polarity | N |
| BVDSS(V) | 30 | Q1 "High Side" MOSFET，ID(A) | 20 |
| Q2 "Low Side" MOSFET，ID(A) | 35 | Q1，RDS(ON)@10VTyp(mΩ) | 6.9 |
| Q1，RDS(ON)@10VMax(mΩ) | 8.5 | Q1，RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) | 10.8 |
| Q1，RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) | 14 | Q2，RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：9.8mΩ | 5.1 |
| Q2，RDS(ON)@10VMax(mΩ)：11.5mΩ | 7 | Q2，RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)：15.3mΩ | 8.3 |
| Q2，RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)：19mΩ | 12 | VGS(th)(V) | ±20 |
| Q1,CISS(pF) | 1210 | Q2,CISS(pF) | 2330 |
| Q1,QG(nC) | 17.5 | Q2,QG(nC) | 45 |
| Q1,PD(W) | 20 | Q2,PD(W) | 40 |
| Q1,VGS(th)(V) | 1.5 | Q2,VGS(th)(V) | 1.6 |
授权代理商：
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原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | NCEAP40T20AGU | 品牌 | NCE |
| 型号系列 | NCEAP40T20AGU | 品类 | N-Channel Automotive MOSFET |
| 描述/说明 | N-Channel Automotive MOSFET,DFN5*6,车规级,BVDSS(V):40,ID(A):300. | 封装/外壳/尺寸 | DFN5*6 |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 车规级工业级 | 车规级 | Technology | SGT-I |
| Polarity | N | BVDSS(V) | 40 |
| ID(A) | 300 | VTH(V) | 3 |
| RDS(ON)@10V Typ(mΩ) | 0.95 | QG(nC) | 91 |
| PD(W) | 220 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥4.0000
库存：
2,935
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| 订货型号 | NCEP01ND35AG | 品牌 | NCE |
| 型号系列 | NCEP01ND35AG | 品类 | N-Channel Super Trench MOSFET |
| 描述/说明 | N-Channel Super Trench MOSFET双芯 MOSFET,工业级,BVDSS(V):100,ID(A):35 | 封装/外壳/尺寸 | DFN5*6 |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 车规级/工业级 | 工业级 | Technology | SGT双芯 |
| Polarity | N+N | BVDSS(V) | 100 |
| ID(A) | 35 | VTH(V) | 2 |
| RDS(ON)@10V Typ(mΩ) | 24 | RDS(ON)@10V Max(mΩ) | 28 |
| RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) | 27 | RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) | 32 |
| VGS(th)(V) | ±20 | CISS(pF) | 1600 |
| QG(nC) | 26 | PD(W) | 50 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥2.1070
库存：
2,730
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| 订货型号 | NCEAP40T15AGU | 品牌 | NCE |
| 型号系列 | NCEAP40T15AGU | 品类 | N-Channel Automotive MOSFET |
| 描述/说明 | N-Channel Automotive MOSFET,DFN5*6,车规级,BVDSS(V):40,ID(A):240. | 封装/外壳/尺寸 | DFN5*6 |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 车规级工业级 | 车规级 | Technology | SGT-I |
| Polarity | N | BVDSS(V) | 40 |
| ID(A) | 240 | VTH(V) | 3 |
| RDS(ON)@10V Typ(mΩ) | 1.15 | QG(nC) | 60 |
| PD(W) | 160 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥3.2670
库存：
210
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| 订货型号 | NCEP3065QU | 品牌 | NCE |
| 型号系列 | NCEP3065QU | 品类 | N-Channel Super Trench MOSFET-I MOSFET |
| 描述/说明 | N-Channel Super Trench MOSFET-I MOSFET,工业级,BVDSS(V):30,ID(A):65 | 封装/外壳/尺寸 | DFN3*3 |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 车规级/工业级 | 工业级 | Technology | SGT-I |
| Polarity | N | BVDSS(V) | 30 |
| ID(A) | 65 | VTH(V) | 1.5 |
| RDS(ON)@10V Typ(mΩ) | 1.9 | RDS(ON)@10V Max(mΩ) | 2.3 |
| RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) | 3 | RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) | 3.6 |
| VGS(th)(V) | ±20 | CISS(pF) | 2100 |
| QG(nC) | 34.8 | PD(W) | 55 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.4140
库存：
130
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| 订货型号 | NCEP10N12K | 品牌 | NCE |
| 型号系列 | NCEP10N12K | 品类 | N-Channel Super Trench II Power MOSFET |
| 描述/说明 | N-Channel Super Trench II Power MOSFET,工业级,BVDSS(V):120,ID(A):65 | 封装/外壳/尺寸 | TO-252 |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 车规级/工业级 | 工业级 | Technology | SGT-II |
| Polarity | N | BVDSS(V) | 120 |
| ID(A) | 65 | VTH(V) | 3 |
| RDS(ON)@10V Typ(mΩ) | 8.7 | RDS(ON)@10V Max(mΩ) | 10 |
| VGS(th)(V) | ±20 | CISS(pF) | 3080 |
| QG(nC) | 55 | PD(W) | 120 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.9740
库存：
115
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| 订货型号 | NCEP095N10AG | 品牌 | NCE |
| 型号系列 | NCEP095N10AG | 品类 | N-Channel Super Trench II Power MOSFET |
| 描述/说明 | N-Channel Super Trench II Power MOSFET,工业级,BVDSS(V):100,ID(A):60 | 封装/外壳/尺寸 | DFN5*6 |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 车规级/工业级 | 工业级 | Technology | SGT-II |
| Polarity | N | BVDSS(V) | 100 |
| ID(A) | 60 | VTH(V) | 1.7 |
| RDS(ON)@10V Typ(mΩ) | 8.9 | RDS(ON)@10V Max(mΩ) | 9.5 |
| RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) | 11.4 | RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) | 12 |
| VGS(th)(V) | ±20 | CISS(pF) | 2950 |
| QG(nC) | 54 | PD(W) | 80 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.6940
库存：
110
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| 订货型号 | NCE0103M | 品牌 | NCE |
| 型号系列 | NCE0103M | 品类 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| 描述/说明 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET,工业级,BVDSS(V):100,ID(A):3 | 封装/外壳/尺寸 | SOT-89 |
| 最小包装量 | 1,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 车规级/工业级 | 工业级 | Technology | Trench |
| Polarity | N | BVDSS(V) | 100 |
| ID(A) | 3 | VTH(V) | 1.1 |
| RDS(ON)@10V Typ(mΩ) | 137 | RDS(ON)@10V Max(mΩ) | 170 |
| RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) | 140 | RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) | 175 |
| VGS(th)(V) | ±12 | CISS(pF) | 650 |
| QG(nC) | 20 | PD(W) | 1.5 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.5600
库存：
100
世强硬创平台提供NCE0103M在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，库存充足，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
NCE0103M 在线购买 >>
世强硬创平台提供NCE0103M样品申请服务，支持工程师在研发初期快速获取器件用于功能验证与兼容性测试；样品将由原厂审核，世强协助申请，物流全程可追踪，助力加速原型开发与方案选型。
NCE0103M 样品申请 >>
世强硬创平台提供NCE0103M批量询价服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优批量价格。
NCE0103M 批量询价 >>
世强硬创平台提供NCE0103M交期查询服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优交期。
NCE0103M 交期查询 >>
世强硬创平台提供NCE0103M期货订购服务，可提前预定产能；签订期货协议后，平台将按约定时间节点保障交付，降低供应链中断风险。
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| 订货型号 | NCE01P13K | 品牌 | NCE |
| 型号系列 | NCE01P13K | 品类 | P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| 描述/说明 | The NCE01P13K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protested | 封装/外壳/尺寸 | TO-252-2L |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 车规级/工业级 | 工业级 | Technology | Trench |
| Polarity | P | BVDSS(V) | -100 |
| ID(A) | -13 | VTH(V) | -1.9 |
| RDS(ON)@10VTyp(mΩ) | 170 | RDS(ON)@10VMax(mΩ) | 200 |
| RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ) | 200 | RDS(ON)@4.5VMax(mΩ) | 230 |
| VGS(th)(V) | ±20 | CISS(pF) | 1734 |
| QG(nC) | 33 | PD(W) | 40 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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世强硬创平台提供NCE01P13K样品申请服务，支持工程师在研发初期快速获取器件用于功能验证与兼容性测试；样品将由原厂审核，世强协助申请，物流全程可追踪，助力加速原型开发与方案选型。
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世强硬创平台提供NCE01P13K期货订购服务，可提前预定产能；签订期货协议后，平台将按约定时间节点保障交付，降低供应链中断风险。
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技术支持/研发服务
世强硬创平台整合NCE原厂及授权代理商FAE资源，提供覆盖选型、设计、调试到量产的全流程技术支持，响应快、专业强，助力研发高效落地。
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加工定制
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
NCEB301Q 30V半桥双N沟道增强型功率MOSFET
V3.0
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| 数据手册 - 英文 |
NCEB301Q 30V半桥双N沟道增强型功率MOSFET
V1.0
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| 数据手册 - 英文 |
NCEB301Q 30V半桥双N沟道增强型功率MOSFET
V1.0
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| 数据手册 - 英文 |
NCEB301G 30V半桥双N沟道增强型功率MOSFET
V1.0
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| 数据手册 - 英文 |
NCEB301G 30V半桥双N沟道增强型功率MOSFET
V1.0
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| 数据手册 - 英文 |
NCE 30V半桥双N沟道增强型功率MOSFET
V2.0
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| 数据手册 - 英文 |
NCE0106AR NCE N沟道增强型功率MOSFET
V1.0
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| 测试报告 - 英文 |
TO-247（CNAS）测试报告（A2240035871101017）
Jan. 22, 2024
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| 测试报告 - 英文 |
收费（CNAS）测试报告（A2240035871101016）
Jan. 22, 2024
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| 封装信息/封装结构图 - 中文 |
DFN5X6 产品信息表
2024/1/30
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| 测试报告 - 英文 |
TO-263（CNAS）测试报告（A2240035871101014）
Jan. 22, 2024
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| 测试报告 - 英文 |
TO-220（CNAS）测试报告（A2240035871101008）
Jan. 22, 2024
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| 测试报告 - 英文 |
TO-220F（CNAS）测试报告（A2240035871101010）
Jan. 22, 2024
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| 数据手册 - 英文 |
NCEP15T10V N沟道超级沟槽功率MOSFET
v1.1
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| 数据手册 - 英文 |
NCEP15T18T NCE N沟道超级沟槽功率MOSFET
v1.0
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| 数据手册 - 英文 |
NCE2006NE NCE N沟道增强型功率MOSFET
V4.0
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| 数据手册 - 英文 |
NCE2007N NCE N沟道增强型功率MOSFET
v3.0
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| 数据手册 - 英文 |
NCEP050N12GU N沟道超级沟槽II功率MOSFET
V1.0
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| 数据手册 - 英文 |
NCE6045xAG NCE N沟道增强型功率MOSFET
V2.0
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| 数据手册 - 英文 |
NCE60NP2016G NCE N和P沟道互补功率MOSFET
V2.0
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| 封装信息/封装结构图 - 中文 |
TOLL 产品信息表（封装厂 A）
2023/3/22
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| 封装信息/封装结构图 - 中文 |
SOT-523 产品信息表（封装厂 A）
2023/3/22
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| 封装信息/封装结构图 - 中文 |
SOT23 产品信息表（封装厂 A）（封装厂 B）（封装厂 C）
2023/3/22
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| 封装信息/封装结构图 - 中文 |
TO-220F 产品信息表（封装厂 A）（封装厂 B）（封装厂 C）
2023/3/22
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| 封装信息/封装结构图 - 中文 |
TO 92 产品信息表（封装厂 A）（封装厂 B）
2023/3/22
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| 封装信息/封装结构图 - 中文 |
TO-3PNT 产品信息表（封装厂 A）
2023/3/22
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| 封装信息/封装结构图 - 中文 |
TO-3PNT产品信息表（封装厂A）
2021/10/20
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| 封装信息/封装结构图 - 中文 |
TO-3PF 产品信息表（封装厂 A）
2023/3/22
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| 封装信息/封装结构图 - 中文 |
TO-3PF产品信息表（封装厂A）
2021/10/20
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| 数据手册 - 英文 |
NCEP40P30Q NCE P沟道超级沟槽功率MOSFET
V1.0
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| 数据手册 - 英文 |
NCEAP60ND60G NCE汽车级N沟道超级沟槽功率MOSFET
V1.0
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| 数据手册 - 英文 |
NCEAP40T11G NCE汽车级N沟道超级沟槽功率MOSFET
V2.0
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| 数据手册 - 英文 |
NCEAP40T11K NCE汽车级N沟道超级沟槽功率MOSFET
V2.0
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| 数据手册 - 英文 |
NCEAP16N85AK NCE汽车级N沟道超级沟槽功率MOSFET
V1.0
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| 数据手册 - 英文 |
NCEAP30T17GU NCE汽车级N沟道超级沟槽功率MOSFET
V1.0
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| 数据手册 - 英文 |
NCEAP15T14LL NCE汽车级N沟道超级沟槽功率MOSFET
v1.0
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| 数据手册 - 英文 |
NCEAP15T14 NCE汽车级N沟道超级沟槽功率MOSFET
V1.0
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| 数据手册 - 英文 |
NCEAP028N85D NCE汽车级N沟道Super Trench II功率MOSFET
V1.0
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| 数据手册 - 英文 |
NCEAP020N85LL NCE汽车级N沟道超级沟道II功率MOSFET
V1.0
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| 数据手册 - 英文 |
NCEAP0178AK NCE汽车级N沟道超级沟槽功率MOSFET
v1.0
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| 数据手册 - 英文 |
NCEAP016N10LL NCE汽车级N沟道超级沟道II功率MOSFET
V1.0
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| 数据手册 - 英文 |
NCE65NF190K N沟道超级结功率MOSFET IV
V1.0
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| 数据手册 - 英文 |
NCE65NF099LL N沟道超级结功率MOSFET IV
2023/4/4
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| 数据手册 - 英文 |
NCE60NF160T N沟道超级结功率MOSFET IV
2023/3/9
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| 数据手册 - 英文 |
NCE6058AK NCE N沟道增强型功率MOSFET
V1.0
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
【产品】主要采用Trench以及SGT技术的N30V半桥功率MOSFET，系统寄生参数低，用于无线充
新洁能提供N30V的半桥功率MOSFET产品，是通过将两个N型功率MOSEFT产品以高、低边的串联的方式集成至单个封装中。半桥产品可以简化系统复杂度，减少系统寄生参数，从而优化系统设计效率以及可靠性。
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SMD 湿敏器件储存条件和干燥方法
无锡新洁能股份有限公司对SMD湿敏器件的储存条件和干燥方法进行了详细说明。产品应存放在通风、干燥、避光的环境中，温度10~30℃，湿度30~60%。原包装成品在标准保存条件下可保持3年可焊性。不同湿敏器件等级的拆封车间寿命不同，从无限到24小时不等。受潮器件需干燥后使用，干燥方式包括高温烤干和中温超低湿烘干等。
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MOSFET-零温度系数点ZTC（Zero Temperature Coefficient）
开关电源应用中，功率MOSFET工作于开关状态，在截止区和完全导通的饱和区之间高频切换，由于在切换过程中要经过线性区，因此产生开关损耗。本文着重介绍MOSFET开关在线性区的微观动态过程中，容易忽视的一个概念-零温度系数点ZTC，围绕ZTC展开的相关状态讨论。
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30V/395A N-Channel Super Trench II Power MOSFET NCEP008N30GU with the Most Efficient High Frequency Switching Performance
The NCEP008N30GU uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification.
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150V/180A N-Channel Super Trench Power MOSFET NCEP15T18T with An Extremely Low Combination of RDS(ON) and Qg
NCEP15T18T N-Channel Super Trench Power MOSFET uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification.
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