P3M06060L8 N-Channel Enhancement Mode SiC MOS
发布时间:
2024-07-24
类型:
数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
派恩杰(PN Junction)
型号:
P3M06060L8
本数据手册详细介绍了PNJ半导体公司推出的P3M06060L8型号N沟道增强型SiC MOSFET器件。该器件专为高性能电力电子设计,具备高阻断电压和低导通电阻的显著特性,能够支持高频操作并拥有超小的Qgd(栅漏电荷)。此外,产品通过了100%的无雪崩UIS测试,确保了在极端条件下的可靠性。凭借这些技术优势,该器件能够有效提高系统效率、增加功率密度,同时减少散热器的需求并降低整体系统成本。其主要应用领域涵盖了太阳能逆变器、电动汽车充电器、高压DC/DC转换器以及开关电源等关键场景。PNJ在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该方案,用户可通过平台获取原厂授权的正品器件,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台还提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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派恩杰官方授权代理:世强先进(深圳)科技股份有限公司
世强先进(深圳)科技股份有限公司是派恩杰的官方授权代理,是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业,世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台,平台不仅提供派恩杰的正品现货、透明报价与稳定交期,还整合原厂技术资源,联合双方FAE团队,为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务,助力研发高效落地,保障供应链安全可靠。
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国内领先的第三代半导体功率器件设计公司:派恩杰(PN Junction)
派恩杰(PN Junction)是一家第三代半导体功率器件设计公司(Fabless模式),致力于碳化硅与氮化镓功率器件的研发迭代与量产转化,主要产品包含碳化硅MOS,碳化硅SBD,氮化镓三极管等。派恩杰获全球Top3氮化镓/碳化硅晶圆厂及全球Top5封装厂代工支持,实现开模量产与技术升级,成功研发可兼容驱动650V氮化镓功率器件,并完成Gen3技术的1200V碳化硅MOS,填补国内技术产业空白。
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现货平台 / 派恩杰 授权代理店
| 订货型号 | P3M06060L8 | 品牌 | 派恩杰 |
| 型号系列 | P3M06060L8 | 品类 | SiC MOS |
| 描述/说明 | N-Channel Enhancement Mode,VRRM:650V,ID:37A,ID(100℃):24A,RDS(on):60mΩ | 封装/外壳/尺寸 | TOLL |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VRRM(V) | 650V | ID(A) | 37A |
| ID(100℃) (A) | 24A | RDS(on)(mΩ) | 60mΩ |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥41.7690
库存:
0
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| 订货型号 | P3M06040L8 | 品牌 | 派恩杰 |
| 型号系列 | P3M06040L8 | 品类 | N-Channel Enhancement Mode SiC MOS |
| 描述/说明 | Qualified to AEC-Q101, High Blocking Voltage with Low On-Resistance, High-Frequency Operation | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VRRM | 650V | ID | 62A |
| ID (100°C) | 39A | RDS(on) | 40mΩ |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥96.4700
库存:
0
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| 订货型号 | P3D06010T2 | 品牌 | 派恩杰 |
| 型号系列 | P3D06010T2 | 品类 | SIC SBD |
| 描述/说明 | 650V, 10A,SIC SBD | 封装/外壳/尺寸 | TO220-2 |
| 最小包装量 | 2,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 热阻Rjc | 1.29℃/W | IF(Tc=25℃) | 30A |
| Tc(额定电流) | 155℃ | 可重复浪涌IFRM(Tc=25℃) | 75A |
| 可重复浪涌IFRM(Tc=125℃) | 62A | VF(Tc=25℃) | 843A |
| VF(Tc=125℃) | 847A | ||
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥7.5400
库存:
0
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| 订货型号 | P3D06008T2 | 品牌 | 派恩杰 |
| 型号系列 | P3D06008T2 | 品类 | SIC SBD |
| 描述/说明 | 650V, 8A,SIC SBD | 封装/外壳/尺寸 | TO220-2 |
| 最小包装量 | 2,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 热阻Rjc | 1.38℃/W | IF(Tc=25℃) | 26A |
| Tc(额定电流) | 153℃ | 可重复浪涌IFRM(Tc=25℃) | 60A |
| 可重复浪涌IFRM(Tc=125℃) | 52A | VF(Tc=25℃) | 727A |
| VF(Tc=125℃) | 697A | ||
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
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一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥6.3180
库存:
15
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| 订货型号 | P3D06006T2 | 品牌 | 派恩杰 |
| 型号系列 | P3D06006T2 | 品类 | SIC SBD |
| 描述/说明 | 650V, 6A,SIC SBD | 封装/外壳/尺寸 | TO220-2 |
| 最小包装量 | 2,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 热阻Rjc | 1.53℃/W | IF(Tc=25℃) | 23A |
| Tc(额定电流) | 160℃ | 可重复浪涌IFRM(Tc=25℃) | 45A |
| 可重复浪涌IFRM(Tc=125℃) | 37A | VF(Tc=25℃) | 550A |
| VF(Tc=125℃) | 547A | ||
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥5.5510
库存:
0
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| 订货型号 | P6D12002E2 | 品牌 | 派恩杰 |
| 型号系列 | P6D12002E2 | 品类 | SIC SBD |
| 描述/说明 | 1200V, 2A,SIC SBD | 封装/外壳/尺寸 | TO252-2 |
| 最小包装量 | 2,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 热阻Rjc | 2.5℃/W | IF(Tc=25℃) | 9A |
| Tc(额定电流) | 165℃ | 可重复浪涌IFRM(Tc=25℃) | 18A |
| 可重复浪涌IFRM(Tc=125℃) | 12A | ||
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥3.7310
库存:
0
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| 订货型号 | P3D06016K3 | 品牌 | 派恩杰 |
| 型号系列 | P3D06016K3 | 品类 | SIC SBD |
| 描述/说明 | 650V, 16A,SIC SBD | 封装/外壳/尺寸 | TO247-3 |
| 最小包装量 | 600 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 热阻Rjc | 0.9℃/W | IF(Tc=25℃) | 32/64A |
| Tc(额定电流) | 160℃ | 可重复浪涌IFRM(Tc=25℃) | 77A |
| 可重复浪涌IFRM(Tc=125℃) | 66A | VF(Tc=25℃) | 475A |
| VF(Tc=125℃) | 453A | ||
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥12.7790
库存:
20
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| 订货型号 | P3M06300T3 | 品牌 | 派恩杰 |
| 型号系列 | P3M06300T3 | 品类 | SIC MOS |
| 描述/说明 | 650V,15A,RDS(on)=300mΩ,SIC MOS | 封装/外壳/尺寸 | TO220-2 |
| 最小包装量 | 2,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 热阻Rjc | 1.48℃/W | RDSon(TJ=25℃) | 300mΩ |
| RDSon(TJ=175℃) | 296mΩ | ID(Tc=25℃) | 15A |
| ID(Tc=100℃) | 11A | PD | 101W |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥5.9930
库存:
0
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| 订货型号 | P3D06004E2 | 品牌 | 派恩杰 |
| 型号系列 | P3D06004E2 | 品类 | SIC SBD |
| 描述/说明 | 650V, 4A,SIC SBD | 封装/外壳/尺寸 | TO252-2 |
| 最小包装量 | 6,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 热阻Rjc | 2.9℃/W | IF(Tc=25℃) | 12A |
| Tc(额定电流) | 150℃ | 可重复浪涌IFRM(Tc=25℃) | 30A |
| 可重复浪涌IFRM(Tc=125℃) | 24A | VF(Tc=25℃) | 365A |
| VF(Tc=125℃) | 355A | ||
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥3.0290
库存:
0
世强硬创平台提供P3D06004E2在线购买服务,支持单件起订、小批量试产,库存充足,交期透明。下单后自动进入标准化交付流程,物流全程可追踪,适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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世强硬创平台提供P3D06004E2样品申请服务,支持工程师在研发初期快速获取器件用于功能验证与兼容性测试;样品将由原厂审核,世强协助申请,物流全程可追踪,助力加速原型开发与方案选型。
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P3D06004E2 批量询价 >>
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| 订货型号 | P3M173K0K3 | 品牌 | 派恩杰 |
| 型号系列 | P3M173K0K3 | 品类 | SIC MOS |
| 描述/说明 | 1700V,4A,RDS(on)=3Ω,SIC MOS | 封装/外壳/尺寸 | TO247-3 |
| 最小包装量 | 600 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 热阻Rjc | 2.37℃/W | RDSon(TJ=25℃) | 3Ω |
| RDSon(TJ=175℃) | 3.6Ω | ID(Tc=25℃) | 4A |
| ID(Tc=100℃) | 3A | PD | 63W |
| ID(pulse) | 6.64A | ||
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥20.8000
库存:
15
世强硬创平台提供P3M173K0K3在线购买服务,支持单件起订、小批量试产,库存充足,交期透明。下单后自动进入标准化交付流程,物流全程可追踪,适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
P3M173K0K3 在线购买 >>
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技术支持/研发服务
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企业采购服务
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加工定制
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
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资料平台
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P3M06060L8 SiC MOS N沟道增强模式
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P3M06060L8 SiC MOS N沟道增强模式
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P3M171K0K3 N沟道增强型SiC MOS
Ver. 2.0
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P3M06060G7 N沟道增强型SiC MOS
Ver. 1.3
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P3M06025BD N沟道增强型SiC MOS
Ver. 1.2
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| 数据手册 - 英文 |
P3M06120K3 N沟道增强型SiC MOS
Ver. C.1
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P3M06035G7 N沟道增强型SiC MOS
Ver. 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
P3M06035G7 N沟道增强型SiC MOS
Ver. 1.1
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P3M06035G7 N沟道增强型SiC MOS
Ver. 1.1
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| 数据手册 - 英文 |
P3M06035K4 N沟道增强型SiC MOS
Ver. 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
P3M06035K4 N沟道增强型SiC MOS
Ver. 1.1
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P3M17700K3 N沟道增强型SiC MOS
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在5kW高密度DCDC模块项目中,功率5kW~7kW,输入200~400V,输出28V/48V,频率100~150kHz。需要一款SIC MOS管,有无合适推荐?
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开关电源需要一款SiC MOS,650V,37A,有合适推荐吗?
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应用/方案
【应用】派恩杰650V SIC MOSP3M06060L8用于5KW高密度开关电源,具有卓越的栅氧层可靠性
某客户将派恩杰的SiC MOS管P3M06060L8用于5KW高密度开关电源,具有优异的性能。派恩杰平面型SiC MOSFET具有卓越的栅氧层可靠性,且高温下Rdson偏移小可获得更好的高温特性。
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