PW4800Q 30V Dual N-Channel MOSFET

知识图谱

发布时间： 2024-08-07 品牌：平伟实业资料类型：数据手册语言：英文

代理服务

技术支持

采购服务

●6.9A 30V；RDS（ON）典型值=16mΩ@10V，RDS（ON）典型值=19mΩ@4.5V，RDS（ON）典型值=30mΩ@2.5V
●特性
■高单元密度沟槽式N沟道MOSFET
■超低栅极电荷
■先进的高单元密度沟槽技术

授权代理商	世强先进（深圳）科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台	世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道	世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供	世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应	世强硬创平台www.sekorm.com

资料部分预览(2页)

- 预览已结束，资料共 4页，预览全部，请登录/注册 -

立即下载完整资料资料将发送到工作邮箱，自动同步至所有设备，方便管理

发送至：
分享至：
+1 赞 0
评论 0
收藏

本文内容由平伟实业品牌授权世强硬创平台转载，旨在分享知识与信息，如有内容侵权或者其他违规问题，请及时与我们联系，我们将在核实情况后尽快删除或提供适当的版权信息。对于通过本网站上传或发布的内容，世强硬创平台不承担任何版权责任。

平伟实业场效应管（MOSFET）选型表

选型表 - 平伟实业平伟实业提供以下参数的场效应管/MOS管选型，Vds [min V]：-100V~1500V；Id [A] 25℃：-85~300；Vgs(th) [typ V]：-1.8~4.0；Rds(on) [mohm] at Vgs=（10V）typ：0.034~135.0；Rds(on) [mohm] at Vgs=（10V）max：0.040~180.0；Rds(on) [mohm] at Vgs=（4.5V）typ：0.97~110；Rds(on) [mohm] at Vgs=（4.5V）max：1.3~150；Rds(on) [mohm] at Vgs=（2.5V）typ：4.9~7.3；Ciss[pF]：678~15020

产品型号

品类

RDS(on)mΩ(Vgs=10V)typ

Channel

RDS(on)mΩ(Vgs=4.5V)max

RDS(on)mΩ(Vgs=2.5V)typ

VTH(max)(V)

ID(A)

RDS(on)mΩ(Vgs=4.5V)typ

RDS(on)mΩ(Vgs=2.5V)max

RDS(on)mΩ(Vgs=10V)max

立即选型

代理服务

技术支持采购服务

BSS138DW 50V双N沟道MOSFET

2021/12/3 - 数据手册 BSS138DW是一款50V双通道N沟道MOSFET，具有低RDS(on)和高可靠性。适用于直接逻辑电平接口、驱动器、电池供电系统以及固态继电器等应用。

平伟实业 - DUAL N-CHANNEL MOSFET,双N沟道MOSFET,BSS138DW,驱动程序,显示器,DRIVERS,BATTERY OPERATED SYSTEMS,固态继电器,TTL/CMOS,LAMPS,RELAYS,SOLENOIDS,电池操作系统,灯,SOLID-STATE RELAYS,继电器,螺线管,DIRECT LOGIC-LEVEL INTERFACE,HAMMERS,直接逻辑电平接口,电晶体,存储器,TRANSISTORS,MEMORIES,锤子,DISPLAY

代理服务

技术支持采购服务

PW2016L 20V双N沟道MOSFET

2022/6/22 - 数据手册该资料主要介绍了名为PW2016L的20V双通道MOSFET的特性、电气参数和应用领域。该MOSFET具有低导通电阻、低栅极电荷、高功率和电流处理能力，适用于电池保护、负载开关和电源管理等应用。

平伟实业 - DUAL N-CHANNEL MOSFET,双N沟道MOSFET,PW2016L,POWER MANAGEMENT,电源管理,BATTERY PROTECTION,LOAD SWITCH,电池保护,负载开关

代理服务

技术支持采购服务

PW4828Q 60V双通道N沟道MOSFET

2022/10/19 - 数据手册该资料介绍了PW4828Q型号的60V双通道N沟道MOSFET。资料详细描述了该MOSFET的电气特性、开关特性、热特性以及封装信息，适用于PWM应用和负载开关。

平伟实业 - DUAL N-CHANNEL MOSFET,双N沟道MOSFET,PW4828Q,LOAD SWITCH,脉宽调制,PWM,负载开关

代理服务

技术支持采购服务

SEMTECH ST中低压功率MOS管选型表

选型表 - SEMTECH ST 先之科中低压功率MOS管提供选型：产品涵盖N沟道、P沟道以及双管型号，提供包括DFN3030、DFN5060、TO-220FB、TO-247-3、TOLL等14种先进封装形式，适用于电源管理、电机驱动、LED照明、汽车电子及工业控制等广泛领域。该系列MOS管提供全电压段覆盖，从低压12V到高压200V，满足各类电源拓扑的耐压需求。导通电阻低至0.7mΩ，配合大电流能力514A，可实现高效率的功率开关。栅源阈值电压低至0.3V，兼容3.3V/5V逻辑电平驱动，便于直接与MCU或驱动器接口。

产品型号	品类	封装	Polarity	ESD Protection	VDS (V)	ID max (A)Tc= 25°C	VGS(th) (V)Min	VGS(th) (V)Max	RDSon(mΩ) at 4.5V/Typ	RDSon(mΩ) at 4.5V/Max	Qg Typ （nC）
STM3038N02UA1SK	中低压功率MOS管	DFN3030	N	Y	12	87	0.3	1	2.9	3.8	79

立即选型

代理服务

技术支持采购服务

HYPERSEMI SiC Mosfet选型表

选型表 - HYPERSEMI HYPERSEMI提供碳化硅功率MOSFET选型。封装包括PDFN5x6、PDFN8x8、TO-220F、TO-247-3L/4L、TO-252、TOLL、TO-263-7L等。漏源电压650V-3300V，漏极电流3.8A-150A，导通电阻13mΩ-1000mΩ。适用于新能源汽车、光伏逆变器、工业电源等高功率密度场景。