IGN0450M250 | RF Power Transistor IGN0450M250S
发布时间：
2025-03-16
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
Integra Technologies
型号：
IGN0450M250; IGN0450M250S
本数据手册详细介绍了IGN0450M250和IGN0450M250S两款高功率GaN-on-SiC射频功率晶体管。这些器件专为P波段雷达系统设计，工作频率范围覆盖420-450 MHz，在100ms、10%占空比的脉冲条件下，可提供至少250W的峰值输出功率，典型增益超过24 dB，效率高达75%至80%。产品采用金属封装和环氧密封陶瓷盖，具备优异的热效率，并支持预匹配输入阻抗及非线性电热模型下载，且符合RoHS和REACH环保标准。Integratech在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该方案，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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加工定制
测试范围：扬兴晶振全系列晶体，通过对晶体回路匹配分析，调整频率、驱动功率和起振能力，解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析，测完如有问题，会进一步晶振烧录/修改电路。
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提供CE测试服务，通过晶体回路匹配分析，给出测试报告。支持EPSON所有MHz无源晶体、32.768KHz晶体。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
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IGN1011M600|射频功率晶体管IGN1011M600S
IGN1011M600-REV-NC-DS-REV-B
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IGN0912L250M|射频功率晶体管IGN0912L250MS
IGN0912L250M-REV-NC-DS-REV-B
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IGN0912L125A|射频功率晶体管IGN0912L125AS
IGN0912L125A-REV-PR1-DS-REV-B
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IGN0912L500|射频功率晶体管
IGN0912L500-REV-NC-DS-REV-C
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IGN0160UM12|射频功率晶体管
iGN0160UM12-REV-PR1-DS-REV-A
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IGN0450L1250|射频功率晶体管
IGN0450L1250-REV-PR1-DS-REV-A
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IGN0912CW150|射频功率晶体管
IGN0912CW150-REV-PR1-DS-REV-A
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IGN1011L20-Pb|射频功率晶体管
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IGN1011S1250|射频功率晶体管
IGN1011S1250-REV-NC-DS-REV-NC
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IGN0912L45|射频功率晶体管IGN0912L45S
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IGN0912CW300|射频功率晶体管
IGN0912CW300-REV-NC-DS-REV-A
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IGN1011L1200|射频功率晶体管IGN1011L1200S-L波段，氮化镓/SiC，射频功率晶体管
IGN1011L1200-REV-NC-DS-REV-G
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IGN0912LM500|射频功率晶体管IGN0912LM500A
IGN0912LM500-REV-NC-DS-REV-B
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IGN0912L250A|射频功率晶体管-IGN0912L250AS
IGN0912L250A-REV-PR1-DS-REV-C
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IGN0450M850|射频功率晶体管-IGN0450M850S
IGN0450M850-REV-PR1-DS-B
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IGN0450M1500|射频功率晶体管IGN0450M1500S
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IGN1011L120|射频功率晶体管IGN1011L120S
IGN1011L120-REV-NC-DS-REV-E
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IGN1011L1000R2|射频功率晶体管-IGN1011L1000R2S
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IGN0912CW10 L波段雷达晶体管 初步规格
REV-A
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应用/方案
射频功率放大器(RF PA)线性化技术及分类介绍
射频功率放大器(RF PA)是发射系统中的主要部分，其重要性不言而喻。在发射机的前级电路中，调制振荡电路所产生的射频信号功率很小，需要经过一系列的放大（缓冲级、中间放大级、末级功率放大级）获得足够的射频功率以后，才能馈送到天线上辐射出去。为了获得足够大的射频输出功率，必须采用射频功率放大器。在调制器产生射频信号后，射频已调信号就由RF PA将它放大到足够功率，经匹配网络，再由天线发射出去。
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750 W CW 700-1300 MHz，50 V RF功率LDMOS晶体管
MRF13750H和MRF13750HS是NXP公司生产的750W连续波（CW）LDMOS射频功率晶体管，适用于700至1300MHz频段的工业、科学和医疗（ISM）应用。这些晶体管可在窄带操作中实现CW或脉冲功率输出。资料提供了915MHz参考电路的框图，并注明了相关信息可能随时更改。
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【产品】340W高功率RF LDMOS场效应晶体管，无需外围匹配电路
Infineon的PTFB183408SV采用LDMOS工艺及无耳法兰封装技术，是一款高可靠性的大功率射频放大器。
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【产品】额定功率50W的氮化镓高电子迁移率晶体管CHZ050A-SEA，可用于C波段各种不同的RF功率应用
CHZ050A-SEA是UMS推出的一款氮化镓高电子迁移率晶体管。该晶体管具有输入和输出内部匹配封装。带宽范围在5.2GHz到5.8GHz，产品可应用于C波段各种不同的RF功率应用，且具有低的寄生参数，低的热阻，不需要任何外部匹配电路。
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【产品】340W高功率RF LDMOS场效应晶体管，适用于1805MHz-1880MHz频段
Infineon的PTFB183404E采用LDMOS工艺，集成ESD保护，是一款出色的大功率射频放大器。
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专为TV广播发射器设计的RF高功率晶体管，效率极佳！
英飞凌新型RF功率晶体管PTVA042502FC瞄准UHF TV功率放大器设计，不仅能够提供出色的散热性能和卓越的可靠性，还具备领先的RF品质参数，受到众多工程师的一致好评和青睐。
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