HXY30N06NF N-Channel Enhancement Mode MOSFET
发布时间：
2024-09-23
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
华轩阳电子（HUA XUAN YANG ELECTRONIC）
型号：
HXY30N06NF
本数据手册详细介绍了华为阳电子（HUAXUANYANG）生产的HXY30N06NF型N通道增强模式MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术，具备优异的导通电阻与低栅极电荷特性，其漏源电压（VDS）为60V，连续漏电流（ID）达30A，且导通电阻RDS(ON)在VGS=10V时小于25毫欧姆。该MOSFET支持低至4.5V的门电压操作，采用DFN5X6-8L封装，能够适应严苛的存储温度及结温工作范围，电学性能稳定，典型特性图详细展示了输出特性及导通电阻与栅极-源极电压的关系。凭借其低电压驱动与高效能表现，该产品主要适用于电池保护、开关应用以及不间断电源等场景。华为阳电子在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该器件，用户可通过平台获取原厂授权的正品保障，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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华轩阳电子官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是华轩阳电子的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供华轩阳电子的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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提供高功率密度、高性能的功率器件二三极管解决方案——华轩阳电子（HUA XUAN YANG ELECTRON）
华轩阳电子（HUA XUAN YANG ELECTRON）是一家持续研发——高效率、高功率、高性能的功率器件生产厂家。产品是二极管Diode、三极管Transistor、瞬态抑制ESD、场效应MOS管。应用于电池管理，电源管理，电机控制，数码产品以及家电。其中，MOSFET/ESD为超过2000个客户提供经口替代方案，最多的时候，帮助客人降低50%的器件成本。量产型号已经超500个。
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| 订货型号 | HXY30N06NF | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | HXY30N06NF | 品类 | N型场效应晶体管 |
| 描述/说明 | N沟道;VDSS耐压:60V;ID电流:30A;RDON导通电阻:25mR@VGS:10V(MAX);VGS(th)开启电压:1.2-2.5V | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 类型 | N沟道 | VDSS耐压(V) | 60V |
| ID电流(A) | 30A | RDS电阻(Ω) | 25 |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.5883
库存：
0
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| 订货型号 | HXY15N10D | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | HXY15N10D | 品类 | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 描述/说明 | The HXY15N10D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. | 封装/外壳/尺寸 | TO252-2L |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Drain-Source Voltage | 100V | Gate-Source Voltage | ±20V |
| Pulsed Drain Current | 24A | Single Pulse Avalanche Energy | 6.1mJ |
| Avalanche Current | 11A | Total Power Dissipation(PD@TC=25℃) | 34.7W |
| Total Power Dissipation(PD@TA=25℃) | 2W | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.3059
库存：
100
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| 订货型号 | 5N10-HXY-SOT-23 | 品牌 | 华轩阳电子 |
| 型号系列 | 5N10-HXY | 品类 | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 描述/说明 | The uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON),low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V.This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. | 封装/外壳/尺寸 | SOT-23 |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| RDS(ON)<125mΩ@V | 10V | VDS | 100V |
| ID | 5A | Gate-Source Voltage | ±20V |
| Continuous Drain Current,VGS@10V（ID@TA=25℃） | 5A | Continuous Drain Current,VGS@10V（ID@TA=70℃） | 3.2A |
| Pulsed Drain Current | 16A | Total Power Dissipation | 3.1W |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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原厂认证
价格：
库存：
0
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
HXY30N06NF N沟道增强型MOSFET
2022/5/25
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| 数据手册 - 英文 |
HXY30N06NF N沟道增强型MOSFET
2022/12/2
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HXY30N06NF
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N沟道贴片MOS管
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N通道增强模式MOSFET
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N通道增强模式MOSFET
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N通道增强模式MOSFET
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NVD5863NL N沟道增强型MOSFET
2024/3/6
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NVMFS5C682NL N沟道增强型MOSFET
2024/3/12
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AOD478 N沟道增强型MOSFET
2022/12/14
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HXY50N04NF N沟道增强型MOSFET
2022/5/25
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HXY50N04NF N沟道增强型MOSFET
2022/9/15
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NVMFS5C468NL N沟道增强型MOSFET
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NVMFS5C680NL N沟道增强型MOSFET
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NVMFS5C468N N沟道增强型MOSFET
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NVMFS5826NL N沟道增强型MOSFET
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NVMFS5834NL N沟道增强型MOSFET
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DMN63D8L N沟道增强型MOSFET
2024/3/8
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NVTFS5C680NL N沟道增强型MOSFET
2024/3/21
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NTTFS4985NF N沟道增强型MOSFET
2024/3/18
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NVMFS5C466N N沟道增强型MOSFET
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