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未提供 - 数据手册 该资料介绍了IGN0912CW300射频功率晶体管，这是一种高功率GaN/SiC射频功率晶体管，适用于960-1250 MHz频段的连续波和脉冲应用。该晶体管提供至少300 W的连续波输出功率，具有典型的15 dB增益和70%效率。它采用金属基封装和环氧密封陶瓷盖，以实现最佳热效率。
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东微半导体 IGBT选型表
选型表 - 东微半导体 东微半导体提供600V-1400V电压等级IGBT选型，电流覆盖10A-200A（TC=100°C），阈值电压Vge(th)典型值1.45V-6.2V，栅极电荷Qg范围43nC-4809nC，Qgc范围10nC-237nC。产品适用于电机驱动、光伏逆变器、UPS电源及高频功率转换等应用场景，提供不同电流规格和开关性能组合，便于根据系统功率和驱动要求灵活选型。
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产品型号
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品类
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BV
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Ic TC=100℃
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Vge(th) Typ
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Qg
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Qgc
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OST25N140HSNF
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IGBT
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1400V
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25A
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5.5V
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99nC
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22nC
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【产品】UMS新推15W GaN晶体管CHK8101-SYC，适用于高达6GHz的高性能射频功率应用
2022-08-30 - 新产品 UMS推出的CHK8101-SYC是一款优异的15W GaN晶体管，适用于高达6GHz的高性能射频功率应用。CHK8101-SYC适用于多种射频功率应用的宽带解决方案，例如多用途、空间和电信应用。
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服务市场
可定制射频隔离器/环行器（10M-40GHz），双工器/三工器（30MHz/850MHz-20GHz），滤波器（DC-20GHz），功分器，同轴负载，同轴衰减器等射频器件；可定制频率覆盖DC~110GHz，功率最高20KW。
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可根据用户的wifi模块，使用无线连接测试仪MT8862A，测试IEEE802.11a/b/g/n/ac (2.4Ghz和5Ghz)设备的TX、RX射频特征，输出测试报告。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
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