SFD14N25 14A, 250V N-CHANNEL POWER MOSFET
发布时间：
2024-07-23
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
HI-SEMICON（深鸿盛）
型号：
SFD14N25
本数据手册详细介绍了Hi-semincon公司生产的SFD14N2514A型N通道增强型功率场效应晶体管。该器件采用Hi-semincon专有的平面条纹VDMOS技术制造，具备低导通电阻、优异的开关性能以及承受高能量脉冲的能力。在关键参数方面，其漏源电压（VDS）为250V，漏极电流（ID）为14A，在VGS=10V、ID=7A条件下，典型的导通电阻（RDS(ON)）为230mΩ。凭借这些特性，该MOSFET非常适合应用于高效开关电源（SMPS）、主动功率因数校正（PFC）、不间断电源（UPS）以及LED照明电源等领域，特别是基于半桥拓扑的电子灯镇流器方案。Hi-semincon在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该器件，用户可通过平台获取原厂授权的正品保障，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队将提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供HI-SEMICON的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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现货平台 / HI-SEMICON 授权代理店
| 订货型号 | SFD14N25 | 品牌 | HI-SEMICON |
| 型号系列 | SFD14N25 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | N CHANNEL,VDS=250V,ID=14A,RDS(ON)(typ)=230mΩ | 封装/外壳/尺寸 | TO-252-2L |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Type | N | VDS(V) | 250V |
| VGS(V) | ±30V | ID(A) | 14A |
| RDSON(typ)(mΩ@10V) | 230mΩ | VGS(th) Range(V) | 3.0-4.5V |
| VGS(th)(tye)(V) | 3.8V | Ciss(pF) | 675pF |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
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价格：
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| 订货型号 | SGM105R5T | 品牌 | HI-SEMICON |
| 型号系列 | SGM105R5T | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 100V, 120A N-CHANNEL POWER MOSFET,4.6mΩ @VGS=10V | 封装/外壳/尺寸 | PDFN5*6-8L |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS | 100V | ID | 120A |
| RDS(on).TYP | 4.6mΩ @VGS=10V | VGS | ±20V |
| PD | 200W | ||
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价格：
￥1.5625
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| 订货型号 | SFD5N50-Y | 品牌 | HI-SEMICON |
| 型号系列 | SFD5N50, SFX5N50 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 5A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET,Y TYPE | 封装/外壳/尺寸 | TO-252-2L |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS(V) | 500V | ID(A) | 5A (TC=25℃) |
| PD(W) | 73W | Operation Junction Temperature Range | -55～+150℃ |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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价格：
￥0.3500
库存：
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| 订货型号 | SGN046R5T | 品牌 | HI-SEMICON |
| 型号系列 | SGN046R5T | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 40V,60A N-CHANNEL POWER MOSFET | 封装/外壳/尺寸 | PDFN3*3-8L |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | 卷带 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS | 40V | ID | 60A |
| IDM | 240A | PD | 39W |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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价格：
￥0.4715
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0
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| 订货型号 | SGM030R7T | 品牌 | HI-SEMICON |
| 型号系列 | SGM030R7T | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 30V, 280A N-CHANNEL POWER MOSFET | 封装/外壳/尺寸 | PDFN5*6-8L |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Drain-Source Voltage | 30V | Drain Current | 280A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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价格：
￥3.0625
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0
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| 订货型号 | SFD5N50 | 品牌 | HI-SEMICON |
| 型号系列 | SFX5N50 | 品类 | 高压MOS |
| 描述/说明 | 5A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET | 封装/外壳/尺寸 | TO-252-2L |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | 卷带包装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 工艺 | Planar | 电压（V） | 500V |
| 栅源电压（V） | ±30V | 电流（A） | 5A |
| 内阻（mΩ/Ω@10V） | 1.45Ω | 输入电容（pF） | 382pF |
| 应用等级 | 消费类 | 湿度敏感等级 | MSL3 |
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价格：
￥0.6875
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| 订货型号 | SFF4N90 | 品牌 | HI-SEMICON |
| 型号系列 | SFX4N90 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 4A, 900V N-CHANNEL POWER MOSFET | 封装/外壳/尺寸 | TO-220F-3L |
| 最小包装量 | 1,000 | 包装形式 | 管 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| ID | 4A | VDS | 900V |
授权代理商：
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| 订货型号 | SFD5N50-J | 品牌 | HI-SEMICON |
| 型号系列 | SFX5N50, SFD5N50 | 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 5A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET,J TYPE | 封装/外壳/尺寸 | TO-252-2L |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Drain Current (ID) | 5A | Drain-Source Voltage(VDS) | 500V |
| PD | 71W | Operation Junction Temperature Range | -55～+150℃ |
授权代理商：
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SFD1N65 1A，650V N沟道功率MOSFET
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SFD1N65 1A，650V N沟道功率MOSFET
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SFD1N65 1A，650V N沟道功率MOSFET
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15A, 100V N沟道功率MOSFET
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SFX10N65 10A，650V N沟道功率MOSFET
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SFX15N10 15A，100V N沟道功率MOSFET
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SFX15N10 100V 15A N沟道功率MOSFET
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SFX18N20 18A，200V N沟道MOSFET
2015/3/13
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SFX10003PT-100V，-30A P沟道功率MOSFET
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SFX10N65R 10A，650V N沟道MOSFET
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SFX1N60 1A，600V N沟道MOSFET
2012/7/26
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SFX3N50-P 3A，500V N沟道功率MOSFET
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SFX5N50TS 5A，500V N沟道功率MOSFET
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SFX3N50TS 3A，500V N沟道功率MOSFET
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SFX5N20.J 5A，200V N沟道功率MOSFET
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SFX5N50.H 5A，500V N沟道功率MOSFET
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SFX5N50.P 5A，500V N沟道功率MOSFET
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SFX18N50.Y 18A，500V N沟道功率MOSFET
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SFX20N60.P 20A，600V N沟道功率MOSFET
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SFX5N50 5A，500V N沟道功率MOSFET
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SFX5N50 5A，500V N沟道功率MOSFET
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SFD5N80 5A，800V N沟道功率MOSFET
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SFF9N50 500V，9A N沟道功率MOSFET
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SFX20N65 20A，650V N沟道功率MOSFET
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SFX20N65 20A，650V N沟道功率MOSFET
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SFD5N50L 5A，500V N沟道功率MOSFET
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SFX3N50 3A，500V N沟道功率MOSFET
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SFX3N50 3A，500V N沟道功率MOSFET
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SFX20N65.Y 20A，650V N沟道功率MOSFET
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SFX7N50 7A，500V N沟道功率MOSFET
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SFD4N50 4A，500V N沟道功率MOSFET
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SFX6N70 6A，700V N沟道功率MOSFET
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SFX10N60_F 10A，600V N沟道功率MOSFET
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SFX33N10.P 33A，100V N沟道功率MOSFET
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SFB59N30 59A，300V N沟道功率MOSFET
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SFX20N70 20A，700V N沟道功率MOSFET
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SFX20N70 20A，700V N沟道功率MOSFET
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SFX2N50 2A，500V N沟道功率MOSFET
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SFX2N50 2A，500V N沟道功率MOSFET
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SFX10N70_F 10A，700V N沟道功率MOSFET
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SFX3N80 3A，800V N沟道功率MOSFET
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SFX7N65.X 7A，650V N沟道功率MOSFET
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SFB4N150 4A，1500V N沟道功率MOSFET
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SFX60N06 60V，60A N沟道功率MOSFET
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SFX60N06 60V，60A N沟道功率MOSFET
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HI-SEMICON推出的SFD1N65是一款N-沟道增强型MOSFET，它能提供优异的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这种器件非常适合应用于功率因素校正（PFC）、开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和LED照明电源。
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【产品】500V 5A的N沟道功率MOSFET SFX5N50系列，适用于PFC、SMPS、UPS等领域
HI-SEMICON推出的500V 5A N沟道功率MOSFET SFX5N50系列采用先进技术制造，适用于需要高功率密度和出色效率的应用中，如功率因数校正(PFC) 、开关模式电源(SMPS) 、不间断电源(UPS)、LED照明电源等领域。
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【产品】500V/5A的N沟道增强型功率MOSFET SFF5N50TS/SFD5N50TS，采用平面条形VDMOS技术
SFF5N50TS/SFD5N50TS是Hi-Semicon推出的采用其专有的平面条形VDMOS技术生产的N沟道增强型功率场效应晶体管，分别采用TO-220F-3L和TO-252-2L封装，适用于功率因数校正、开关电源、不间断电源及LED照明电源等应用。
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