SIE3415 V1.1 - P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
SIE3415是一款采用先进沟槽技术设计的P沟道增强型场效应晶体管（FET）。它提供了出色的RDS（ON）和低栅极电荷，使其适合用作负载开关或PWM应用。该器件具有ESD保护功能，ESD额定值为2000V HBM。主要特征包括-20V的漏极-源极电压（VDSS）、-4.5A的漏极电流（ID）和VGS=4.5V时30mΩ的RDS（ON）。SIE3415采用SOT-23-3封装。
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产品型号
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品类
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Package
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Process
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Product Grade
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VR
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VF
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IF
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IFSM_Max @ tP = 10ms
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QC
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Status
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Application
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L/T Week
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SPQ
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MOQ
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CSDD04H65J1_TO-252
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晶体管
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TO-252
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JBS
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industrial
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650
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1.34
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4
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Active
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LED Driver
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12
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