ASC60N650MT7 650V N-Channel MOSFET
●描述
■碳化硅（SiC）MOSFET使用了一种全新的技术，与硅相比，该技术提供了优异的开关性能和更高的可靠性。此外，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷。因此，系统的优点包括最高的效率、更快的工作频率、增加的功率密度、减少的EMI和减小的系统尺寸。
●特征
■低电容高速开关
■高阻断电压，低RDS（开启）
■易于并行且易于驱动
■符合ROHS，无卤素
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产品型号
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品类
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Status
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Temperature Range(℃)
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Voltage（V）
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Package
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RON(mohm)
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ASC60N900MT3
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SiC Chips
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Product
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-40~175℃
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900V
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TO-247-3
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36m ohm
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