SIE3415 V1.1 - P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
发布时间：
2025-03-15
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
美莱半导体（Meilai Semiconductor）
型号：
SIE3415
本数据手册详细介绍了MEILAI INNOVATION公司生产的SIE3415型P沟道增强型场效应晶体管。该器件采用先进的沟槽技术，具备优异的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷特性，并集成了ESD保护功能，其ESD等级达到2000V HBM。在关键电气参数方面，SIE3415的漏源电压（VDSS）为-20V，漏极电流（ID）为-4.5A；在VGS=4.5V时，RDS(ON)低至30mΩ，在VGS=2.5V时为35mΩ，最大功耗为1.5W。此外，该器件的工作结温和存储温度范围宽广，覆盖-55℃至150℃，热阻为81.3℃/W，能够适应严苛的工作环境。资料内容涵盖了该产品的详细电气特性、热特性、开关参数、典型特性曲线以及封装尺寸，为负载开关和PWM应用提供了可靠的设计参考。MEILAI INNOVATION在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该器件，用户可通过平台获取原厂授权的正品保障，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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美莱创新SIE3415 V1.0
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美莱创新SIO3415 V1.1 P沟道增强型场效应晶体管
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美莱创新SIO3415 V1.1 P沟道增强型场效应晶体管
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美莱创新离子SIA065P02 V1.0 P沟道增强型场效应晶体管
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美莱创新离子SIA065P02 V1.0 P沟道增强型场效应晶体管
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美莱创新离子SiH3313 V1.0 P沟道增强型场效应晶体管
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美莱创新SiH15P30 V1.0 P沟道增强型场效应晶体管
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美莱创新SIA009N04 V1.0 N沟道增强型场效应晶体管
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美莱创新SIA009N04 V1.0 N沟道增强型场效应晶体管
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美莱创新离子SID058N08 SIN058N08 V1.0 N沟道增强型场效应晶体管
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美莱创新离子SID058N08 SIN058N08 V1.0 N沟道增强型场效应晶体管
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美莱INNOVAT ION SID026N08 V1.0 N沟道增强型场效应晶体管
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美莱INNOVAT ION SID028N10 V1.0 N沟道增强型场效应晶体管
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美莱INNOVAT ION SID055N10 V1.0 N沟道增强型场效应晶体管
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美莱INNOVAT ION SID034N06 V1.0 N沟道增强型场效应晶体管
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美莱创新离子SID045N10 V1.1 N沟道增强型场效应晶体管
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美莱创新离子SID045N10 V1.1 N沟道增强型场效应晶体管
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美莱创新离子SID035N10 V1.0 N沟道增强型场效应晶体管
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互补增强型场效应晶体管
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美莱创新SiA3704 V1.1 N沟道增强型场效应晶体管
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美莱创新SiH032N04 V1.0 N沟道增强型场效应晶体管
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美莱创新SiH032N04 V1.0 N沟道增强型场效应晶体管
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美莱创新SIP4212 V1.0 N沟道增强型场效应晶体管
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MEILAI INNOVATION - 双N沟道增强型场效应晶体管
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美莱创新离子SiH3406 V1.3 N沟道增强型场效应晶体管
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N沟道增强型场效应晶体管
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美莱创新SIP2623 V1.0互补增强型场效应晶体管
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美莱创新离子SIN30Y52 V1.0
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美莱创新SIE3400AV1.2
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美莱创新SIE3400V1.1
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美莱创新SIE3400V1.0
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美莱创新离子SIB3511 V1.0 P沟道增强型场效应晶体管
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美莱创新离子SIB43P10 V1.0 P沟道增强型场效应晶体管
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美莱创新离子SiH017P03 V1.0 P沟道增强型场效应晶体管
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美莱创新离子SiH065P02 V1.0 P沟道增强型场效应晶体管
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美莱创新离子SiH065P02 V1.0 P沟道增强型场效应晶体管
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美莱创新离子SIA034P03 V1.0 P沟道增强型场效应晶体管
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美莱创新离子SiH13P04 V1.0 P沟道增强型场效应晶体管
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美莱创新离子SiH10P03 V1.0 P沟道增强型场效应晶体管
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