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ASC60N650MT7 650V N-Channel MOSFET
发布时间: 2024-07-15
类型: 数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
爱仕特(AST)
型号:
ASC60N650MT7
本数据手册详细介绍了ASC60N650MT7这款650V N沟道MOSFET产品。该器件基于先进的碳化硅技术制造,具备高速开关、低电容以及低导通电阻等显著特性,同时拥有高阻断电压能力,且易于并联和驱动。在环保合规方面,产品采用无卤素设计并符合ROHS标准。凭借这些技术优势,该MOSFET被广泛应用于电动汽车充电、DC/DC转换器、开关电源、UPS以及太阳能光伏系统等高功率密度和高效率要求的场景。针对文中所述器件,品牌方在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该方案,用户可通过平台获取原厂授权的正品器件,相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价及库存充足。此外,平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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爱仕特官方授权代理:世强先进(深圳)科技股份有限公司
世强先进(深圳)科技股份有限公司是爱仕特的官方授权代理,是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业,世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台,平台不仅提供爱仕特的正品现货、透明报价与稳定交期,还整合原厂技术资源,联合双方FAE团队,为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务,助力研发高效落地,保障供应链安全可靠。
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国内首家量产六英寸SiC MOS厂家——爱仕特(AST)
爱仕特专注于第三代半导体碳化硅(SiC)MOS芯片设计、功率模块的生产制造及其基于SiC器件在新能源领域的应用系统开发方案,由武岳峰资本及国内多家知名投资机构投资数亿元,中国科学院及清华大学博士领军,数十位半导体行业资深人士共同组建的高科技技术创新性企业。公司已申请25项专利技术,采用6英寸技术已量产20余款650V~3300V全系列SiC MOSFET产品,可为客户提供整套应用解决方案。
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现货平台 / 爱仕特 授权代理店
订货型号 ASC60N650MT7 品牌 爱仕特
型号系列 ASC60N650MT7 品类 MOSFET
描述/说明 650V N-Channel MOSFET 封装/外壳/尺寸 TO-263-7
最小包装量 3,000 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
Drain-Source Voltage 650 V Zero Gate Voltage Drain Current 100 uA
Gate-body Leakage Current 150 nA Gate Threshold Voltage 4V
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥53.7500
库存:
0
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订货型号 ASC60N1200MT4 品牌 爱仕特
型号系列 ASC60N 品类 SiC MOS芯片, N-Channel MOSFET
描述/说明 1200V N-Channel MOSFET 封装/外壳/尺寸 TO-247-4L
最小包装量 30 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
 Voltage (V)  1200 Ron(mohm) 40
Temperature Range(℃) -40~150
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥100.0000
库存:
4
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订货型号 ASC60N1200MT3 品牌 爱仕特
型号系列 ASC60N 品类 SiC MOS芯片, N-Channel MOSFET
描述/说明 1200V N-Channel MOSFET 封装/外壳/尺寸 TO-247-3L
最小包装量 30 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
 Voltage (V)  1200 Ron(mohm) 40
Temperature Range(℃) -40~150
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥60.0000
库存:
2
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订货型号 ASC100N900MT4 品牌 爱仕特
型号系列 ASC100N 品类 SiC MOS芯片, N-Channel MOSFET
描述/说明 900V N-Channel MOSFET 封装/外壳/尺寸 TO-247-4L
最小包装量 30 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
 Voltage (V)  900 Ron(mohm) 16
Temperature Range(℃) -40~150
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
库存:
0
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订货型号 ASC60N650MT4 品牌 爱仕特
型号系列 ASC60N 品类 SiC MOS芯片, N-Channel MOSFET
描述/说明 650V N-Channel MOSFET 封装/外壳/尺寸 TO-247-4L
最小包装量 30 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
 Voltage (V)  650 Ron(mohm) 35
Temperature Range(℃) -40~150
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥40.0000
库存:
4
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订货型号 ASC100N650MT4 品牌 爱仕特
型号系列 ASC100N 品类 SiC MOS芯片, N-Channel MOSFET
描述/说明 650V N-Channel MOSFET 封装/外壳/尺寸 TO-247-4L
最小包装量 30 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
 Voltage (V)  650 Ron(mohm) 15
Temperature Range(℃) -40~150
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥133.3333
库存:
0
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订货型号 ASC60N650MT3 品牌 爱仕特
型号系列 ASC60N 品类 SiC MOS芯片, N-Channel MOSFET
描述/说明 650V N-Channel MOSFET 封装/外壳/尺寸 TO-247-3L
最小包装量 30 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
 Voltage (V)  650 Ron(mohm) 35
Temperature Range(℃) -40~150
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥100.0000
库存:
0
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订货型号 ASC100N1200MT4 品牌 爱仕特
型号系列 ASC100N 品类 SiC MOS芯片, N-Channel MOSFET
描述/说明 1200V N-Channel MOSFET 封装/外壳/尺寸 TO-247-4L
最小包装量 30 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
 Voltage (V)  1200 Ron(mohm) 17
Temperature Range(℃) -40~150
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥133.3333
库存:
0
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订货型号 ASC100N650MT3 品牌 爱仕特
型号系列 ASC100N 品类 SiC MOS芯片, N-Channel MOSFET
描述/说明 650V N-Channel MOSFET 封装/外壳/尺寸 TO-247-3L
最小包装量 30 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
 Voltage (V)  650 Ron(mohm) 15
Temperature Range(℃) -40~150
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证
价格:
¥46.6667
库存:
0
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型号系列 ASC100N 品类 SiC MOS芯片, N-Channel MOSFET
描述/说明 1200V N-Channel MOSFET 封装/外壳/尺寸 TO-247-3L
最小包装量 30 包装形式 -
生命周期 有效(ACTIVE) 停产时间
 Voltage (V)  1200 Ron(mohm) 17
Temperature Range(℃) -40~150
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
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价格:
库存:
0
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技术支持/研发服务
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企业采购服务
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资料平台
数据手册 - 英文
ASC60N650MT7
ASTC-3T04-41A A/1
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数据手册 - 英文
ASC60N3300MT4 3300V N沟道MOSFET
2024/5/13
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ASC60N650MT3 650V N沟道MOSFET
2023/11/28
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ASC60N650MT3 650V N沟道MOSFET
2021/9/6
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ASC60N650MT3 650V N沟道MOSFET
2021/09/09
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ASC60N650MT3 650V N沟道MOSFET
2023/7/26
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ASC60N650MT4 650V N沟道MOSFET
2023/11/28
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ASC60N650MT4 650V N沟道MOSFET
2021/9/6
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ASC60N650MT4 650V N沟道MOSFET
2021/09/09
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ASC60N650MT4 650V N沟道MOSFET
2023/7/26
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ASC60N1200MT4 1200V N沟道MOSFET
2023/11/10
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ASC60N1200MT4 1200V N沟道MOSFET
2021/9/2
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ASC60N1200MT4 1200V N沟道MOSFET
2021/09/09
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ASC60N1200MT4 1200V N沟道MOSFET
2023/7/26
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ASC60N1200MT3 1200V N沟道MOSFET
2023/11/10
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ASC60N1200MT3 1200V N沟道MOSFET
2021/9/2
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ASC60N1200MT3 1200V N沟道MOSFET
2021/09/09
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ASC60N1200MT3 1200V N沟道MOSFET
2023/7/26
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ASC60N1200MT7 1200V N沟道MOSFET
2023/11/10
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ASC60N1200MT7 1200V N沟道MOSFET
2023/7/26
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ASC60N1200MT3
ASTC-3T04-19A
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ASC60N1200MT7
ASTC-3T04-21A
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数据手册 - 英文
ASC60N900MT4 900V N沟道MOSFET
2021/9/15
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数据手册 - 英文
ASC60N900MT4 900V N沟道MOSFET
2021/09/09
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数据手册 - 英文
ASC60N900MT3 900V N沟道MOSFET
2021/09/09
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数据手册 - 英文
ASC60N1200MT4PB 1200V N沟道MOSFET
2023/11/10
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数据手册 - 英文
ASC60N1200MT4S
ASTC-3T01-73A-L A/0
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数据手册 - 英文
ASC60N650MT4
ASTC-3T04-16A A/2
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数据手册 - 英文
ASC60N650MT3
ASTC-3T04-15A
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数据手册 - 英文
ASC60N1200MT3Hi
ASTC-3T04-85A A/0
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技术论坛
单体DC-DC项目输入电压200-400V,输出电压13.5V左右,当前原边使用的是IGBT,想评估一下SIC MOS的方案,耐压值650V左右,导通内阻40mΩ,是否有合适的方案推荐?
查看官方回答 >>
小功率电源项目,需求650V 40mΩ TO-247封装的SIC MOS,请问国产有合适方案推荐吗?
查看官方回答 >>
并网储能系统,WP 6KW项目,找一款650V 38mo SIC MOS 3脚,要求国产品牌,有合适推荐吗?
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光伏逆变器,DC-DC升降压回路,1200V 45mo SIC MOS 3脚的,国产有合适推荐么?
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目前做一个6KW并网储能系统,需要900V,60A的SIC mos,请问有无合适物料推荐?
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某三相电源模块上,在选型SiC MOSFET,耐压1200V,Rds 40mΩ,TO247-3封装,有没有性能稳定,供货好的型号推荐
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车载电源项目中需要用到一颗1200V,60A的SIC NMOS,有什么推荐么?
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8KW家用储能逆变器,帮忙找一款900V 40mo SIC MOS 3脚,最好是纯国产品牌,谢谢。
查看官方回答 >>
SiC MOSFET选型 1200V, 40mΩ,TO247-3,有稳定性好,供货有保障的型号推荐吗?
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40KW充电桩电源模块项目,第二版低成本方案,主要面向国内市场;找一款SIC MOS:1200 V, 40 mΩ SiC Trench MOSFET in TO247-4 package,性能上可以兼容英飞凌:IMZA120R040M1H;请问贵司代理国产厂牌中是否有合适方案推荐?
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应用/方案
“两粗两细”引脚|爱仕特 TO247-4封装 SiC MOSFET 再添新选择
爱仕特推出TO247-4S封装碳化硅MOSFET,采用创新的“两粗两细”引脚配置,优化驱动性能与系统集成度,适用于高密度、高效率功率转换系统。
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探索车载充电机:从基础到趋势,聚焦碳化硅功率器件
随着电动汽车向高压平台和双向充电方向发展,碳化硅基OBC将成为未来电动汽车充电系统的核心。作为碳化硅功率器件及应用方案引领者,爱仕特推出了适用于大功率双向OBC的MT4系列和MT7系列碳化硅MOSFET。这些产品不仅具备卓越的性能,还在双向充电技术上实现了重大突破。
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新动向 | 爱仕特内绝缘型SiC MOSFET,内置陶瓷片优化绝缘和导热性能,为高效能应用提供新选项
爱仕特始终秉承创新理念,近期推出了1200V和1700V两款内绝缘型TO-247-4封装的SiC MOSFET。这些创新产品在保持标准封装尺寸,通过内置陶瓷片优化了绝缘和导热性能,背面散热器做了悬浮电位设计,减少了外部绝缘材料依赖,降低了材料老化导致的长期运行故障风险,增强了产品可靠性和耐用性。
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爱仕特已量产3300V/60A高压大电流碳化硅MOSFET,导通电阻低至58mΩ
近日,爱仕特已实现3300V/60A碳化硅MOSFET的规模量产和交付。为满足市场对碳化硅功率器件的更高电压、更高效率、更高功率密度的发展需求,爱仕特成功研制出耐压为3300V、导通电阻为58mΩ、可支持60A电流的碳化硅MOSFET。更高的输出功率,使得基于爱仕特3300V/60A碳化硅MOSFET开发的应用系统具备更高的可靠性。
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爱仕特全新34mm封装碳化硅模块适用于大功率工业应用,具有高过载和高耐温循环能力
深圳爱仕特科技有限公司新增一款34mm工业标准封装模块,具有更多灵活性和可靠性,主要应用于工业焊机、电机传动、UPS电源、高频开关、大功率变流器等工业领域。
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