PW4800Q 30V Dual N-Channel MOSFET
发布时间：
2024-08-07
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
平伟实业（Pingwei Technology）
型号：
PW4800Q
本数据手册详细介绍了PW4800Q 30V双通道N沟道MOSFET的电气特性、技术参数及应用场景。该器件采用先进的高细胞密度沟槽技术，具备超低栅极电荷与优异的开关性能。资料详细列出了其静态与动态特性，包括30V的漏源电压、6.9A的连续漏极电流、1.25W的功耗以及100℃/W的热阻，并明确了结温与存储温度范围。此外，手册还涵盖了输入输出电容、开关延迟时间及二极管正向电压等关键指标。凭借其低导通电阻和高效率特性，PW4800Q主要适用于电池保护及负载开关等应用领域。针对该器件，Panasonic在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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平伟实业官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是平伟实业的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供平伟实业的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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行业领先的功率半导体厂商——平伟实业（Pingwei Industry）
重庆平伟实业（Pingwei Industry）股份有限公司是一家集芯片设计、封测、应用与可靠性检测服务一体化的功率半导体IDM产品公司。主要产品包括MOS、SBD、SiC、IGBT、BJT、Power IC等功率半导体，以功率半导体器件为产业基础，面向智能终端、工业控制、物联网、新能源汽车、5G通讯、家电、卫星互联网、安全电子、绿色照明等市场领域。
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现货平台 / 平伟实业 授权代理店
| 订货型号 | PW4800Q |
| 品牌 | 平伟实业 |
| 型号系列 | PW4800Q |
| 品类 | Dual NMOSFET |
| 描述/说明 | 场效应管,VDS(V):30,VGS(V):±12,ID(A):6.9 |
| 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 1 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Voltage(V) | -100 |
| Channel | Dual N |
| VDS(V) | 30 |
| VGS(V) | ±12 |
| ID(A) | 6.9 |
| VTH(min) | 0.7 |
| VTH(typ)(V) | 1 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
BSS138DW 50V双N沟道MOSFET
Version1.0
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| 数据手册 - 英文 |
PW2016L 20V双N沟道MOSFET
Version1.0
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| 数据手册 - 英文 |
PW4828Q 60V双通道N沟道MOSFET
Version2.1
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| 数据手册 - 中文 |
PWC010N04UESQ
1.0
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| 数据手册 - 英文 |
SS5T8B 5.0安培。肖特基势垒整流器。
2025/04/17
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| 测试报告 - 中文 |
检测报告
2025年02月26日
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| 测试报告 - 中文 |
检测报告
2025年02月26日
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| 测试报告 - 中文 |
检测报告
2024年12月27日
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| 技术文档 - 英文 |
GBU1006P - 单相 10.0A 低VF 桥式整流器
未提及
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| 技术文档 - 英文 |
GBU1006P - 单相 10.0A 低VF桥式整流器
2025/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
PS10200S 10.0安培。肖特基势垒整流器特性。适用于表面贴装应用。高电流能力。低正向电压降。低功耗，高效率。高浪涌电流能力。高温焊接保证：260℃/10秒在端子处。机械数据。端子：镀锡。外壳：用UL-94 V-0级认可的阻燃环氧树脂PS-277B注塑成型。无尺寸数据 无尺寸数据
2025/03/17
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| 技术文档 - 英文 |
S515LBF
2025/03/07
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| 技术文档 - 英文 |
额定值和特性曲线（S36LBF）
2025/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
S315LBF 3.0A。肖特基势垒整流器。
2025/03/07
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| 技术文档 - 英文 |
额定值和特性曲线（S320LBF）
2025/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
SS515LB 5.0A。肖特基势垒整流器。
2025/03/07
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| 技术文档 - 中文 |
注意：在1.0 MHz的频率和4.0V直流反向电压下测量（SS210）标记包装。
Not specified
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| 技术文档 - 英文 |
SB2100L
2025/02/21
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| 数据手册 - 英文 |
SB3100L 3.0安培。肖特基势垒整流器。
2025/02/21
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| 技术文档 - 英文 |
SS54L肖特基势垒整流器
2025/02/21
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| 数据手册 - 英文 |
SS210L 2.0A。肖特基势垒整流器特点。适用于表面贴装应用。高电流能力。低正向电压降。低功耗，高效率。高浪涌电流能力。高温焊接保证：260℃/10秒在端子处。机械数据。端子：镀锡。外壳：用UL-94阻燃等级V-0认可的阻燃环氧树脂模塑。极性：色带表示阴极。包装：每卷12毫米EIA STD RS-481 SMB(**DO-214AA**)。
2025/02/21
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| 测试报告 - 英文 |
检测报告 (PFAS)
2024年12月27日
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| 测试报告 - 英文 |
(SVHC) 测试报告编号：CANEC24028522701_1 日期：2024年12月30日
CANEC24028522701_1
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| 测试报告 - 中文 |
SOD-123 半导体器件
2024年12月27日
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| 数据手册 - 英文 |
SC040N120Y4-R 60安培、1200伏N沟道SiC功率MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
13N90Y完美MOS N-MOSFET 900V，0.6Ω，13A
2023/9/14
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| 数据手册 - 英文 |
9N90Y完美MOS N-MOSFET 900V，0.83Ω，9A
2024/4/9
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| 数据手册 - 英文 |
MBR10200CT和MBR10200FCT 10.0安培。肖特基势垒整流器
Version1.0
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| 数据手册 - 英文 |
BAV99开关二极管
Version1.0
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| 数据手册 - 英文 |
PW2101 20V P沟道MOSFET
2021/12/3
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| 数据手册 - 英文 |
PW2303 30V P沟道MOSFET
Version1.0
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| 数据手册 - 英文 |
PW2307 30V P沟道MOSFET
Version1.0
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| 数据手册 - 英文 |
PW4P02 20V P沟道MOSFET
Version2.0
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| 数据手册 - 英文 |
BAT46WX肖特基二极管
Version1.0
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| 数据手册 - 英文 |
PW1P10-100V P沟道MOSFET
2021/12/3
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| 数据手册 - 英文 |
2N7002W 60V N沟道MOSFET
Version1.0
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| 测试报告 - 英文 |
二极管和电桥、MOSFET和IGBT（CQC）社会责任管理体系证书（SR-0261-CN）
March 12, 2024
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| 测试报告 - 英文 |
半导体设备ISO 14001:2015（CQC）环境管理体系证书（00123E31908R5M/5000）
May 29, 2023
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| 测试报告 - 中文 |
TO-263 半导体器件 Reach(SGS)检测报告(CANEC23017670708)
2024 年 01 月 11 日
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| 测试报告 - 英文 |
SOD-123半导体器件达标（SGS）测试报告（SVHC）（CANEC23017670703）
Jan 11, 2024
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| 数据手册 - 中文 |
PW047N12CS完美MOS N-MOSFET 120V，3.9mΩ，144A
Revison:1.0
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| 数据手册 - 中文 |
PW038N10ESL完美MOS N-MOSFET 100V，3.2mΩ，100A
Revison:1.0
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| 数据手册 - 中文 |
D100N10ES完美MOS N-MOSFET 100V，5mΩ，100A
Revison:1.0
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| 测试报告 - 中文 |
TO-263半导体器件REACH(SGS)检测报告(CANEC2300543208)
2023年07月12日
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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