HXY30N06NF N-Channel Enhancement Mode MOSFET
●描述
■HXY30N06NF采用先进的沟槽技术，提供优异的RDS（ON）、低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压操作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
●一般功能
■VDS=60V ID=30 A
■RDS（ON）<25mΩ@VGS=10V
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产品型号
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品类
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RDS电阻(mΩ)@4.5V MAX)
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VDSS耐压(V)
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应用等级
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RDON(mR)
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ID电流(A)
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类型
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封装
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HXY30N06NF
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N型场效应晶体管
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25mΩ
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60V
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民用级
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60mR
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30A
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N沟道
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DFN5X6-8L
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N沟道
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1.4mR
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DFN5X6-8L
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