IGN0912L45 | RF Power Transistor IGN0912L45S
发布时间：
2025-03-16
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
Integra Technologies
型号：
IGN0912L45; IGN0912L45S
本数据手册详细介绍了IGN0912L45和IGN0912L45S两款高功率GaN/SiC射频功率晶体管。这些器件专为IFF/SSR航空电子系统、军事战术数据链以及TACAN/DME系统设计，工作频率覆盖960至1220MHz，能够提供至少45W的峰值输出功率，典型增益达20.5dB，效率典型值为60%。在技术特性方面，该产品采用GaN on SiC HEMT技术，具备预匹配的输入和输出阻抗，并经过100%射频测试以符合Link 16脉冲条件。其封装采用金属外壳配合环氧密封的陶瓷盖，从而实现最佳的热效率，同时满足RoHS和REACH合规要求。基于该方案，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队将提供从选型、设计验证到调试的全程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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加工定制
可定制射频隔离器/环行器（10M-40GHz），双工器/三工器（30MHz/850MHz-20GHz），滤波器（DC-20GHz），功分器，同轴负载，同轴衰减器等射频器件；可定制频率覆盖DC~110GHz，功率最高20KW。
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可根据用户的wifi模块，使用无线连接测试仪MT8862A，测试IEEE802.11a/b/g/n/ac (2.4Ghz和5Ghz)设备的TX、RX射频特征，输出测试报告。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
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资料平台
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IGN0912CW10 L波段雷达晶体管 初步规格
REV-A
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IGN0160UM12|射频功率晶体管
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IGN0912L250A|射频功率晶体管-IGN0912L250AS
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IGN1011S1250|射频功率晶体管
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IGN1011L1200|射频功率晶体管IGN1011L1200S-L波段，氮化镓/SiC，射频功率晶体管
IGN1011L1200-REV-NC-DS-REV-G
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IGN1011M600|射频功率晶体管IGN1011M600S
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世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
【产品】UMS新推15W GaN晶体管CHK8101-SYC，适用于高达6GHz的高性能射频功率应用
UMS推出的CHK8101-SYC是一款优异的15W GaN晶体管，适用于高达6GHz的高性能射频功率应用。CHK8101-SYC适用于多种射频功率应用的宽带解决方案，例如多用途、空间和电信应用。
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【产品】GaN射频晶体管GHPS060085AT，P3dB为85W，工作频率DC~6GHz
时代速信推出的GHPS060085AT是一款3dB压缩输出功率为85W（26GHz）的基于SiC HEMT的分立GaN射频晶体管，采用低热阻封装，漏栅击穿电压为150V，栅极电压工作范围为-10V~1.3V，漏极电流为6.3A。
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【产品】射频功率晶体管PTVA035002EV-V1和PTVA030121EA-V1，放大系数高达18dB/25dB
PTVA035002EV-V1和PTVA030121EA-V1射频功率器件是由Wolfspeed公司推出的性能优异的分立器件，其对390MHz-450MHz频带的信号功率增益可以达到18dB和25dB，能量转换效率为64%和69%，可以应用于超高频雷达及通信领域，消费电子等。
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医学中的射频能量利用固态射频功率的创新解决方案
本文探讨了射频能量在医学领域的应用，包括其历史、工作原理、主要应用和未来趋势。文章介绍了射频能量如何通过加热组织来治疗各种疾病，如皮肤老化、肿瘤、心脏病和高血压。重点讨论了射频能量在治疗中的应用，如射频消融、微波消融、磁共振成像和皮肤紧致术。此外，文章还介绍了LDMOS射频功率晶体管在医学应用中的优势，以及其在提高治疗效率和安全性方面的作用。
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【产品】输出功率20W的小尺寸GaN HEMT晶体管CHK8101a99F，适用于雷达和电信等射频功率应用
UMS公司2019年推出了一款20W功率的氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）CHK8101a99F。该产品为包括雷达和电信在内的各种射频功率应用提供了通用的宽带解决方案。它采用基于SiC衬底的0.5μm栅极长度的GaN HEMT技术，符合相关规范特别是RoHS N◦2011 / 65和REACh N◦1907/2006的指令。CHK8101a99F以裸芯片形式提供并需要外部匹配电路。
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【产品】时代速信GaN射频晶体管GHPS060075AT，3dB压缩输出功率为75W（2.6GHz）
时代速信推出的GHPS060075AT是一款3dB压缩输出功率为75W（2.6GHz）的基于SiC HEMT的分立GaN射频晶体管，可在连续波和脉冲波输入下工作，工作频率范围为DC~6GHz。在2.6GHz时线性增益可达到21.3dB，典型漏极效率(DE 3dB)可达到76.5%。
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【产品】工作频段2620MHz-2690MHz，280W输出功率18dB增益的射频放大器晶体管
INFINEON的PTFC262808FV可广泛应用于2620MHz-2690MHz频段的功率放大器中，具有18dB的增益。集成ESD保护，人体模型1C，轻松应对恶劣环境
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世界上输出功率最高的射频功率晶体管取代了工业系统中的真空管
NXP推出新型MRF1K50H射频功率晶体管，可在1.8至500MHz频率范围内提供1500W的射频输出功率，取代真空管在工业系统中的应用。该晶体管具有高功率、高可靠性、低热阻等特点，适用于工业、科学、医疗、广播、航空航天和防御等领域。NXP还提供针对该晶体管的参考电路和产品长期可用性保证。
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【产品】GaN HEMT晶体管CHKA012a99F，适用于雷达和电信等射频功率应用
UMS公司推出了一款140W功率的氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）CHKA012a99F。该产品为包括雷达和电信在内的各种射频功率应用提供了通用的宽带解决方案。它采用基于SiC衬底的0.5μm栅极长度的GaN HEMT技术，符合相关规范特别是RoHS N◦2011 / 65和REACh N◦1907/2006的指令。CHKA012a99F以裸芯片形式提供并需要外部匹配电路。
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【产品】基于SiC HEMT的分立GaN射频晶体管GHPS060050AT，3dB压缩输出功率为50W（2.6GHz）
时代速信推出的GHPS060050AT是一款3dB压缩输出功率为50W（2.6GHz）的基于SiC HEMT的分立GaN射频晶体管,采用低热阻封装，工作电压为50V，工作频率范围为DC~6GHz，可在连续波和脉冲波输入下工作。
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【产品】大功率90W射频功率晶体管，专为920MHz至960MHz频段多标准蜂窝功放
PTFB090901EA和PTFB090901FA是英飞凌Infineon推出的90W LDMOS 射频功率晶体管，旨在用于920至960 MHz频段的多标准蜂窝功率放大器应用。
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【产品】130W封装氮化镓高电子迁移率晶体管，射频功率应用首选
UMS的CHKA011-SXA是一款氮化镓高电子迁移率晶体管，具有所有GaN关键优势，高功率、高效率以及高达1.5GHz工作频率的宽带能力，兼容脉冲和CW操作模式，为各种射频功率应用提供了通用的宽带解决方案，非常适用于雷达和通信等领域中。
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【产品】GaN射频晶体管GHPS060020AT输出功率20W，工作频率DC-6GHz，具有CW和脉冲功能
时代速信GaN射频晶体管GHPS060020AT是一种20W (P3dB)、SiC高电子迁移率晶体管上的分立氮化镓，工作频率为DC-6GHz。低热阻封装，具有CW和脉冲功能。
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【产品】240W LDMOS射频功率晶体管，适用1805-1880 MHz频段的多标准蜂窝功率放大器
PTFB182503EL和PTFB182503FL是Infineon公司推出的240W LDMOS射频功率晶体管，旨在用于1805至1880 MHz频段的多标准蜂窝功率放大器应用。功能包括输入和输出匹配，高增益，宽信号带宽和减少记忆效应，以提高DPD的正确性。 采用英飞凌先进的LDMOS工艺制造，这些器件具有出色的散热性能和卓越的可靠性，封装符合RoHS标准。
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【应用】135W射频功率晶体管，让电视里的世界更清晰！
PTVA047002EV采用INFINEON最新的LDMOS技术，能够在整个UHF频段以杰出线性性能和稳定性能提供700W功率的广电发射机解决方案。
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【产品】700W射频功率晶体管PTVA127002EV，适用于雷达系统1200-1400MHz功率放大器及通用功率放大器
PTVA127002EV采用英飞凌先进的LDMOS工艺制造，在功率增益高达16dB的情况下，能量转换效率仍能达到56%，极大地降低了功率消耗和冷却成本，广泛应用于1200-1400MHz功率放大器。
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【产品】350W高功率射频晶体管PTVA123501EC，L波段功率放大器首选
英飞凌半导体公司推出的一款适用于1200-1400MHz频段的大功率LDMOS —PTVA123501EC。该器件输出功率可达350W，功率增益高达17dB，适用于L波段的高功率放大器应用，尤其是L波段雷达功率放大器。
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专为TV广播发射器设计的RF高功率晶体管，效率极佳！
英飞凌新型RF功率晶体管PTVA042502FC瞄准UHF TV功率放大器设计，不仅能够提供出色的散热性能和卓越的可靠性，还具备领先的RF品质参数，受到众多工程师的一致好评和青睐。
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【产品】应用于500MHz到1400MHz的射频功率晶体管，集成ESD保护，符合RoHS标准
速来围观：应用于500MHz到1400MHz的高度一致性和可靠性的高功率晶体管产品面世啦！
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【产品】单管芯输出功率高达220W的射频功率放大晶体管PXFC192207SH，适用于1805-1990MHz频段
英飞凌通过其先进的LDMOS生产工艺，推出高性能、高可靠性、超宽带、单管芯超大功率的射频功率放大晶体管PXFC192207SH，PXFC192207SH适用于1805-1990MHz频段的各种制式的移动通信蜂窝基站、RRU、直放站等产品。PXFC192207SH采用H-37288G-4/2封装，器件大小仅为23.1×14.7mm，这为实现PCB板的小型化设计提供了便利。
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