SFD14N25 14A, 250V N-CHANNEL POWER MOSFET

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发布时间： 2024-07-23 品牌： HI-SEMICON 资料类型：数据手册语言：英文

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●GENERAL DESCRIPTION

■These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Hi-semicon’s proprietary, planar stripe, VDMOS technology.

■This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switched mode power supplies, active power factor correction, electronic lamp ballasts based on half bridge topology.

●Features

■VDS(V)=250V, ID=14A

■RDS(ON)

▲TYP:230mΩ@VGS=10V ID=7A

授权代理商	世强先进（深圳）科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台	世强硬创平台www.sekorm.com
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SFD1N65 1A，650V N沟道功率MOSFET

2021/8/24 - 数据手册本资料介绍了SFD1N65型号的N-Channel增强型功率MOSFET。该器件提供卓越的开关性能，可承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。主要特性包括：ID=1A，VDS=650V；典型导通电阻RDS(ON)为7.5Ω@VGS=10V。

HI-SEMICON - N沟道功率MOSFET,N-CHANNEL POWER MOSFET,SFD1N65,SWITCHED MODE POWER SUPPLIES,开关模式电源,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,UPS,SMPS,LED LIGHTING POWER,LED照明电源

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UPS电源项目，找一款贴片场效应管，N沟道|200V|18.0A|0.18Ω|TO-252|R10，贵司代理的HI-SEMICON有合适方案推荐吗？

2023-06-19 - 技术问答可以看看HI-SEMICON，SFD18N20；SFD18N20，N沟道MOSFET：18A，200V TO-252-2L封装；RDS（开）（典型0.15Ω）@VGS=10 V；详细规格书链接：https://www.sekorm.com/doc/3721809.html

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15A, 100V N沟道功率MOSFET

未提供 - 数据手册这份资料详细介绍了Hi-semicon公司生产的SFD15N10型号N-Channel增强型功率场效应晶体管。该晶体管采用平面条纹技术制造，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲耐受性。资料中提供了产品的电气特性、热特性、开关特性、典型性能参数以及封装尺寸等信息。

HI-SEMICON - 功率场效应晶体管 (POWER MOSFET),SFD15N10,不间断电源 (UPS),电源因子校正 (PFC),LED照明电源,开关模式电源 (SMPS)

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SFX10N65 10A，650V N沟道功率MOSFET

2021/5/27 - 数据手册本资料介绍了Hi-Semicon生产的SFX10N65型号N沟道增强型功率场效应晶体管。该器件采用平面条纹DMOS技术制造，具有高电流承载能力和低导通电阻，适用于电源因子校正（PFC）、开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和LED照明等领域。

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SFX15N10 15A，100V N沟道功率MOSFET

2022/8/12 - 数据手册本资料介绍了Hi-Semicon生产的SFX15N10型号N沟道增强型功率场效应晶体管。该器件采用平面条纹技术制造，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力。主要应用于电源因子校正（PFC）、开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和LED照明等领域。

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SFX15N10 100V 15A N沟道功率MOSFET

2021/5/31 - 数据手册该资料介绍了SFX15N10型N通道功率MOSFET的特性、参数和应用。该器件采用先进的SGT技术设计，具有低导通电阻和低栅极电荷，适用于多种电源转换应用。

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SFX18N20 18A，200V N沟道MOSFET

2015/3/13 - 数据手册本资料介绍了Hi-Semicon生产的SFX18N20型号N沟道增强型功率场效应晶体管。该器件采用专有的平面条纹DMOS技术制造，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力。适用于高效开关电源、主动功率因数校正和基于半桥拓扑结构的电子镇流器。

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SFX10N65R 10A，650V N沟道MOSFET

2020/11/6 - 数据手册该资料介绍了Hi-Semicon生产的SFX10N65R型号N沟道增强型功率场效应晶体管。这些器件采用专有的平面条纹DMOS技术制造，旨在降低导通电阻、提供优异的开关性能并承受高能脉冲。适用于高效开关电源、主动功率因数校正和基于半桥拓扑结构的电子灯镇流器。

HI-SEMICON - N沟道增强型功率场效应晶体管,N沟道贴片MOS管,N-CHANNEL MOSFET,N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS,SFX10N65R,SFD10N65R,SFXXNXXE,SFF10N65R,SFU10N65R,HIGH EFFICIENCY SWITCHED MODE POWER SUPPLIES,电子灯镇流器,ELECTRONIC LAMP BALLASTS,高效开关模式电源

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SFX10003PT-100V，-30A P沟道功率MOSFET

2022/3/29 - 数据手册该资料介绍了SFX10003PT型P-Channel功率MOSFET的特性、电气参数和应用领域。这款器件采用先进的沟槽技术设计，具有低导通电阻和低栅极电荷，适用于多种电源转换应用。

HI-SEMICON - P-CHANNEL POWER MOSFET,P通道功率MOSFET,SFX10003PT,SFF10003PT,SFD10003PT,SWITCHED MODE POWER SUPPLIES,开关模式电源,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,UPS,SMPS,LED LIGHTING POWER,LED照明电源

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SFX1N60 1A，600V N沟道MOSFET

2012/7/26 - 数据手册本资料介绍了SFX1N60系列600V N-Channel MOSFET的特性、规格和应用。该器件采用Hi-Semicon专有的F-CellTM结构VDMOS技术制造，具有低导通电阻、快速开关和高能脉冲承受能力等特点，适用于AC-DC电源供应器、DC-DC转换器和H-Bridge PWM电机驱动等领域。

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HI-SEMICON MOSFET在园林工具上的应用，具有优秀Rdson和EAS性能，较低FOM值

2024-09-15 - 应用方案园林工具市场正经历锂电化趋势，其中无刷电机技术受到重视，MOSFET在其中扮演关键角色。深鸿盛电子提供适合园林工具的中低压MOS产品，具有优秀的性能和多种封装选择，满足不同电池供电和电机负载需求。

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HI-SEMICON中低压功率MOSFET选型表

选型表 - HI-SEMICON HI-SEMICON提供中低压功率MOSFET以下参数选型，VDS[max] (V)：-200~200V，ID[max](25℃) (A)：-140~450A

产品型号	品类	VDS[max] (V)	VGS(V)	Channel	VGS(th)[min] (V)	VGS(th)[max] (V)	Ciss(typ)(pF)	Package	ID[max](25℃) (A)
SFD13P10	中低压功率MOSFETs	-100	±20	P	1.2	3	1200	TO-252-2L	-13

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【产品】漏源电压650V的N-沟道增强型MOSFET SFD1N65，漏极电流1A@25℃

2023-05-01 - 产品 HI-SEMICON推出的SFD1N65是一款N-沟道增强型MOSFET，它能提供优异的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这种器件非常适合应用于功率因素校正（PFC）、开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和LED照明电源。

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SFX5N50.H 5A，500V N沟道功率MOSFET

2022/6/10 - 数据手册本资料介绍了Hi-Semicon生产的SFX5N50型号N沟道增强型功率场效应晶体管。该器件采用平面条纹VDMOS技术制造，具有500伏耐压和5安培电流能力。主要应用于电源因子校正（PFC）、开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和LED照明等领域。

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SFX3N50-P 3A，500V N沟道功率MOSFET

2021/7/10 - 数据手册本资料介绍了Hi-Semicon生产的SFX3N50型号N沟道增强型功率场效应晶体管。该器件采用平面条纹VDMOS技术制造，具有500伏耐压和3安培电流能力。主要应用于电源因子校正（PFC）、开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和LED照明等领域。

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